iDEAL Semiconductor以SuperQ™ MOSFET为高压电池设定新安全标准

 iDEAL Semiconductor, 是高效能功率硅的领导者，今天宣布推出其 SuperQ™ MOSFET 技术，专门设计用来解决高压（72V 及更高）电池管理系统（BMS）中关键的安全与效率权衡问题。此新平台为 BMS 放电开关的最重要安全指标——短路耐受能力（SCWC）——设定了业界基准。

电动移动、无人机与专业电动工具中高压电池组的普及带来了高风险挑战：在外部短路事件中防止灾难性故障，此时电流可能激增至数千安培。放电 MOSFET 是唯一负责在这些极端条件下隔离电池组的元件。

“在高能量电池组中，耐受性是不可妥协的。传统 MOSFET 设计被迫在达成超低 RDS(on) 以提高效率，以及承受巨量短路电流所需的结构完整性之间妥协，”iDEAL Semiconductor 设计副总裁 Phil Rutter 博士表示。“SuperQ™ 平台消除了这种妥协。我们的专利细胞结构提供了市场最低的导通电阻，同时具备无可匹敌的安全裕度，让设计师有信心建构更小、更可靠且成本更低的电池系统。”

1.4倍优异的短路耐受电流

iDEAL Semiconductor 的内部测试证明了 SuperQ 的显著性能优势。对 iS15M2R5S1T（150V、2.5mΩ、TOLL 封装）与领先竞争对手的直接比较显示：

SuperQ 元件展现出比其最接近竞争对手高 1.4 倍的短路故障能力。此突破性性能透过专利细胞结构实现，该结构具有更宽的导电区域，在极端压力下最大化功率密度与结构完整性。

更低的系统成本与更高的可靠性

对于电池组设计师而言，此优异的 SCWC 直接转化为系统级优势：

●   元件减少：由于每个 SuperQ 元件可处理显著更高的短路电流，设计师可使用高达 50% 更少的并联 MOSFET 以满足相同的安全要求。

●   成本节省：减少元件数量与复杂度导致物料清单（BOM）总成本大幅降低，并简化电路板布局。

●   效率：维持 2.5mΩ 的超低 RDS(on) 最小化导通损耗，延长电池运行时间并减少热管理需求。

SuperQ产品组合现已上市，提供高达 200V 的元件，为从 72V 到超过 144V 的电池平台提供解决方案。