SiC MOSFET技术资讯-电子产品世界网

ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售！

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，其新型SiC模块“TRCDRIVE pack™”、“HSDIP20”及“DOT-247”已开始网售。近年来，全球电力紧缺危机加剧，节能的重要性日益凸显，这促使更...

ROHM SiC塑封型模块 2026-02-26

化合物半导体衬底市场年复合增长率达 14%

2031 年，化合物半导体衬底与开放式外延片市场规模合计预计将接近 52 亿美元，年复合增长率约为 14%。汽车电动化推动碳化硅（SiC）衬底市场发展，射频领域仍由砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）主导，磷化铟（InP...

化合物半导体衬底 2026-02-25

英飞凌CoolSiC碳化硅MOSFET获丰田bZ4X车型采用

英飞凌宣布，其碳化硅功率半导体器件被丰田新款纯电动车型 bZ4X 选用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 将应用于该车的车载充电器（OBC）与直流 - 直流转换器（DC/DC）中。对于欧洲电子工程新闻网的读者而...

英飞凌 CoolSiC 2026-02-11

英飞凌推出带光耦仿真输入的隔离式栅极驱动IC，加速SiC方案设计

英飞凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在简化从传统基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率级的迁移。据官方新闻稿介绍，新型 EiceDRIVER™ 1ED...

英飞凌 IC 2026-02-10

安森美T2PAK封装：破局热管理瓶颈重构高功率生态

在电动汽车、光伏储能、AI数据中心等领域迎来功率需求爆发式增长的当下，热管理已成为制约电源产品功率密度与效率提升的核心瓶颈。传统封装方案往往在散热性能与开关特性之间难以兼顾，行业迫切需要兼具创新结构与卓越性能的解决方案。...

202601 MOSFET 2026-02-03

栅极氧化层在SiC MOSFET设计中的重要作用

碳化硅功率半导体在光伏、充电、电动汽车等行业得到了广泛应用，其潜力毋庸置疑。然而，从当前高功率碳化硅MOSFET来看，仍存在一个难题：即如何实现平衡性能、鲁棒性、可靠性和易用性的设计。比导通电阻是衡量SiC MOSFET...

英飞凌 MOSFET 2026-01-27

碳化硅何以英飞凌？—— SiC MOSFET性能评价的真相

在碳化硅（SiC）技术的应用中，许多工程师对SiC的性能评价存在误解，尤其是关于“单位面积导通电阻（Rsp）”和“高温漂移”的问题。作为“碳化硅何以英飞凌”的系列文章，本文将继续为您揭开这些误区的真相（误区一见：碳化硅何...

英飞凌碳化硅 2026-01-27

SiC为电动汽车的高压逆变器功率模块

汽车零部件供应商舍弗勒已启动新款高压逆变器功率模块的量产工作。该模块采用罗姆的碳化硅功率场效应晶体管裸片，是双方战略合作的重要成果。这款逆变器组件也被称为功率模块（brick），是电动汽车牵引逆变器的核心功率单元，其功能...

SiC 电动汽车 2026-01-27

功率电路进阶教程：SiC JFET 如何实现热插拔控制

本教程聚焦SiC JFET 在固态断路器中的应用，核心内容包括三大板块，阐释 SiC JFET 的关键特性、系统说明 SiC JFET 如何推动电路保护系统取得重大进步、通过评估和测试结果展示产品性能。我们已介绍过...

安森美功率电路 2026-01-19

功率电路进阶教程：固态断路器采用SiC JFET的四个理由

本教程聚焦SiC JFET 在固态断路器中的应用，核心内容包括三大板块，阐释 SiC JFET 的关键特性、系统说明 SiC JFET 如何推动电路保护系统取得重大进步、通过评估和测试结果展示产品性能。我们已介绍过浪涌电...

安森美功率电路 2026-01-19

聚焦固态断路器核心：安森美SiC JFET特性深度解读

输配电系统与各类灵敏用电设备的安全运行，离不开对长时间过载与瞬态短路故障的妥善防护。这些风险若未及时管控，轻则导致设备损坏，重则引发系统瘫痪。随着电力系统电压等级持续提升、电动汽车高压化趋势加剧，电路中可能出现的最大故障...

安森美固态断路器 2026-01-19

Melexis硅基RC缓冲器获利普思选用，携手开启汽车与工业能源管理技术新征程

全球微电子工程公司Melexis近日宣布，其创新的MLX91299硅基RC缓冲器已被全球先进的功率半导体模块制造商利普思（Leapers）选用，将其集成于新一代功率模块中。此次合作标志着双方在技术创新与系统优化上的深度融...

