三星、海力士扩大NAND Flash投资

　　由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。

　　据韩国电子新闻报导，三星和海力士2011年NAND Flash位元成长率(Bit Growth)各评估为80%以上及100%以上。三星和海力士2011年DRAM位元成长率各为60%以上及40%中段，因而相对增加快闪存储器出货量比重。

　　三星将会先在京畿道华城的存储器芯片新工厂16产在线生产NAND Flash。该厂将于2011年下半首次投入量产。

　　三星若决定将16产线挪用为生产NAND Flash用途，三星将有华城12产线、器兴14产线、美国奥斯汀厂等共4座NAND Flash厂。三星4月29日发布第1季财报时曾表示，有可能以存储器芯片为中心，扩大2011年投资额。三星若增加对存储器芯片投资，增加投资的金额可能大部分将运用在NAND Flash上。

　　海力士2011年投资额为3.4兆韩元，大部分将使用在位于忠清北道清州M11 NAND Flash厂。海力士4月28日法说会中表示，M11工厂2011年第1季末每月产量10万片，NAND Flash产量较当初计划的成长速度还快。

　　海力士原先计划年底前将M11厂的产量提升至每月10万片，海力士在第1季即已达到年度目标。海力士2011年下半将根据市场情况，将M11工厂最大产量提升至每月12万片。

　　韩国业界表示，主要需求NAND Flash的智能型手机和平板计算机市场2011年大展鸿图，以NAND Flash为基础的计算机储存装置固态硬盘(SSD)市场也将于2011年展开，目前市场环境已逐渐成形，即使NAND Flash产量增加，市场也能吸收。