美光获得巨额补贴！
加入技术交流群
4月25日消息，美国政府近日宣布，根据双方签订的不具约束力的初步备忘录，美国政府将根据《芯片与科学法案》向美光提供至多 61.4 亿美元直接补贴。
这笔补贴将支持美光到 2030 年在美国投资 500 亿美元（当前约 3630 亿元人民币），在纽约州克莱建设两座先进 DRAM 内存“超级晶圆厂，并在总部所在地爱达荷州博伊西建设一座先进 DRAM 内存大规模量产工厂。美光博伊西晶圆厂将于 2025 年上线投运，2026 年启动 DRAM 生产；美光在克莱的首座晶圆厂 2025 年开始建设，2028 年上线。500 亿是美光更长期 1250 亿美元投资的一部分：美光目标在纽约州克莱投资共计 1000 亿美元，到 2041 年建成四座这样的“超级晶圆厂”；博伊西项目则价值 250 亿美元。计划中的每座晶圆厂的洁净室面积都将达到 600000 平方英尺（约 55740 平方米）。美光预计，前三家晶圆厂的投运将推动美国在全球先进内存制造领域的份额从现在的不到 2% 成长至 2035 年的约 10%。未来的二十多年中，美光的这五家晶圆厂将创造 11000 个企业内部工作岗位、9000 个建筑工作岗位和 55000 个间接工作岗位。根据备忘录，美光还可获得至高 75 亿美元的贷款；美光也有资格获得美国财政部的投资税收抵免；此外纽约州政府也将提供价值 55 亿美元的激励措施。
这笔补贴将支持美光到 2030 年在美国投资 500 亿美元（当前约 3630 亿元人民币），在纽约州克莱建设两座先进 DRAM 内存“超级晶圆厂，并在总部所在地爱达荷州博伊西建设一座先进 DRAM 内存大规模量产工厂。美光博伊西晶圆厂将于 2025 年上线投运，2026 年启动 DRAM 生产；美光在克莱的首座晶圆厂 2025 年开始建设，2028 年上线。500 亿是美光更长期 1250 亿美元投资的一部分：美光目标在纽约州克莱投资共计 1000 亿美元，到 2041 年建成四座这样的“超级晶圆厂”；博伊西项目则价值 250 亿美元。计划中的每座晶圆厂的洁净室面积都将达到 600000 平方英尺（约 55740 平方米）。美光预计，前三家晶圆厂的投运将推动美国在全球先进内存制造领域的份额从现在的不到 2% 成长至 2035 年的约 10%。未来的二十多年中，美光的这五家晶圆厂将创造 11000 个企业内部工作岗位、9000 个建筑工作岗位和 55000 个间接工作岗位。根据备忘录，美光还可获得至高 75 亿美元的贷款；美光也有资格获得美国财政部的投资税收抵免；此外纽约州政府也将提供价值 55 亿美元的激励措施。来源：国芯网
*博客内容为网友个人发布，仅代表博主个人观点，如有侵权请联系工作人员删除。
关键词：
美光
相关推荐
美光新加坡厂：重型电力基础设施成AI芯片扩建新瓶颈
美光推出首款4GB DDR2 RDIMM存储器样片
应用材料与美光、SK海力士合作
美光与Synopsys合作研发DLEP技术，加速汽车和AI行业创新
应用材料携手美光 加速HBM、闪存及DRAM技术研发
美光预测：L4 自动驾驶汽车将需超 300GB 内存
存储芯片厂商2026营收预计达5510亿美元 为芯片代工商两倍
CMOS Lens Selection – from Mic...
美光大力进军NAND闪存市场，目标直指三强
美光推出全球首款高容量 256GB LPDRAM SOCAMM2，为数据中心基础架构树立新标杆
第二季度Hynix超过美光，DRAM市场排名老二
英特尔美光合资企业生产NAND芯片
HBM4竞争格局生变
美光宣布 HBM4、SOCAMM2 内存模块及 PCIe 第六代固态硬盘实现大规模量产
英伟达RTX 50系列显卡引入美光GDDR7显存
美光的1-Gbit DDR2 DRAM开始出货