SiC MOSFET技术资讯-电子产品世界网

电力电子的未来：2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新

引言电力电子领域正在飞速发展，MOSFET 晶体管始终处于创新前沿。随着 2026 年临近，这类器件在消费电子、工业系统等众多应用中变得愈发不可或缺。2026 年全球半导体产业规模预计达到 5952 亿美元，正反映出这一...

电力电子 MOSFET 2026-04-16

IGBT与MOSFET：数据对比选型以助力优化电子设计

引言在飞速发展的电子设计领域，选用合适的元器件对优化性能、效率与可靠性至关重要。** 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）与金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）** 是工程师在电力电子应用中经常选用...

IGBT MOSFET 2026-04-16

IRF540 功率MOSFET实际应用：案例研究与深度解析

本文面向工程师与采购人员的专业指南，涵盖 IRF540 功率 MOSFET 的实际应用、案例研究与深度解析，包含技术规格、应用场景及采购建议。引言在不断发展的电子技术领域中，IRF540 功率 MOSFET 凭借其通用性...

IRF540 MOSFET 2026-04-16

Vishay推出适用于GaN和SiC开关应用EMI滤波的新型航天级共模扼流圈

美国宾夕法尼亚 MALVERN、中国上海 — 2026年4月15日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款新型航天级表面贴装共模扼流圈-...

Vishay GaN 2026-04-16

SiC MOSFET 短路行为解析与英飞凌保护方案探讨

在设计常见的DCDC或DCAC等电路时，我们经常遇到需要桥臂直通保护的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受时间，足以应付大部分短路工况。然而，对于SiC MOSFET器件来说，问题变得复杂了。因为在相同的电流等级...

英飞凌 SiC 2026-04-09

英飞凌第二代SiC MOSFET性能解析及设计要点

在新能源革命与工业数字化的浪潮中，功率半导体作为核心“能量管家”，直接决定着电力转换系统的效率、密度与可靠性。英飞凌作为全球功率器件的领军者，凭借其深耕碳化硅（SiC）领域的技术积淀，推出了CoolSiC™ MOSFET...

英飞凌 SiC 2026-04-09

选用合适的MOSFET：下一项目的核心选型要点

引言在飞速发展的电子领域中，选择合适的 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）对项目成功至关重要。据预测，到 2026 年半导体行业规模将达到 5952 亿美元，对高效、可靠 MOSFET 的需求持续增...

MOSFET 电源管理 2026-04-09

Diodes推出行业领先的100V PowerDI®8080-5封装MOSFET

Diodes 公司（Nasdaq：DIOD）推出行业领先的超低RDS（ON）100V MOSFET，扩充其PowerDI8080-5 汽车级*N沟道MOSFET产品组合。与新型40V至80V MOSFET一同推出，所有8...

Diodes PowerDI 2026-04-03

第三代半导体的战略意义：SiC和GaN如何突破硅基芯片的战场局限

很多人想不明白为何美国以军事用途为由列举出海量的半导体禁运名单中，其中绝大部分并不是最先进的处理器，而是很多看似工艺并不先进的模拟类芯片。半导体作为现代信息技术的基石，其技术迭代直接推动国防装备的性能跃升。从第一代硅（S...

第三代半导体 SiC 2026-03-31

麦米电气采用英飞凌CoolMOS™ 8 MOSFET驱动其新一代AI服务器

【2026年3月25日, 中国上海讯】中国人工智能服务器电源供应商深圳麦格米特电气股份有限公司（以下简称：麦米电气）宣布，将在其5.5 kW人工智能（AI）服务器电源中采用由全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科...

麦米电气英飞凌 2026-03-25

Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200V SiC MOSFET功率模块提升功率效率

2026年3月17日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-S...

Vishay SOT-227 2026-03-17

为800V应用选择合适的半导体技术

随着AI数据中心向更高功率密度和更高效能源分配演进，高压中间母线转换器（HV IBC）正逐渐成为下一代云计算供电架构中的关键器件。本文针对横向GaN HEMT、碳化硅MOSFET及SiC Cascode JFET（CJF...

800V 半导体技术 2026-03-06

ROHM发布搭载新型SiC模块的三相逆变器参考设计

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，在官网发布了搭载EcoSiC™品牌SiC塑封型模块“HSDIP20”、“DOT-247”、“TRCDRIVE pack™”的三相逆变器电路参考设计“REF680...

ROHM SiC 2026-03-06

英飞凌XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ 碳化硅MOSFET

为顺应可再生能源领域中1500V直流母线应用日益增长的趋势，英飞凌推出XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ MOSFET产品扩充。该系列产品电流规格丰富，最高可达2000A，并提供4kV或6kV的隔离电压等级，非...

