三星、SK Hynix大幅缩减芯片投资 内存不降价了？

　　内存及闪存的降价还没到底，由于厂商产能扩大，竞争加剧，此前分析称内存/闪存价格今年下半年还会继续降，内存甚至可能大降40%。但是消费者满心希望降价，厂商可撑不住了，两大主力厂商三星、SK Hynix今年都会大幅削减资本支出，放缓产能提升脚步。

　　据韩国媒体报道，加拿大皇家银行RBC高级分析师Amit Daryanani本周一发表分析报告，预测2016年全球存储芯片资本支出额为502亿美元，比上一年减少4%。看起来变动不多，但三星一家就减少了40亿美元的支出，同比下降了31%。

　　三星是DRAM厂商中工艺最先进的，前不久宣布率先量产18nm工艺DRAM芯片，而目前的产能有70%都已经升级到20nm工艺节点，但这也意味着三星不会大规模投资产能建设了，内存领域的资本支出将减少26亿美元。

　　闪存方面同样如此，三星数年前在中国西安投资70亿美元建设3D NAND闪存工厂，去年底该工厂已经开始规模量产第三代V-NAND闪存了，随着工厂进入全功能运营阶段，三星在NAND领域的投资也将下降到10亿美元。

　　另一家韩国公司SK Hynix同样也会削减资本投资，预计今年会减少6万亿韩元。分析师称SK Hynix正在为升级20nm DRAM芯片产能投资，但在3D NAND领域进行重点投资的可能不大，他们的产能ASP平均售价及技术面临挑战。

　　三星、SK Hynix放缓存储芯片投资跟营收表现息息相关，预计今年Q1季度的财报中双方都会披露新的投资计划。分析师称宏观经济压力导致了半导体产业下降，进而抑制了资本支出。厂商们的运营利润下降速度历史性地超过了营收下降速度。

　　SK Hynix预计Q1季度的运营利润只有5000亿韩元，去年同期还有1.58万亿韩元。三星日子也没好到哪里去，去年Q1季度运营利润是2.93万亿韩元，今年Q1季度降到了2.6万亿韩元。此外，三星存储芯片之外还可以依赖处理器芯片弥补部门法损失，而SK Hynix主要的营收都是来自DRAM及NAND存储芯片，情况比三星更糟。