SiC MOSFET资讯-电子产品世界网

Melexis硅基RC缓冲器获利普思选用，携手开启汽车与工业能源管理技术新征程

全球微电子工程公司Melexis近日宣布，其创新的MLX91299硅基RC缓冲器已被全球先进的功率半导体模块制造商利普思（Leapers）选用，将其集成于新一代功率模块中。此次合作标志着双方在技术创新与系统优化上的深度融...

Melexis 迈来芯 2026-01-13

onsemi 与 FORVIA HELLA 在汽车动力 MOSFET 领域进一步展开合作

Onsemi与FORVIA HELLA延续了长期的战略合作，正式签署了一项专注于下一代汽车动力MOSFET技术的新长期协议。该交易重点在于将Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET应用于FORVIA H...

Onsemi FORVIA HELLA 2026-01-04

英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC MOSFET 650V G2，实现更高的功率密度

简介CoolSiC MOSFET G2 沟槽式 MOSFET 发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程中的效率。将 SiC 性能提升到一个新水平，同时满足所有常见电源方案组合的最高质量标准： AC-DC、...

英飞凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 2025-12-29

英飞凌OptiMOS 6 80V MOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准

简介英飞凌OptiMOS™ 6 80 V——最新的功率MOSFET技术，通过广泛的产品组合设定了新的行业基准性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、双面散热PQFN 5x6 以及源极向下 PQFN 3.3x...

英飞凌 OptiMOS 6 2025-12-24

MOSFET失效分析

MOSFET 是芯片的基本单元，MOSFET是为了实现数字电路中0和1的开关，他有三个电极，源极、栅极和漏极，简化模型如下图...

MOSFET 雪崩失效 2025-12-24

SiC市场发展周期修正

Power SiC市场持续转型。继2019年至2024年间前所未有的投资浪潮后，Yole Group表示，行业现正进入调整周期。汽车市场放缓导致硅碳需求下降，硅碳供应链发生了转变。利用率下降、产能过剩和投资减...

SiC yole 2025-12-23

ROHM车载40V/60V MOSFET产品阵容中新增高可靠性小型新封装产品

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压（40V/60V）MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封装产...

ROHM MOSFET 2025-12-18

Boost电路的工作过程

Boost电源电路是一种DC-DC升压电路，能够将低电压升高到较高电压。其基本原理是利用电感储能和电容储能的方式，通过开关管的开关控制，将输入电压进行短时间内的变化，从而使输出电压得到升压。通过调整开关管的开关频率和占空...

Boost电路工作过程 2025-12-09

全硅RC缓冲器，用于碳化硅MOSFET

Melexis正在制造全硅RC缓冲器，用于集成在碳化硅动力模块中。目前正在向潜在客户采样，所有零件将是新零件编号“MLX91299”的变体，并以裸芯片形式交付，准备与电源模块内的MOSFET和二极管芯片进行顶部线连接。反...

全硅 RC 缓冲器碳化硅 MOSFET 2025-12-01

硅质原材料价格上涨，而6英寸基材则引发价格战

截至2025年11月，碳化硅（SiC）市场正处于价值重新评估和结构分歧的关键阶段。在价格方面，低端散装硅碳材料因成本失控而价格上涨，而主流6英寸硅碳基材在供应过剩下持续暴跌。然而，在应用方面，SiC卓越的导热率使其成为英...

硅质原材料 6英寸 2025-11-26

iDEAL Semiconductor以SuperQ™ MOSFET为高压电池设定新安全标准

iDEAL Semiconductor, 是高效能功率硅的领导者，今天宣布推出其 SuperQ™ MOSFET 技术，专门设计用来解决高压（72V 及更高）电池管理系统（BMS）中关键的安全与效率权衡问题。此新平台为 ...

iDEAL MOSFET 2025-11-21

内阻很小的MOS管为什么会发热？

Source、Drain、Gate分别对应场效应管的三极：源极S、漏极D、栅极G（里这不讲栅极GOX击穿，只针对漏极电压击穿）。一、MOSFET的击穿有哪几种？先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫...

MOS管 MOSFET 2025-11-19

PCIM2025论文摘要 | 400V SiC MOSFET助力服务器和人工智能电源实现更高的效率和功率密度

内容摘要400V SiC MOSFET技术可以实现更低的开关损耗和导通损耗。简要介绍了该器件的概念和特性。在用于服务器应用的电源(PSU)中对其优势进行了研究，该电源在176V-265V交流输入和50V输出电压下可提供3...

