三星2017年豪掷260亿美元投资 欲遏制中国存储器厂商发展

　　根据IC Insights最新发布的17年麦克林报告指出，今年半导体行业资本支出增长35%，达到908亿美元。

　　而三星今年在半导体产业支出达到260亿美元，是去年支出的两倍还多。IC Insights总裁Bill McClean表示：“我追踪半导体行业的37年里，从没有见过如此激烈的半导体资本支出增长。 可见，今年三星的巨额开支在半导体行业史上是史无前例的。”

　　下图显示了自2010年以来三星为其半导体产业投入的资本支出。2010年，该公司首次为半导体产业投入了超过100亿美元。 直至2016年已达到113亿美元，这也是连续7年超过100亿美元。而今年的资本支出更有望达到新高，激增至260亿美元。

　　IC Insights预计，三星在2017年第四季度半导体行业资本支出为86亿美元，将占到其262亿美元总开支预算的33%。同时，三星半导体四季度销售额有望占到全球半导体销售额的16%左右。

　　IC Insights估计，今年三星260亿美元的半导体支出将分成如下几部分： 3D NAND闪存：140亿美元(包括在平泽工厂的产能大幅增长) DRAM：70亿美元(用于流程迁移和弥补由于迁移造成的容量损失的额外容量) 代工/其他：50亿美元(用于提升10纳米制程能力)

　　IC Insights认为，今年三星的巨额支出将会对该行业未来格局产生巨大影响。 3D NAND闪存市场可能因此出现产能过剩时期。 这种产能过剩的情况不仅是由于三星在3D NAND闪存方面的巨额支出，而且也是由于竞争对手(例如SK海力士，美光，东芝，英特尔等公司)的大力投入所致。 在某种程度上讲，三星的竞争对手只能提高产能，不然只能坐吃山空。

　　IC Insights认为，三星半导体的资本开支预计将会扼杀中国储存器厂商的发展，因为一定程度上，他们在打击自主发展的中国厂商与存储器巨头同场竞技的资格。那么，中国储存器厂商何去何从，这将是迫在眉睫需要仔细思考的问题。