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4nm大战,三星抢先导入将EUV,研发GAAFET

作者:时间:2017-12-01来源:集微网

  晶圆代工之战,7nm制程预料由台积电胜出,之战仍在激烈厮杀。 Android Authority报道称,三星电子抢先使用极紫外光()微影设备,又投入研发能取代「鳍式场效晶体管」(FinFET)的新技术,目前看来似乎较占上风。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201712/372382.htm

  Android Authority报导,制程不断微缩,传统微影技术来到极限,无法解决更精密的曝光显像需求,必须改用波长更短的, 才能准确刻蚀电路图。 5nm以下制程,是必备工具。 三星明年生产7nm时,就会率先采用EUV,这有如让三星在6nm以下的竞赛抢先起跑,可望加快发展速度。

  相较之下,台积电和格罗方德的第一代7nm制程,仍会使用传统的浸润式微影技术,第二代才会使用EUV。

  制程微缩除了需拥抱EUV,也需开发FinFET技术接班人。 晶体管运作是靠闸极(gate)控制电流是否能够通过,不过芯片越做越小,电流信道宽度不断变窄,难以控制电流方向,未来FinFET恐怕不敷使用,不少人认为「闸极全环场效晶体管」( Gate-all-around FET,GAAFET)是最佳解决方案。

  今年稍早,三星、格芯和IBM携手,发布全球首见的5nm晶圆技术,采用EUV和GAAFET技术。 三星路径图也估计,FinFET难以在5nm之后使用,将采用GAAFET。 尽管晶圆代工研发不易,容易遇上挫折延误,不过目前看来三星进度最快。 该公司的展望显示,计划最快在2020年生产,进度超乎同业,也许有望胜出。



关键词: 4nm EUV

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