首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> 4nm

4nm 文章

三星Exynos 2200处理器跳票:疑与4nm工艺有关

  • 2019年AMD与三星达成合作,三星基于此打造了全新的Exynos 2200处理器,原本应该在1月11日发布,但已经取消。Exynos 2200处理器预计会用于三星新一代的Galaxy S22系列旗舰机中,后者还会有新一代骁龙8的版本,但Exynos 2200因为是三星自研的,GPU非常吸引人,所以很多人都在期待Exynos 2200的正式发布。      这次推迟发布之后,三星没有公布原因,也没有提及新的发布时间,爆料称会在1月底2月初再发布,赶在S22系
  • 关键字: 三星  Exynos 2200  处理器  4nm  

全球首发骁龙8 Gen 1!

  •   今天一早,高通公司正式宣布了新一代旗舰处理器骁龙8 Gen 1。  雷军通过视频的方式现身会议现场,并表示小米12将全球首发骁龙8 Gen 1芯片。  据知名爆料博主 数码闲聊站最新消息:春节前上市的骁龙8新旗舰远不止小米,不过现在小米12系列已经进入产能爬坡期,首批备货和同期产品不是一个量级,是比较容易买到的骁龙8新旗舰机。  另一点则是提到小米12的供货问题,他表示小米12的备货非常充足,甚至现在已经开始了产能爬坡,将会在发布会前后实现大规模量产输出,远超同期产品。  同时,小米12此次也将更加容
  • 关键字: 高通  小米  4nm  

联发科双旗舰处理器在路上:台积电4nm工艺

  •   今年安卓阵营高端旗舰芯片市场,高通推出了骁龙888、骁龙888 Plus和骁龙870,联发科推出了联发科天玑1200、天玑1100等芯片。  展望明年,高通2022年主打的旗舰芯片为骁龙898(暂命名),而联发科这边还将会推出两款旗舰处理器,来跟高通进行竞争。  今天下午,博主 数码闲聊站爆料,明年发哥会施压高通,一颗真旗舰芯片、一颗次旗舰芯片已在路上。  其中真旗舰芯片基于台积电4nm工艺制程打造,次旗舰芯片基于台积电5nm工艺制程打造。  当前联发科天玑1200和天玑1100两颗旗舰芯片都是台积电
  • 关键字: 高通  台积电  4nm  

骁龙898首个跑分出炉:采用三星4nm工艺

  • 高通骁龙888巨大的发热量让市场诟病,即使采用降频的策略,却仍略有遗憾。正因如此,大家便期待骁龙888继任者——骁龙898能够通过三星4nm工艺,将发热的问题进行改善。日前,骁龙898首个跑分现身Geekbench平台,信息显示,搭载该处理器的为vivo还未推出的新旗舰机型。根据Geekbench跑分来看,搭载骁龙898处理器的vivo旗舰单核跑分为720分,多核跑分为1919分。                 &
  • 关键字: 骁龙898  三星  4nm  

骁龙895、天玑2000规格曝光 均为4nm工艺

  • 得益于工艺制程的提升,联发科近年来表现特别亮眼,今年不少旗舰、中端、低端手机都搭载上了联发科处理器,用户口碑也直线上升。近日联发科公布了第二季度的营收业绩,据第二季度财报显示,其合并营收达1256.53亿(新台币),环比增长16.3%,同比增长85.9%;净利润275.87亿,环比增长7%(新台币);合并毛利率46.2%,较上一季增长1.3个百分点,也较去年同期增长2.7%,也算是赚得彭满钵满了。在公布财报的同时,联发科还顺便预热了重磅新品,表示将于年底将发布的5G旗舰级芯片。在工艺制程上会是台积电4nm
  • 关键字: 骁龙895  天玑2000  4nm  

曝联发科4nm处理器即将量产:多家国产品牌使用

  • 芯研所6月24日消息,联发科凭借天玑系列5G芯片得以在5G时代有着更高的市场份额,据博主@数码闲聊站爆料,联发科明年上半年的旗舰处理器基于4nm工艺制程打造,由台积电代工,OPPO、vivo、小米等厂商都会开案使用。联发科天玑4nm旗舰芯片有望会采用Cortex X2、A79、G79之类的全新架构,能在性能、续航等方面带来更加强劲的表现。这款4nm旗舰芯片的定位可能要超过天玑1000系列迭代产品,或许联发科将要开辟一条新的芯片序列。联发科无线通信事业部李彦辑之前在接受采访时就指出,从去年我们发布了天玑10
  • 关键字: 联发科  4nm  A79  

骁龙895旗舰处理器曝光,4nm工艺,三星代工

  • 骁龙888处理器推出之后,处理器的性能自然是旗舰级别的,但发热成为了很大的一个问题。各个厂商对于骁龙888的机型都在极力地堆散热,但在高温的夏天,还是很难缓解手机发热。近期相关爆料显示,高通即将推出骁龙888的升级版本骁龙895。爆料显示,一款代号为SM8450的高通新处理器曝光,由于骁龙888在高通内部的部件代号是SM8350,按照命名习惯,SM8450预计将对应新一代旗舰SoC。据悉,SM8450(骁龙895)仍旧是三星代工,采用其4nm工艺,包括三星自家的Exynos 2200同样都是基于4nm
  • 关键字: 骁龙895  4nm  三星  

台积电4nm第3季开始试产,有信心推进摩尔定律

  • 台积电2021年技术论坛6月1日举行,台积电宣布4nm预计今年第3季开始试产,较先前规划提早一个季度,3nm制程则将依计划于2022年下半年量产。据了解,台积电目前4nm测试载具良率已与量产的5nm相当。台积电在2021年技术论坛上揭露了先进工艺、先进封装、新材料及特殊工艺布局,表示对摩尔定律发展仍信心满满,N5、N4、N3将持续带来芯片效能、功耗与面积缩减(PPA)等各方面持续的改善。
  • 关键字: 台积电  4nm  

台积电4nm芯片提前量产!联发科和苹果抢首发?