Melexis 迈来芯 2026-01-13

onsemi 与 FORVIA HELLA 在汽车动力 MOSFET 领域进一步展开合作

Onsemi与FORVIA HELLA延续了长期的战略合作，正式签署了一项专注于下一代汽车动力MOSFET技术的新长期协议。该交易重点在于将Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET应用于FORVIA H...

Onsemi FORVIA HELLA 2026-01-04

英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC MOSFET 650V G2，实现更高的功率密度

简介CoolSiC MOSFET G2 沟槽式 MOSFET 发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程中的效率。将 SiC 性能提升到一个新水平，同时满足所有常见电源方案组合的最高质量标准： AC-DC、...

英飞凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 2025-12-29

英飞凌OptiMOS 6 80V MOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准

简介英飞凌OptiMOS™ 6 80 V——最新的功率MOSFET技术，通过广泛的产品组合设定了新的行业基准性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、双面散热PQFN 5x6 以及源极向下 PQFN 3.3x...

英飞凌 OptiMOS 6 2025-12-24

MOSFET失效分析

MOSFET 是芯片的基本单元，MOSFET是为了实现数字电路中0和1的开关，他有三个电极，源极、栅极和漏极，简化模型如下图...

MOSFET 雪崩失效 2025-12-24

SiC市场发展周期修正

Power SiC市场持续转型。继2019年至2024年间前所未有的投资浪潮后，Yole Group表示，行业现正进入调整周期。汽车市场放缓导致硅碳需求下降，硅碳供应链发生了转变。利用率下降、产能过剩和投资减...

SiC yole 2025-12-23

ROHM车载40V/60V MOSFET产品阵容中新增高可靠性小型新封装产品

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压（40V/60V）MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封装产...

ROHM MOSFET 2025-12-18

Boost电路的工作过程

Boost电源电路是一种DC-DC升压电路，能够将低电压升高到较高电压。其基本原理是利用电感储能和电容储能的方式，通过开关管的开关控制，将输入电压进行短时间内的变化，从而使输出电压得到升压。通过调整开关管的开关频率和占空...

Boost电路工作过程 2025-12-09

全硅RC缓冲器，用于碳化硅MOSFET

Melexis正在制造全硅RC缓冲器，用于集成在碳化硅动力模块中。目前正在向潜在客户采样，所有零件将是新零件编号“MLX91299”的变体，并以裸芯片形式交付，准备与电源模块内的MOSFET和二极管芯片进行顶部线连接。反...

全硅 RC 缓冲器碳化硅 MOSFET 2025-12-01

硅质原材料价格上涨，而6英寸基材则引发价格战

截至2025年11月，碳化硅（SiC）市场正处于价值重新评估和结构分歧的关键阶段。在价格方面，低端散装硅碳材料因成本失控而价格上涨，而主流6英寸硅碳基材在供应过剩下持续暴跌。然而，在应用方面，SiC卓越的导热率使其成为英...

硅质原材料 6英寸 2025-11-26

iDEAL Semiconductor以SuperQ™ MOSFET为高压电池设定新安全标准

iDEAL Semiconductor, 是高效能功率硅的领导者，今天宣布推出其 SuperQ™ MOSFET 技术，专门设计用来解决高压（72V 及更高）电池管理系统（BMS）中关键的安全与效率权衡问题。此新平台为 ...

iDEAL MOSFET 2025-11-21

内阻很小的MOS管为什么会发热？

Source、Drain、Gate分别对应场效应管的三极：源极S、漏极D、栅极G（里这不讲栅极GOX击穿，只针对漏极电压击穿）。一、MOSFET的击穿有哪几种？先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫...

MOS管 MOSFET 2025-11-19

PCIM2025论文摘要 | 400V SiC MOSFET助力服务器和人工智能电源实现更高的效率和功率密度

内容摘要400V SiC MOSFET技术可以实现更低的开关损耗和导通损耗。简要介绍了该器件的概念和特性。在用于服务器应用的电源(PSU)中对其优势进行了研究，该电源在176V-265V交流输入和50V输出电压下可提供3...

英飞凌 MOSFET 2025-11-14

安森美已完成获得奥拉半导体Vcore电源技术授权

安森美(onsemi) 宣布已与奥拉半导体（Aura Semiconductor）完成Vcore电源技术及相关知识产权（IP）的授权交易。此项战略交易增强了安森美的电源管理产品组合与路线图，加速实现公司在人工智能（AI）...

安森美奥拉 2025-11-05

英飞凌扩展其CoolSiC™产品系列，推出专为高功率与计算密集型应用而设计的400V和440V MOSFET

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司通过增加顶部散热（TSC）的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三...

