Ultra C SiC技术资讯-电子产品世界网

英飞凌加入 NVIDIA MGX™ AI Factory 生态系统，携手推动下一代 AI 服务器机架供电架构

全球功率系统与物联网半导体龙头企业英飞凌科技股份公司（德交所代码：IFX / 场外交易代码：IFNNY）正式宣布加入英伟达（NVIDIA）MGX AI工厂生态体系，助力下一代AI数据中心完成供电架构迭代升级。英飞凌全套电...

英飞凌英伟达MGX 2026-06-01

东芝推出面向工业设备、最高工作温度达125°C的四通道高速标准数字隔离器

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出面向工业设备的DCL54xx01A系列四通道高速标准数字隔离器，扩展数字隔离器产品线。该系列共10款新产品，采用SOIC16–W封装，最高工作温度可达125°C。即...

数字隔离器东芝 2026-05-28

让驱动状态可视可控，纳芯微发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动NSI6602Ux

纳芯微推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602Ux系列，该系列基于明星产品NSI6602全面升级，驱动侧电压提升至32V，相比上一代产品具备更强的抗冲击能力与系统适配能力。此外，NSI6602Ux集成输入/输出侧电源状态...

隔离半桥驱动芯片 NSI6602Ux 2026-05-28

东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率

中国上海，2026年5月21日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时...

东芝 1200V 2026-05-22

罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向...

罗姆 SiC 2026-05-22

BOE（京东方）OLED技术赋能联想YOGA Air 14 Ultra 定义超轻薄AI PC新标杆

2026年5月19日，联想推出搭载BOE（京东方）OLED显示技术的全新联想旗舰笔记本-YOGA Air 14 Ultra轻薄AI PC，这是双方在高端笔记本显示领域深度合作的又一里程碑成果。依托双方23年深度战略合作与...

BOE 京东方 2026-05-21

SiC叙事主线迎来新篇章 10KV只是新战场起点

过去十年里，碳化硅（SiC）功率器件的叙事主线几乎始终围绕新能源汽车展开。从650V、1200V到1700V，SiC MOSFET最重要的技术价值是替代传统硅基IGBT，提高逆变效率、降低散热压力并缩小系统体积。随着新能...

SiC 10KV 2026-05-19

超快充、数据中心成碳化硅SiC下一轮增长引擎

电动汽车超快充、数据中心电力基础设施，将成为碳化硅（Si）的下一轮增长引擎。安森美（onsemi）高级技术营销总监 Mrinal Das 在今年 “化合物半导体国际大会” 上，用一句话概括了 SiC 的下一波重大机遇：可...

碳化硅 SiC 2026-05-15

SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

01、SiC MOSFET的体二极管及其关键特性无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示：图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ M...

英飞凌 SiC MOSFET 2026-04-30

英特尔AI Box Ultra燃动出发！英特尔携手奇瑞汽车、均联智行，驶入AI智能体随行新时代

当座舱不再只是驾驶空间，而是化身为心有灵犀、懂你所想的智能伙伴时，全新的出行变革已然悄然启幕。依托全新酷睿Ultra平台的强大端侧AI算力，英特尔AI Box Ultra解决方案充分释放端侧AI智能体的潜能，将AI能力深...

英特尔 AI Box Ultra 2026-04-27

车展热闹背后，汽车电子竞争正在往底层走

北京车展不只是新车和功能竞争。智驾芯片、智控平台、800V 高压系统、隔离驱动、传感器、方案整合和交付能力，正在成为整车体验能否做稳的关键。...

汽车电子北京车展 2026-04-25

1200V 碳化硅半桥模块问世，为 IGBT 方案提供简易升级路径

SemiQ 推出面向数据中心制冷与工业驱动的半桥系列产品，集成 1mΩ 导通电阻 SiC MOSFET 与并联碳化硅二极管，实现高功率转换效率。来源：Anattawut | Dreamstime.comSemiQ 公司开...

SiC AI数据中心 2026-04-23

SiC MOSFET的并联设计要点

SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制,常见的单管额定电流多在几十到两百安培,而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景,往往需要千安级的电流输出,单管无法满足。因此,SiC MOSF...

英飞凌 SiC MOSFET 2026-04-22

沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

对于我国的电力电子界来说,固态变压器(SST)并非是一个全新的话题,在轨道交通、电网合环运行、大型超充站项目里都有过试点实践。受限于高成本、功率器件参数选择少、高频变压器散热瓶颈,SST曾经的商业化之路面对的挑战大于机遇...

英飞凌沟槽栅 2026-04-22

碳化硅赋能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已...

