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三星增产重心为DRAM、NAND明年续旺?

作者:时间:2017-12-07来源:精实新闻

  明年NAND flash究竟是涨是跌,多空激烈争辩。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的报告,开了第一枪 。 如今IHS Markit也跟进,预测明年NAND将供过于求。 但是美系外资力排众议,高喊各方错看,明年NAND供应将持续吃紧。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201712/372648.htm

  韩媒BusinessKorea 5日报导(见此),IHS Markit报告预估,明年全球NAND flash供给将提高39.6%、至2,441亿GB。 其中电子将带头增产,预料供给将增39%至879亿GB。 与此同时,明年全球NAND需求提高36.7%至2,424亿GB,供给超出需求17亿GB,供给过剩比率约为0.7%。

  尽管NAND转跌,价格仍旺,业界人士说,也许会减产NAND、增产。 美系外资附和此一看法,推测平泽厂的二楼产线,可能从生产NAND改为生产。 若真是如此,该外资预估,明年NAND供给将短缺0.7%,供不应求情况到明年第三、四季更为严重,将分别短缺2%、3.2%,吃紧情况为去年第四季以来之最。

  部分观察家则说,另一个可能影响产出的因素是制程转换的技术问题,也许会让增产幅度小于预期。 技术难度不断提高,过去六、七年来,业者投资规模大致维持不变,但是产出成长幅度却减半。 随着三星和SK海力士转进3D NAND,结果或许好坏参半,压缩成长增幅。

  嘉实XQ全球赢家系统报价显示,台北时间5日上午9点36分,三星电子走低0.74%、报2,548,000韩圜。 SK海力士下跌1.01%、报78,300韩圜。

  在此之前,另一韩媒也说,三星平泽厂二楼主要用于生产DRAM,但是警告此举也许会让DRAM供过于求。

  韩媒etnews 4日报导,三星平泽厂区的半导体一号厂,共有两层楼。 一楼设有餐厅和办公室等,剩余空间较少,每月只能生产10万组芯片。 二楼空间较多,每月可生产20万组芯片。 二楼分为东西两翼,东翼预定生产7万组3D NAND flash和3万组DRAM、西翼预定生产10万组DRAM,三星不久后应会下单采购DRAM设备。

  报导称,要是三星加快投资脚步,并决定把二楼多用于生产DRAM,DRAM可能供过于求,价格由涨转跌。 业界人士说,内存价格取决于三星投资速度;不仅如此,三星的西安厂可能也会投资增产(应为NAND flash),料于2018年底或2019年启动。



关键词: 三星 DRAM

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