三星18纳米DRAM投产　海力士、美光面临更大压力

　　三星电子(Samsung Electronics)开始量产18纳米DRAM，成本将可比目前的20纳米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等业者的DRAM制程都还停留在20纳米以上世代，三星电子未来在DRAM市场上，势必将更具价格竞争力。

　　根据韩媒ETnews报导，存储器半导体的价格越来越低，越快将成本压到比下滑的市场价格更低的话，才有利润能剩下，若降低成本的速度太慢，就会产生赤字。以目前看来，2016年美光最需担忧的就是赤字问题，因为美光没能成功地转换微细制程。而三星电子能比竞争对手创造出更多利润的原因，就是因为拥有成本竞争力的关系。

　　DRAM的价格走势预计将持续下滑的走势。根据市调业者DRAM eXchange的数据显示，主要的DRAM(DDR3 4Gb 1333/1666MHz)价格从2014年11月为起点开始持续下滑。PC出货量减少，智能型手机的出货成长速度也变迟缓，所以预估DRAM价格的下滑趋势将会继续维持。专家预测，当DRAM的主力产品价格掉到1美元以下的时候，除了三星电子之外，其他业者都会有赤字发生。

　　业界相关人士表示，由于三星电子进入了18纳米DRAM的量产，所以在成本竞争力上大幅超越其他竞争业者，因此即使价格继续下滑到最糟的状况，三星电子还是可以有利润剩下。

　　SK海力士正在研发18纳米DRAM，如果成功的话，预计2017年就可以进入量产。目前SK海力士正致力于提高20纳米前段的DRAM生产比重。

　　专家认为，美光虽然宣称已进入20纳米前段的DRAM量产，但是从芯片的尺寸来看，应该还停留在25纳米左右的制程，所以可能会有赤字发生的忧虑。

　　DRAM的制程还能细微到什么程度也是众所注目的焦点。业界认为，15纳米的水准应该会是极限。南韩半导体产业协会本部长李敏荣(音译)表示，如果到了制程的极限，到时候就没有能甩开大陆等后起业者的武器。为了要让制程可以朝向更微细发展，必须要持续研发与未来元件有关的核心技术。

　　三星电子半导体事业负责人金奇南表示，半导体技术是没有极限的，只是需要一点时间来寻找解决的方法而已。