迟来的英特尔10nm工艺 凭啥说比台积电/三星强？

　　英特尔在北京举办“精尖制造日”活动，本次活动可谓云集了英特尔制程、制造方面最权威的专家团，闭关修炼的英特尔终于秀出了它的10nm工艺。并笑称：“老虎不发威，你当我是病猫?”

　　这个让英特尔憋了许久的一招“绝技”到底有多牛叉?我们先回顾一下此次活动，英特尔给外界透露了哪些消息。

　　首先英特尔的执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith表示，摩尔定律不会失效，且英特尔正在沿着该定律勤勤恳恳的向前推进着。不过，节点在进化的途中面临着时间越来越长的困境。这个难题怎么破解呢?

　　此时英特尔秀了一下“超微缩技术”，表示该技术让英特尔能够加速推进密度的提升，借助节点内优化，产品功能每年都可实现增强。具体优势可以见下图：

　　超微缩技术的使用，英特尔的14nm制程工艺更加优秀。虽然同为14nm，英特尔的芯片密度更高，性能更强。其它的10nm制程工艺，仅相当于英特尔14nm工艺制程的芯片密度。

　　Stacy Smith认为英特尔在14nm制程工艺上保持着大约三年的领先性。

　　(这句话咋这么耳熟呢?毕竟我们不止一次听到英特尔自夸自己的制程工艺比友商领先。这些友商又是谁呢?英特尔在活动上说：拥有领先逻辑晶圆厂的公司数量已经越来越少，众多公司已经被淘汰出局。目前在14-16nm节点只剩4家(英特尔、三星、台积电、格芯)，且仅有2家(英特尔、三星)有一体化的器件生产能力。)

　　随后，英特尔秀了一下业务实力，2016年全球晶圆代工收入为530亿美元，其中高端技术(28/20/16/14nm)代工收入2016年达到230亿美元。英特尔将致力22/14/10nm工艺节点的晶圆代工，发力高端市场。

　　最后，大戏登场——10nm 晶圆。

　　英特尔高级院士、技术与制造事业部制程架构与集成总监Mark Bohr负责介绍了相关细节。

　　一开始就表示，英特尔是首家做到22nm FinFET的公司，比竞争友商至少领先三年。

　　Mark Bohr说，14nm到10nm所花费的时间超过两年，但密度提升非常可观。晶体管密度每两年提高约一倍，10nm每平方毫米晶体管数量超过1亿个，而14nm每平方毫米晶体管数量只有不到4000万个。

　　Mark Bohr介绍了14nm超微缩相对于22nm超微缩的领先性，同时也介绍了10nm相对于14nm超微缩的技术差异。他说，22nm到14nm再到10nm，第三代FinFET晶体管有了极大的突破。10nm鳍片的高度较14nm提高25%，间距缩小25%，超强的微缩能力和全新特性将晶体管密度提升了2.7倍。

　　最后的最后，我们显然会看到与手机发布会一样的友商对比图。如下：

　　迟到英特尔为啥还这么自信?

　　虽说英特尔在会上表示自己是首家做到22nm FinFET的公司，且比友商技术至少领先三年。但好汉不提当年勇，22nm之后的江湖却又是另一场血雨腥风。

　　2014年英特尔推出了14nm工艺，之后仅一年不到的时间，三星也推出了自家的14nm工艺，随后台积电也推出了其16nm工艺。2015年下半年发布的苹果iPhone 6s所搭载的A9处理器就分别采用了三星的14nm工艺和台积电的16nm工艺。去年年底，三星和台积电又相继推出了自己的10nm工艺，这也比英特尔的10nm工艺早了将近一年的时间。

　　这就相当尴尬了……

　　曾经的江湖工艺排行第一把交椅的英特尔就这么凉了?显然，它不会坐以待毙。