英特尔CTO：14纳米芯片将在1至2年内量产

　　北京时间12月5消息，据台湾《电子时报》报道，英特尔首席技术官(CTO)贾斯廷·拉特纳(Justin Rattner)12月4日表示，英特尔的14纳米芯片技术开发正在按计划实施，将在1、2年内开始批量生产。18英寸晶圆的开发正在通过与合作伙伴合作进行。

　　拉特纳还指出，英特尔积极地推动技术进步将使摩尔定律再延长10年。

　　在2013年年底，英特尔将进入14纳米处理器(14纳米工艺代码名称为P1272)和系统芯片(P1273)时代。同时，英特尔将扩大在美国俄勒冈州的D1X Fab加工厂和亚利桑那州的第42加工厂的投资，并且扩大在爱尔兰的第24加工厂的投资。从2015年开始，英特尔将逐步进入10纳米、7纳米和5纳米工艺时代。

　　至于英特尔的竞争对手，三星已经确定在2013年开始应用20纳米工艺，并且已经在研制14纳米节点。台积电的20纳米工艺将在2013年下半年开始小批量生产，首先开始生产基于3D的FPGA(现场可编程门阵列)芯片。

　　Globalfoundries以前宣布其14纳米FinFET(鳍式场效晶体管)工艺将在2013年年底开始试生产并且在2014年开始大批量生产。

　　至于18英寸晶圆，英特尔已经向荷兰的ASML公司的EUV技术进行了投资。相关的技术将在2017年开始投产。