三星开始量产10nm级DRAM，采用ArF液浸四重曝光

　　韩国三星电子2016年4月5日宣布，开始量产采用10nm级工艺制造的首款DRAM芯片。新产品为DDR4型8Mbit产品。

　　此次发布的DDR4型DRAM芯片采用10nm级(1x)工艺制造。三星面向此次的芯片，新开发了自主设计的新存储单元结构、四重曝光(Quadruple Patterning Technology)技术、采用极薄绝缘膜形成技术制作的厚度均匀的存储电容等。由此，无需使用EUV装置，可利用现有的液浸ArF装置量产。三星还预定将此次的技术用于下一代10nm(1y)工艺的开发。

　　新款DRAM芯片支持3200Mbps的速度，较现有20nm级DDR4型芯片的2400Mbps提高了30%，而耗电量削减了10～20%。三星预定在不久的将来开发采用此次的10nm级工艺的移动DRAM。

　　该公司还将采用以此次的8Gbit产品为首的10nm级DDR4型DRAM芯片生产存储器模块(内存条)。将面向笔记本电脑推出4GB的模块，面向企业服务器推出128GB的模块。之前采用20nm级DRAM的DDR4型DRAM内存将在2016年内陆续换成10nm级产品。