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三星宣布量产第二代10LPP制程,性能增10%功耗降15%

作者:时间:2017-11-30来源:集微网

  据电子于11月29日宣布,开始大规模量产以第2代10nm FinFET制程技术()为基础的单芯片系统(SoC)产品,其搭配该单芯片系统的电子产品,也预计将在2018年首季问市。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201711/372284.htm

  表示,针对低功耗产品所研发的技术,相较于第1代的10LPE,的制程可使性能提高10%,功耗降低15%。而且,由于该制程是延续于已经量产中的10LPE制程,所以将可以大幅缩短从开发到大量生产的准备时间,并提供更高的初期生产良率,因此更具有市场竞争优势。

  进一步表示,采用10LPP制程技术制造的产品,预计将于2018年首季推出相关的电子产品。三星电子代工市场行销副总裁RyanLee表示,通过从10LPE制程向10LPP制程的迈进,三星将能够更好地为客户提供服务,同时提高性能,提高初期产量。

  同时,三星宣布,位于韩国华城的最新S3生产线,目前正准备加速生产10纳米及其以下制程技术。S3是三星晶圆代工业务的第3座晶圆厂,其它2座分别是位于韩国京畿道的器兴(Giheung)的S1,以及位于美国奥斯汀的S2。根据规划,三星的7纳米FinFET制程技术与EUV(ExtremeUltraViolet)技术也预计将在S3晶圆厂中于2018年开始大量生产。

  IC Insights近日发布指出,三星今年在半导体产业支出达到260亿美元,是去年支出的两倍还多,其中用于晶圆代工/其他的资本支出达50亿美元,专门用于提升10纳米制程能力。目前来看进展顺利,有消息称,三星 8nm LPP 制程工艺的技术验证工作也已完成,将于不久之后大规模量产。三星表示,相比于 10nm 制程,全新 8nm 制程的芯片不仅面积能缩减 10%,功耗也能降低10%。该工艺正式投产后,将会定位于高端旗舰市场。至于具体商用时间,三星表示会在随后于全球各地举行的三星半导体论坛上与 7nm EUV 光刻工艺进展一同公布。



关键词: 三星 10LPP

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