  • 4月20日消息,2021年第一季度,5nm芯片手机市场激战正酣,vivo、OPPO、小米等玩家连连发新。与此同时,许多芯片设计、制造玩家,已经将目光瞄准更加前沿的4nm市场。  4月19日,中国台湾经济日报报道称,联发科或抢跑一众厂商,成为台积电4nm制程产能的第一家客户。而就在据此前不到两周的4月7日,业界盛传有资格首次“尝鲜”台积电4nm制程的,还是苹果。  5nm落地仅几个月,4nm作为5nm的增强版本,到底能带来怎样的提升,让苹果联发科等大厂“抢破头”?  据此前台积电公布相关信息,尽管难以实现像
  • 关键字: 台积电  4nm  

曝联发科年底试产4nm芯片:或升级A79架构

  • 联发科在2020年凭借天玑1000等系列处理器拿下了诸多市场,一举成为国内最大手机SOC供应商。但目前来看,联发科在高端市场并未实现突破,虽说之前的天玑1000+和新发的天玑1200都表现不俗,但仅仅是能与高通次旗舰芯片打个平手,令人不免有些遗憾。联发科当然也意识到了这个问题,据知名爆料博主@数码闲聊站透露,台积电将会在H2试产4nm芯片,而供应链传出消息称,联发科将会在今年Q4试产基于该工艺的旗舰芯片,并在2022年实现量产。另外,由于发布时间较晚,天玑4nm旗舰芯片还有望会采用上X2、A79、G79之
  • 关键字: 联发科  4nm  A79  

台积电确认正研发3nm和4nm工艺:功耗降低30%、2022年量产

  • 在台积电第26届技术研讨会上,台积电不仅确认5nm、6nm已在量产中,且5nm还将在明年推出N5P增强版外,更先进的3nm、4nm也一并公布。3nm是5nm的自然迭代,4nm理论上说是5nm的终极改良。技术指标方面,3nm(N3)将在明年晚些时候风险试产,2022年投入大规模量产。相较于5nm,3nm将可以带来25~30%的功耗减少、10~15%的性能提升。4nm(N4)同样定于明年晚些时候风险试产,2022年量产。对于台积电N5客户来说,将能非常平滑地过渡到N4,也就是流片成本大大降低、进度大大加快。当
  • 关键字: 台积电  3nm  4nm  

台积电将启动4nm工艺制程 计划于2022年大规模量产

  • 两年前,台积电量产了7nm工艺,今年将量产5nm工艺,这让台积电在晶圆代工领域保持着领先地位。现在3nm工艺也在按计划进行。根据台积电的规划,3nm风险试产预计将于明年进行,量产计划于2022年下半年开始。据外媒报道,台积电还将在5nm和3nm工艺制程之间推出4nm工艺制程。报道称,台积电在其官网披露的第二季度电话会议中提到了4nm工艺,并表示将启动4nm工艺作为5nm工艺的延伸。此外,4nm工艺将兼容5nm工艺的设计规则,较5nm工艺更有性价比优势,瞄准的是下一波的5nm产品,计划在2022年大规模量产
  • 关键字: 台积电  4nm  

产业链人士:三星电子已修改芯片工艺路线图 将跳过4nm工艺

  • 据国外媒体报道,在芯片工艺方面,为苹果等公司代工的台积电,近几年走在行业的前列,他们的7nm和5nm工艺都是率先投产,良品率也相当可观。曾为苹果代工A系列芯片的三星电子,近几年在芯片工艺方面虽然略晚于台积电,获得的芯片代工订单也不及台积电,但仍是唯一能在工艺上跟上台积电节奏的厂商。台积电和三星电子的芯片工艺,目前都已到了5nm,台积电的5nm工艺是已经大规模量产,三星电子投资81亿美元的新5nm芯片工艺生产线,今年也已经开始建设。在提升到5nm之后,三星电子也会继续研发更先进的芯片工艺。外媒最新援引产业链
  • 关键字: 三星  4nm  

三星的6nm、5nm、4nm工艺都是7nm改良:3nm弃用FinFET

  • 7nm工艺的产品已经遍地开花,Intel的10nm处理器也终于在市场登陆,不过,对于晶圆巨头们来说,制程之战却越发胶着。在日前一场技术交流活动中,三星重新修订了未来节点工艺的细节。三星称,EUV后,他们将在3nm节点首发GAA MCFET(多桥通道FET)工艺。由于FinFET的限制,预计在5nm节点之后会被取代。实际上,5nm在三星手中,也仅仅是7nm LPP的改良,可视为导入第二代EUV的一代。7nm LPP向后有三个迭代版本,分别是6nm LPP、5nm LPE和4nm LPE。相较于年初的路线图,
  • 关键字: 三星  5nm  4nm  

4nm大战,三星抢先导入将EUV,研发GAAFET

  •   晶圆代工之战,7nm制程预料由台积电胜出,4nm之战仍在激烈厮杀。 Android Authority报道称,三星电子抢先使用极紫外光(EUV)微影设备,又投入研发能取代「鳍式场效晶体管」(FinFET)的新技术,目前看来似乎较占上风。   Android Authority报导,制程不断微缩,传统微影技术来到极限,无法解决更精密的曝光显像需求,必须改用波长更短的EUV, 才能准确刻蚀电路图。 5nm以下制程,EUV是必备工具。 三星明年生产7nm时,就会率先采用EUV,这有如让三星在6nm以下的竞
  • 关键字: 4nm  EUV  
共18条 1/2 1 2 »
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473