英飞凌再生能源 2026-03-03

CoolSiC™ MOSFET M1H共源配置62mm模块

英飞凌推出1200V和2000V CoolSiC™ MOSFET 62mm半桥模块，结合M1H芯片技术，推出共源配置版本产品型号：■ FF1MR12KM1H■ FF3MR12KM1H■ F...

英飞凌 CoolSiC 2026-03-03

ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售！

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，其新型SiC模块“TRCDRIVE pack™”、“HSDIP20”及“DOT-247”已开始网售。近年来，全球电力紧缺危机加剧，节能的重要性日益凸显，这促使更...

ROHM SiC塑封型模块 2026-02-26

化合物半导体衬底市场年复合增长率达 14%

2031 年，化合物半导体衬底与开放式外延片市场规模合计预计将接近 52 亿美元，年复合增长率约为 14%。汽车电动化推动碳化硅（SiC）衬底市场发展，射频领域仍由砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）主导，磷化铟（InP...

化合物半导体衬底 2026-02-25

英飞凌CoolSiC碳化硅MOSFET获丰田bZ4X车型采用

英飞凌宣布，其碳化硅功率半导体器件被丰田新款纯电动车型 bZ4X 选用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 将应用于该车的车载充电器（OBC）与直流 - 直流转换器（DC/DC）中。对于欧洲电子工程新闻网的读者而...

英飞凌 CoolSiC 2026-02-11

英飞凌推出带光耦仿真输入的隔离式栅极驱动IC，加速SiC方案设计

英飞凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在简化从传统基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率级的迁移。据官方新闻稿介绍，新型 EiceDRIVER™ 1ED...

英飞凌 IC 2026-02-10

安森美T2PAK封装：破局热管理瓶颈重构高功率生态

在电动汽车、光伏储能、AI数据中心等领域迎来功率需求爆发式增长的当下，热管理已成为制约电源产品功率密度与效率提升的核心瓶颈。传统封装方案往往在散热性能与开关特性之间难以兼顾，行业迫切需要兼具创新结构与卓越性能的解决方案。...

202601 MOSFET 2026-02-03

栅极氧化层在SiC MOSFET设计中的重要作用

碳化硅功率半导体在光伏、充电、电动汽车等行业得到了广泛应用，其潜力毋庸置疑。然而，从当前高功率碳化硅MOSFET来看，仍存在一个难题：即如何实现平衡性能、鲁棒性、可靠性和易用性的设计。比导通电阻是衡量SiC MOSFET...

英飞凌 MOSFET 2026-01-27

碳化硅何以英飞凌？—— SiC MOSFET性能评价的真相

在碳化硅（SiC）技术的应用中，许多工程师对SiC的性能评价存在误解，尤其是关于“单位面积导通电阻（Rsp）”和“高温漂移”的问题。作为“碳化硅何以英飞凌”的系列文章，本文将继续为您揭开这些误区的真相（误区一见：碳化硅何...

英飞凌碳化硅 2026-01-27

SiC为电动汽车的高压逆变器功率模块

汽车零部件供应商舍弗勒已启动新款高压逆变器功率模块的量产工作。该模块采用罗姆的碳化硅功率场效应晶体管裸片，是双方战略合作的重要成果。这款逆变器组件也被称为功率模块（brick），是电动汽车牵引逆变器的核心功率单元，其功能...

SiC 电动汽车 2026-01-27

功率电路进阶教程：SiC JFET 如何实现热插拔控制

本教程聚焦SiC JFET 在固态断路器中的应用，核心内容包括三大板块，阐释 SiC JFET 的关键特性、系统说明 SiC JFET 如何推动电路保护系统取得重大进步、通过评估和测试结果展示产品性能。我们已介绍过...

安森美功率电路 2026-01-19

功率电路进阶教程：固态断路器采用SiC JFET的四个理由

本教程聚焦SiC JFET 在固态断路器中的应用，核心内容包括三大板块，阐释 SiC JFET 的关键特性、系统说明 SiC JFET 如何推动电路保护系统取得重大进步、通过评估和测试结果展示产品性能。我们已介绍过浪涌电...

安森美功率电路 2026-01-19

聚焦固态断路器核心：安森美SiC JFET特性深度解读

输配电系统与各类灵敏用电设备的安全运行，离不开对长时间过载与瞬态短路故障的妥善防护。这些风险若未及时管控，轻则导致设备损坏，重则引发系统瘫痪。随着电力系统电压等级持续提升、电动汽车高压化趋势加剧，电路中可能出现的最大故障...