英飞凌 MOSFET 2025-11-14

安森美已完成获得奥拉半导体Vcore电源技术授权

安森美(onsemi) 宣布已与奥拉半导体（Aura Semiconductor）完成Vcore电源技术及相关知识产权（IP）的授权交易。此项战略交易增强了安森美的电源管理产品组合与路线图，加速实现公司在人工智能（AI）...

安森美奥拉 2025-11-05

英飞凌扩展其CoolSiC™产品系列，推出专为高功率与计算密集型应用而设计的400V和440V MOSFET

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司通过增加顶部散热（TSC）的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三...

英飞凌 CoolSiC 2025-10-26

英飞凌推出针对工业与消费类应用优化的OptiMOS™ 7功率MOSFET

各行业高功耗应用的快速增长对功率电子技术提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在这方面发挥着关键作用，而针对应用优化的设计思路为进一步提升已高度成熟的MOSFET技术带来了新的可能性。通过...

英飞凌 MOSFET 2025-10-23

英飞凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列

电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景，正推动市场对更高系统级功率密度与效率的需求，以满足日益提升的性能预期。同时，这些需求也带来了新的设计挑战，例如，如何在严苛环境条件下实现可靠...

英飞凌 MOSFET 2025-10-20

体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，已开始量产TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品（TO-263-7L）...

ROHM SiC MOSFET 2025-10-17

英飞凌与罗姆携手推进SiC功率器件封装兼容性，为客户带来更高灵活度

● 英飞凌与罗姆签署谅解备忘录，约定互为采用特定碳化硅（SiC）半导体产品的客户提供第二供应商支持● 未来，客户可在英飞凌与罗姆各自的对应产品间轻松切换，从而提升设计与采购的灵活性● 此类产品能提高汽车车载充...

英飞凌罗姆 2025-09-26

罗姆与英飞凌携手推进SiC功率器件封装兼容性

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）近日宣布，与英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比贝格，以下简称“英飞凌”）就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及A...

罗姆英飞凌 2025-09-25

175℃极限突破！SiC JFET 让固态断路器（SSCB）无惧高温工况

断路器是一种用于保护电路免受过流、过载及短路损害的装置。它不用于保护人员免受电击，而用于防范此类电击的装置被称为剩余电流装置（RCD）或接地故障断路器（GFCI）。该装置可检测泄漏电流并切断电路。机电式断路器的设计可...

安森美 SiC 2025-09-24

SiC推动电动汽车向800V架构转型，细数安森美的核心SiC方案

随着电动汽车(EV)逐渐成为主流，人们对电动汽车的性能、充电时间和续航里程的期望持续攀升。要满足这些需求，不仅需要在用户界面层面进行创新，更要深入动力系统架构展开革新。而推动这一演进的关键趋势之一，便是电池系统从400V...

安森美 SiC 2025-09-24

韩国在釜山启动首个8英寸碳化硅工厂，年产量预计达3万片晶圆

碳化硅（SiC）在耐高温、耐电压和电力效率方面优于传统硅，全球领导者如英飞凌和 Wolfspeed 正在争先。现在，韩国也加大了力度——Maeil 商业报纸报道，釜山已开启了韩国首个 8 英寸碳化硅功率半导体工厂。据报道...

碳化硅 MOSFET 2025-09-18

SiC和GaN技术重塑电力电子行业前景

电力电子行业将进入增长的最后阶段，预计到 2025 年评估市场价值将达到 517.3 亿美元，到 2030 年将达到 674.2 亿美元。5.4% 的稳定复合年增长率源于对能源效率、可再生能源集成和半导体先进技术的需求稳...

SiC GaN 2025-09-15

iDEAL推出具有行业领先性价比的200 V SuperQ™ MOSFET系列

iDEAL半导体近日宣布，其200 V SuperQ™ MOSFET系列中的首款产品已进入量产阶段，另外四款200 V器件现已提供样品。SuperQ是硅MOSFET技术在超过25年来的首次重大进步，突破了长期存在的开关...

iDEAL MOSFET 2025-09-05

英飞凌OptiMOS™ 6产品组合新增TOLL、TOLG和TOLT封装的150V MOSFET

随着全球汽车行业电气化进程的加速，市场对高效、紧凑且可靠的功率系统的需求持续增长——不仅乘用车领域如此，电动两轮车领域亦是如此。这些车辆需要特殊的系统支持，例如xEV上的高压-低压DC/DC转换器和电动两轮车上的牵引逆变...