英飞凌 CoolSiC 2025-10-26

英飞凌推出针对工业与消费类应用优化的OptiMOS™ 7功率MOSFET

各行业高功耗应用的快速增长对功率电子技术提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在这方面发挥着关键作用，而针对应用优化的设计思路为进一步提升已高度成熟的MOSFET技术带来了新的可能性。通过...

英飞凌 MOSFET 2025-10-23

英飞凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列

电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景，正推动市场对更高系统级功率密度与效率的需求，以满足日益提升的性能预期。同时，这些需求也带来了新的设计挑战，例如，如何在严苛环境条件下实现可靠...

英飞凌 MOSFET 2025-10-20

体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，已开始量产TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品（TO-263-7L）...

ROHM SiC MOSFET 2025-10-17

英飞凌与罗姆携手推进SiC功率器件封装兼容性，为客户带来更高灵活度

● 英飞凌与罗姆签署谅解备忘录，约定互为采用特定碳化硅（SiC）半导体产品的客户提供第二供应商支持● 未来，客户可在英飞凌与罗姆各自的对应产品间轻松切换，从而提升设计与采购的灵活性● 此类产品能提高汽车车载充...

英飞凌罗姆 2025-09-26

罗姆与英飞凌携手推进SiC功率器件封装兼容性

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）近日宣布，与英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比贝格，以下简称“英飞凌”）就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及A...

罗姆英飞凌 2025-09-25

175℃极限突破！SiC JFET 让固态断路器（SSCB）无惧高温工况

断路器是一种用于保护电路免受过流、过载及短路损害的装置。它不用于保护人员免受电击，而用于防范此类电击的装置被称为剩余电流装置（RCD）或接地故障断路器（GFCI）。该装置可检测泄漏电流并切断电路。机电式断路器的设计可...

安森美 SiC 2025-09-24

SiC推动电动汽车向800V架构转型，细数安森美的核心SiC方案

随着电动汽车(EV)逐渐成为主流，人们对电动汽车的性能、充电时间和续航里程的期望持续攀升。要满足这些需求，不仅需要在用户界面层面进行创新，更要深入动力系统架构展开革新。而推动这一演进的关键趋势之一，便是电池系统从400V...

安森美 SiC 2025-09-24

韩国在釜山启动首个8英寸碳化硅工厂，年产量预计达3万片晶圆

碳化硅（SiC）在耐高温、耐电压和电力效率方面优于传统硅，全球领导者如英飞凌和 Wolfspeed 正在争先。现在，韩国也加大了力度——Maeil 商业报纸报道，釜山已开启了韩国首个 8 英寸碳化硅功率半导体工厂。据报道...

碳化硅 MOSFET 2025-09-18

SiC和GaN技术重塑电力电子行业前景

电力电子行业将进入增长的最后阶段，预计到 2025 年评估市场价值将达到 517.3 亿美元，到 2030 年将达到 674.2 亿美元。5.4% 的稳定复合年增长率源于对能源效率、可再生能源集成和半导体先进技术的需求稳...

SiC GaN 2025-09-15

iDEAL推出具有行业领先性价比的200 V SuperQ™ MOSFET系列

iDEAL半导体近日宣布，其200 V SuperQ™ MOSFET系列中的首款产品已进入量产阶段，另外四款200 V器件现已提供样品。SuperQ是硅MOSFET技术在超过25年来的首次重大进步，突破了长期存在的开关...

iDEAL MOSFET 2025-09-05

英飞凌OptiMOS™ 6产品组合新增TOLL、TOLG和TOLT封装的150V MOSFET

随着全球汽车行业电气化进程的加速，市场对高效、紧凑且可靠的功率系统的需求持续增长——不仅乘用车领域如此，电动两轮车领域亦是如此。这些车辆需要特殊的系统支持，例如xEV上的高压-低压DC/DC转换器和电动两轮车上的牵引逆变...

英飞凌 MOSFET 2025-09-05

iDEAL 半导体宣布推出基于 SuperQ™的 200V MOSFET 系列，具有行业领先的成本×性能

iDEAL 半导体宣布其首批基于 SuperQ™的 200V MOSFET 已进入量产阶段，另外还有四个 200V 器件正在进行样品测试。SuperQ 是过去 25 年来硅 MOSFET 技术的第一个重大进步，突破了长期...

MOSFET 选型MOS 2025-09-04

东芝推出采用TOLL封装的第3代650V SiC MOSFET

中国上海，2025年8月28日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备...

东芝 SiC MOSFET 2025-08-28

东芝与天岳先进达成SiC功率半导体衬底合作协议

据“天岳先进”官方微信公众号消息，8月22日，东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝电子元件”）与山东天岳先进科技股份有限公司（以下简称“天岳先进”）就SiC功率半导体用衬底达成基本合作协议。双方将在技术协作与商...

东芝天岳先进 2025-08-26