安森美碳化硅 2026-04-22

Vishay推出适用于GaN和SiC开关应用EMI滤波的新型航天级共模扼流圈

美国宾夕法尼亚 MALVERN、中国上海 — 2026年4月15日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款新型航天级表面贴装共模扼流圈-...

Vishay GaN 2026-04-16

SiC MOSFET 短路行为解析与英飞凌保护方案探讨

在设计常见的DCDC或DCAC等电路时，我们经常遇到需要桥臂直通保护的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受时间，足以应付大部分短路工况。然而，对于SiC MOSFET器件来说，问题变得复杂了。因为在相同的电流等级...

英飞凌 SiC 2026-04-09

英飞凌第二代SiC MOSFET性能解析及设计要点

在新能源革命与工业数字化的浪潮中，功率半导体作为核心“能量管家”，直接决定着电力转换系统的效率、密度与可靠性。英飞凌作为全球功率器件的领军者，凭借其深耕碳化硅（SiC）领域的技术积淀，推出了CoolSiC™ MOSFET...

英飞凌 SiC 2026-04-09

第三代半导体的战略意义：SiC和GaN如何突破硅基芯片的战场局限

很多人想不明白为何美国以军事用途为由列举出海量的半导体禁运名单中，其中绝大部分并不是最先进的处理器，而是很多看似工艺并不先进的模拟类芯片。半导体作为现代信息技术的基石，其技术迭代直接推动国防装备的性能跃升。从第一代硅（S...

第三代半导体 SiC 2026-03-31

Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200V SiC MOSFET功率模块提升功率效率

2026年3月17日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-S...

Vishay SOT-227 2026-03-17

拆解：三星 Galaxy S25 Ultra

三星 Galaxy S25 Ultra 智能手机搭载高通骁龙 8 至尊版处理器，搭配美光与三星内存。在全球智能手机市场中，三星是最大厂商之一。与苹果相似，三星覆盖全球各大市场，并且每年或每半年推出一代旗舰新机。三星 S2...

三星 Galaxy S25 Ultra 2026-03-16

为800V应用选择合适的半导体技术

随着AI数据中心向更高功率密度和更高效能源分配演进，高压中间母线转换器（HV IBC）正逐渐成为下一代云计算供电架构中的关键器件。本文针对横向GaN HEMT、碳化硅MOSFET及SiC Cascode JFET（CJF...

800V 半导体技术 2026-03-06

ROHM发布搭载新型SiC模块的三相逆变器参考设计

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，在官网发布了搭载EcoSiC™品牌SiC塑封型模块“HSDIP20”、“DOT-247”、“TRCDRIVE pack™”的三相逆变器电路参考设计“REF680...

ROHM SiC 2026-03-06

ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售！

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，其新型SiC模块“TRCDRIVE pack™”、“HSDIP20”及“DOT-247”已开始网售。近年来，全球电力紧缺危机加剧，节能的重要性日益凸显，这促使更...

ROHM SiC塑封型模块 2026-02-26

化合物半导体衬底市场年复合增长率达 14%

2031 年，化合物半导体衬底与开放式外延片市场规模合计预计将接近 52 亿美元，年复合增长率约为 14%。汽车电动化推动碳化硅（SiC）衬底市场发展，射频领域仍由砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）主导，磷化铟（InP...

化合物半导体衬底 2026-02-25

英飞凌推出带光耦仿真输入的隔离式栅极驱动IC，加速SiC方案设计

英飞凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在简化从传统基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率级的迁移。据官方新闻稿介绍，新型 EiceDRIVER™ 1ED...

英飞凌 IC 2026-02-10

iQOO 15 Ultra搭载第五代骁龙8至尊版打造性能Ultra

2月4日，iQOO面向追求极致体验的硬核玩家正式发布全新电竞旗舰iQOO 15 Ultra。作为行业首款以性能Ultra为核心定位的高端旗舰，iQOO 15 Ultra搭载第五代骁龙8至尊版移动平台，深度融合骁龙芯片技术...

iQOO 15 Ultra 骁龙8至尊版 2026-02-05

SiC为电动汽车的高压逆变器功率模块

汽车零部件供应商舍弗勒已启动新款高压逆变器功率模块的量产工作。该模块采用罗姆的碳化硅功率场效应晶体管裸片，是双方战略合作的重要成果。这款逆变器组件也被称为功率模块（brick），是电动汽车牵引逆变器的核心功率单元，其功能...

SiC 电动汽车 2026-01-27

英特尔即将推出的Core Ultra 9移动CPU在新基准测试中表现优于大多数桌面处理器——Core Ultra 9 290HX Plus在单线程性能上几乎与旗舰Core Ultra 9 285K相当

Core Ultra 9 290HX Plus实力强劲。虽然Panther Lake是英特尔CES 2026展会的焦点，但公司也将很快为台式机和笔记本更新其现世代Arrow Lake系列。我们已经在几次泄露中见过这些“P...