英飞凌 MOSFET 2025-09-05

iDEAL 半导体宣布推出基于 SuperQ™的 200V MOSFET 系列，具有行业领先的成本×性能

iDEAL 半导体宣布其首批基于 SuperQ™的 200V MOSFET 已进入量产阶段，另外还有四个 200V 器件正在进行样品测试。SuperQ 是过去 25 年来硅 MOSFET 技术的第一个重大进步，突破了长期...

MOSFET 选型MOS 2025-09-04

东芝推出采用TOLL封装的第3代650V SiC MOSFET

中国上海，2025年8月28日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备...

东芝 SiC MOSFET 2025-08-28

东芝与天岳先进达成SiC功率半导体衬底合作协议

据“天岳先进”官方微信公众号消息，8月22日，东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝电子元件”）与山东天岳先进科技股份有限公司（以下简称“天岳先进”）就SiC功率半导体用衬底达成基本合作协议。双方将在技术协作与商...

东芝天岳先进 2025-08-26

SiC MOSFET 界面陷阱检测升级：Force-I QSCV 方法详解

电容-电压 (C-V) 测量广泛用于半导体材料和器件表征，可提取氧化物电荷、界面陷阱、掺杂分布、平带电压等关键参数。传统基于 SMU 施加电压并测量电流的准静态方法适用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因电容更大...

202509 SiC MOSFET 2025-08-22

1200V全垂直硅基氮化镓MOSFET

山东大学和华为技术有限公司在中国使用氟（F）离子注入端接（FIT）在全垂直氮化镓（GaN）硅基硅（Si）沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中实现了1200V击穿性能[Yuchuan 马等人，IEEE Ele...

1200V 全垂直 2025-08-13

英飞凌推出采用Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。这款新型半导体器件能够提供更加出色的热性能、系统效率和功率密度...

英飞凌 CoolSiC 2025-08-05

iDEAL与电力系统专家Richardson Electronics, Ltd.签署SuperQ MOSFET技术合作伙伴协议

继推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此举标志着自 25 多年前超级结技术以来，硅 MOSFET 架构的首次重大进步。宾夕法尼亚州里海谷，2025 年 7 月 31 日 – iDEAL Semiconductor 是...

iDEAL Richardson 2025-08-01

第三代半导体洗牌GaN跃居主角

拓墣产业研究院最新报告指出，第三代半导体产业竞争日益激烈，氮化镓（GaN）功率元件凭借其高频、高功率特性，在5G/6G基地台、航空航天、AI运算等应用领域快速崛起。拓墣预估，2025年全球GaN功率半导体市场规模将达7....

第三代半导体 GaN 2025-07-28

固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

固态继电器（SSR）是各种控制和电源开关应用中的关键组件，涵盖白色家电、供暖、通风和空调（HVAC）设备、工业过程控制、航空航天和医疗系统。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基...

固态隔离器 MOSFET 2025-07-22

Microchip与台达电子签署碳化硅解决方案合作协议，共创电源管理未来

随着人工智能（AI）快速发展与万物电气化进程加速，市场对更高的电源效率与可靠性的需求持续增长。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布与全球电源管理与智能绿色解决方案领导者台达电子工业股...

Microchip 台达 2025-07-21

iDEAL的SuperQ技术正式量产，推出150V与200V MOSFET

iDEAL Semiconductor的SuperQ™技术现已全面量产，首款产品为150V MOSFET。同时，一系列200V MOSFET产品也已进入送样阶段。SuperQ是过去25年来硅基MOSFET设计领域的首次重...

iDEAL MOSFET 2025-07-18

选型必看！MOSFET四大非理想参数详解

几乎所有的书籍资料，在讲解MOSFET的时候，都喜欢先从微观结构去分析MOSFET基于半导体特性的各种结构，然后阐述这些结构导致其参数的成因。但是这种方式对于物理基础较弱的应用型硬件工程师是非常不友好的，导致大家看了大量...

选型指南 MOSFET 2025-07-16

基于onsemi NCP51752隔离式SiC MOSFET闸极驱动器评估板

NCP51752是隔离单通道栅极驱动器系列,源极和吸收峰电流分别为+4.5 A/-9A。它们设计用于快速切换以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。 NCP51752提供短而匹配的传播延...

onsemi NCP51752 2025-07-08

650V GaN器件在高功率应用中对SiC构成挑战

瑞萨电子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平台，该平台具有适用于高功率应用的 650 V、30 毫欧姆氮化镓器件。此次发布代表了该公司在收购 Transphorm 并与其控制器和驱动器 IC 产品线集成后对 ...

650V GaN 2025-07-04