安森美固态断路器 2026-01-19

Melexis硅基RC缓冲器获利普思选用，携手开启汽车与工业能源管理技术新征程

全球微电子工程公司Melexis近日宣布，其创新的MLX91299硅基RC缓冲器已被全球先进的功率半导体模块制造商利普思（Leapers）选用，将其集成于新一代功率模块中。此次合作标志着双方在技术创新与系统优化上的深度融...

Melexis 迈来芯 2026-01-13

onsemi 与 FORVIA HELLA 在汽车动力 MOSFET 领域进一步展开合作

Onsemi与FORVIA HELLA延续了长期的战略合作，正式签署了一项专注于下一代汽车动力MOSFET技术的新长期协议。该交易重点在于将Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET应用于FORVIA H...

Onsemi FORVIA HELLA 2026-01-04

英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC MOSFET 650V G2，实现更高的功率密度

简介CoolSiC MOSFET G2 沟槽式 MOSFET 发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程中的效率。将 SiC 性能提升到一个新水平，同时满足所有常见电源方案组合的最高质量标准： AC-DC、...

英飞凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 2025-12-29

英飞凌OptiMOS 6 80V MOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准

简介英飞凌OptiMOS™ 6 80 V——最新的功率MOSFET技术，通过广泛的产品组合设定了新的行业基准性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、双面散热PQFN 5x6 以及源极向下 PQFN 3.3x...

英飞凌 OptiMOS 6 2025-12-24

MOSFET失效分析

MOSFET 是芯片的基本单元，MOSFET是为了实现数字电路中0和1的开关，他有三个电极，源极、栅极和漏极，简化模型如下图...

MOSFET 雪崩失效 2025-12-24

SiC市场发展周期修正

Power SiC市场持续转型。继2019年至2024年间前所未有的投资浪潮后，Yole Group表示，行业现正进入调整周期。汽车市场放缓导致硅碳需求下降，硅碳供应链发生了转变。利用率下降、产能过剩和投资减...

SiC yole 2025-12-23

ROHM车载40V/60V MOSFET产品阵容中新增高可靠性小型新封装产品

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压（40V/60V）MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封装产...

ROHM MOSFET 2025-12-18

Boost电路的工作过程

Boost电源电路是一种DC-DC升压电路，能够将低电压升高到较高电压。其基本原理是利用电感储能和电容储能的方式，通过开关管的开关控制，将输入电压进行短时间内的变化，从而使输出电压得到升压。通过调整开关管的开关频率和占空...

Boost电路工作过程 2025-12-09

全硅RC缓冲器，用于碳化硅MOSFET

Melexis正在制造全硅RC缓冲器，用于集成在碳化硅动力模块中。目前正在向潜在客户采样，所有零件将是新零件编号“MLX91299”的变体，并以裸芯片形式交付，准备与电源模块内的MOSFET和二极管芯片进行顶部线连接。反...

全硅 RC 缓冲器碳化硅 MOSFET 2025-12-01

硅质原材料价格上涨，而6英寸基材则引发价格战

截至2025年11月，碳化硅（SiC）市场正处于价值重新评估和结构分歧的关键阶段。在价格方面，低端散装硅碳材料因成本失控而价格上涨，而主流6英寸硅碳基材在供应过剩下持续暴跌。然而，在应用方面，SiC卓越的导热率使其成为英...

硅质原材料 6英寸 2025-11-26

iDEAL Semiconductor以SuperQ™ MOSFET为高压电池设定新安全标准

iDEAL Semiconductor, 是高效能功率硅的领导者，今天宣布推出其 SuperQ™ MOSFET 技术，专门设计用来解决高压（72V 及更高）电池管理系统（BMS）中关键的安全与效率权衡问题。此新平台为 ...

iDEAL MOSFET 2025-11-21

内阻很小的MOS管为什么会发热？

Source、Drain、Gate分别对应场效应管的三极：源极S、漏极D、栅极G（里这不讲栅极GOX击穿，只针对漏极电压击穿）。一、MOSFET的击穿有哪几种？先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫...

MOS管 MOSFET 2025-11-19

PCIM2025论文摘要 | 400V SiC MOSFET助力服务器和人工智能电源实现更高的效率和功率密度

内容摘要400V SiC MOSFET技术可以实现更低的开关损耗和导通损耗。简要介绍了该器件的概念和特性。在用于服务器应用的电源(PSU)中对其优势进行了研究，该电源在176V-265V交流输入和50V输出电压下可提供3...

英飞凌 MOSFET 2025-11-14

安森美已完成获得奥拉半导体Vcore电源技术授权

安森美(onsemi) 宣布已与奥拉半导体（Aura Semiconductor）完成Vcore电源技术及相关知识产权（IP）的授权交易。此项战略交易增强了安森美的电源管理产品组合与路线图，加速实现公司在人工智能（AI）...

安森美奥拉 2025-11-05