英特尔 Core Ultra 9 2026-01-20

功率电路进阶教程：SiC JFET 如何实现热插拔控制

本教程聚焦SiC JFET 在固态断路器中的应用，核心内容包括三大板块，阐释 SiC JFET 的关键特性、系统说明 SiC JFET 如何推动电路保护系统取得重大进步、通过评估和测试结果展示产品性能。我们已介绍过...

安森美功率电路 2026-01-19

功率电路进阶教程：固态断路器采用SiC JFET的四个理由

本教程聚焦SiC JFET 在固态断路器中的应用，核心内容包括三大板块，阐释 SiC JFET 的关键特性、系统说明 SiC JFET 如何推动电路保护系统取得重大进步、通过评估和测试结果展示产品性能。我们已介绍过浪涌电...

安森美功率电路 2026-01-19

聚焦固态断路器核心：安森美SiC JFET特性深度解读

输配电系统与各类灵敏用电设备的安全运行，离不开对长时间过载与瞬态短路故障的妥善防护。这些风险若未及时管控，轻则导致设备损坏，重则引发系统瘫痪。随着电力系统电压等级持续提升、电动汽车高压化趋势加剧，电路中可能出现的最大故障...

安森美固态断路器 2026-01-19

Melexis硅基RC缓冲器获利普思选用，携手开启汽车与工业能源管理技术新征程

全球微电子工程公司Melexis近日宣布，其创新的MLX91299硅基RC缓冲器已被全球先进的功率半导体模块制造商利普思（Leapers）选用，将其集成于新一代功率模块中。此次合作标志着双方在技术创新与系统优化上的深度融...

Melexis 迈来芯 2026-01-13

三星与英特尔共同开发了适用于Panther Lake OLED笔记本的“SmartPower HDR”，可实现高达22%的省电——动态电压控制降低功耗而不牺牲面板亮度

三星显示和英特尔共同开发了一项名为“SmartPower HDR”的新OLED笔记本技术，顾名思义。与传统支持HDR的显示器不同，传统显示面板保持固定高电压以应对亮度峰值，SmartPower HDR会动态调整面板功率，...

三星英特尔 2026-01-09

英特尔18A来了！第三代酷睿Ultra发布：性能暴涨，笔电续航以天计算

1月6日消息，英特尔周一在拉斯维加斯CES展会上正式发布了代号为“Panther Lake”的第三代酷睿Ultra处理器（Intel Core Ultra Series 3）。作为首款基于英特尔最先进Intel 18A制...

英特尔 18A 2026-01-06

SiC市场发展周期修正

Power SiC市场持续转型。继2019年至2024年间前所未有的投资浪潮后，Yole Group表示，行业现正进入调整周期。汽车市场放缓导致硅碳需求下降，硅碳供应链发生了转变。利用率下降、产能过剩和投资减...

SiC yole 2025-12-23

英特尔即将推出的Core Ultra X9 388H在1T性能上比Ryzen AI Max+ 395快8.7%——Panther Lake在早期Geekbench泄露中显著提升了Strix Halo

英特尔在发布首款18A处理器时并未详细讨论Panther Lake的性能，但该系列中可能的旗舰SKU——Core Ultra X9 388H——刚刚在Geekbench上亮相，评分相当出色。它们不仅超越了英特尔的旧芯片，...

英特尔 Core Ultra X9 388H 2025-12-10

硅质原材料价格上涨，而6英寸基材则引发价格战

截至2025年11月，碳化硅（SiC）市场正处于价值重新评估和结构分歧的关键阶段。在价格方面，低端散装硅碳材料因成本失控而价格上涨，而主流6英寸硅碳基材在供应过剩下持续暴跌。然而，在应用方面，SiC卓越的导热率使其成为英...

硅质原材料 6英寸 2025-11-26

Tachyum推出2nm Prodigy，其AI机架性能比Nvidia Rubin Ultra 高 21 倍

Tachyum® 今天公布了其 2nm Prodigy® 通用处理器的详细信息和规格，该处理器将使 AI 模型的参数比任何现有解决方案的参数大许多数量级，而成本仅为其一小部分。Prodigy Ultimate 提供的 ...

Tachyum 2nm 2025-11-13

三星Galaxy S26 Ultra 型号可能会坚持使用高通

三星正在推进 Exynos 的回归，旨在减少对高通芯片的依赖。据 Chosun Biz 援引消息人士的话说，三星电子计划在基本型号和 Plus 型号中使用 Exynos 2600，而 Ultra 型号...

三星 Galaxy S26 Ultra 2025-11-11