GAA FET技术资讯-电子产品世界网

GAA晶体管市场规模、份额和趋势预测（2034）

全方位栅极（GAA）晶体管市场规模是多少？2024年全球栅极全环（GAA）晶体管市场规模为6.0005亿美元，预计将从2025年的6.771亿美元增加到2034年的约20.0825亿美元，2025年至2034年复合年...

GAA 晶体管 2025-09-30

瑞萨电子通过下一代功率FET将GaN推向千瓦级

几十年来，硅一直是电力电子领域无可争议的领导者。但随着硅达到其性能极限，氮化镓（GaN）功率器件正在取得进展。凭借更快的开关速度和更高的效率，氮化镓已经在消费类快速充电器中发挥了重大作用，与硅相比，实现了系统级成本、...

瑞萨电子功率 2025-08-06

基于TI GaN FET的10kW单相串式逆变器的设计注意事项

鉴于对能源可持续性和能源安全的担忧，当前对储能系统的需求不断加速增长，尤其是在住宅太阳能装置领域。市面上有一些功率高达 2kW 且带有集成式储能系统的微型逆变器。当系统需要更高功率时，也可以选用连接了储能系统的串式逆变器...

德州仪器 GaN FET 2025-07-12

瑞萨电子推出用于AI数据中心、工业及电源系统的全新GaN FET

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和...

瑞萨电子 AI数据中心 2025-07-08

瑞萨推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型...

瑞萨 GaN FET 2025-07-02

GaN FET支持更高电压的卫星电源

EPC Space 推出了 EPC7030MSH，这是一款 300 V 抗辐射 GaN FET。该解决方案提供高功率电流额定值，为卫星电源和推进应用树立了新的基准。EPC7030MSH随着卫星制造商过渡到更高电压的电源总...

GaN FET 卫星电源 2025-07-01

探索TI GaN FET在类人机器人中的应用

类人机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。类人机器人内空间受限最大...

TI GaN 2025-06-15

GaN FET在人形机器人中的应用

引言人形机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。人形机器人内空间受限...

GaN FET 人形机器人 2025-04-29

台积电推1.4nm 技术：第2代GAA晶体管，全节点优势2028年推出

台积电公布了其 A14（1.4 纳米级）制造技术，它承诺将在其 N2 （2 纳米）工艺中提供显着的性能、功率和晶体管密度优势。在周三举行的 2025 年北美技术研讨会上，该公司透露，新节点将依赖其第二代全环绕栅极（GA...

台积电 1.4nm 2025-04-24

日本半导体巨头Rapidus加速推进2nm工艺预计2027年实现量产

新兴半导体公司 Rapidus 计划在未来几年大幅扩大其 2nm 研发力度，因为它看到了科技巨头的巨大兴趣。Rapidus 的 2nm 工艺采用 BSPDN 和 GAA 技术，使其成为业内独一无二的实现。半导体供应链长期...

日本半导体 Rapidus 2025-04-08

SiC 市场的下一个爆点：共源共栅（cascode）结构详解

安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，SiC JFET cascode应用指南讲解了共源共栅（cascode）结构、关键参数、独特功能和设计支持。...

cascode FET 2025-03-26

Nexperia扩展GaN FET产品组合，现可支持更多低压和高压应用中的功率需求

Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场，包括消费电子、工业...

Nexperia GaN FET 2025-03-19

缓冲反激式转换器

本期，我们将聚焦于缓冲反激式转换器，探讨如何在反激式转换器中缓冲 FET 关断电压为大家提供全新的解决思路！上一期，我们介绍了如何在正向转换器导通时缓冲输出整流器的电压。现在，我们看一下如何在反激式转换器中缓冲 FET ...

FET 反激式转换器 2024-12-10

用Python自动化双脉冲测试

电力电子设备中使用的半导体材料正从硅过渡到宽禁带（WBG）半导体，比如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等半导体在更高功率水平下具有卓越的性能，被广泛应用于汽车和工业领域中。由于工作电压高，SiC技术正被应用于电动汽车动...

202411 宽禁带 2024-10-18

拆解：三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000处理器3nm GAA工艺

三星最新推出的Galaxy Watch 7，继续重新定义可穿戴技术的极限。这款最新型号承袭了其前身产品的成功之处，同时在性能、健康追踪和用户体验方面实现了重大突破。TechInsights在位于渥太华和华沙的实验室收到了...

三星 Galaxy Watch 7 2024-07-19

碳化硅模块在太阳能逆变器中的应用

碳化硅场效应晶体管(SiC FET)接近于理想的开关，具有低损耗、宽带隙技术和易于集成设计等优势。Qorvo的SiC FET技术如今以高效模块化产品的形式呈现;本文探讨了这种产品形态如何使SiC FET成为太阳能逆变器应...

202407 太阳能 2024-07-15

拜登政府恐对中国大陆封锁最强GAA技术

美中贸易战冲突未歇，传出美国将再次出手打击大陆半导体产业，针对最新的环绕闸极场效晶体管（GAA）技术祭出限制措施，限制其获取人工智能（AI）芯片技术的能力，换言之，美国将防堵大陆取得先进芯片，扩大受管制的范围。美国财经...

GAA 台积电 2024-06-13

GaN FET让您实现高性能D类音频放大器

D类音频放大器参考设计(EPC9192)让模块化设计具有高功率和高效，从而可实现全定制、高性能的电路设计。宜普电源转换公司(EPC)宣布近日推出EPC9192参考设计，可实现优越、紧凑型和高效的D类音频放大器，于接地参考...

GaN FET D类音频放大器 2024-04-10

测试共源共栅氮化镓 FET

Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战　　Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计人员发现该器件在实际电路...

氮化镓 FET 2024-04-09

EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET

全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET，与EPC的上...

EPC 1mΩ 2024-03-05

适用于自主驾驶车辆LiDAR的GaN FET快速指南

激光探测及测距 (LiDAR) 的应用包括自主驾驶车辆、无人机、仓库自动化和精准农业。在这些应用中，大多都有人类参与其中，因此人们担心 LiDAR 激光可能会对眼睛造成伤害。为防止此类伤害，汽车 LiDAR 系统必须符合...

自主驾驶 LiDAR 2024-02-27

三星Exynos 2500芯片试产失败：3nm GAA工艺仍存缺陷

最新报道，三星的3nm GAA生产工艺存在问题，原计划搭载于Galaxy S25/S25+手机的Exynos 2500芯片在生产过程中被发现存在严重缺陷，导致良品率直接跌至0%。报道详细指出，由于Exynos 2500芯...

三星 Exynos 2024-02-07

消息称三星 3nm GAA 工艺试产失败，Exynos 2500 芯片被打上问号

2 月 2 日消息，根据韩媒 DealSite+ 报道，三星的 3nm GAA 生产工艺存在问题，尝试生产适用于 Galaxy S25 / S25+ 手机的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 ...

三星 3nm GAA 2024-02-02

Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能

中国北京，2024 年 1 月 30 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 ...

Qorvo SiC FET 2024-01-30

台积电2nm制程进展顺利晶圆厂最快4月进机

台积电在3nm制程工艺于2022年四季度开始量产之后，研发和量产的重点随之转向下一代2nm制程工艺，计划在2025年实现量产。这意味着工厂及相关的设备要做好准备，以确保按计划顺利量产。台积电进入GAA时代的2nm制程进展...

台积电 2nm 2024-01-18

EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管，实现75~231A脉冲电流

宜普电源转换公司（EPC）推出三款激光驱动器电路板，这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的GaN FET以实现具备卓越性能的激光雷达系统。EPC推出三款评估板，分别是EPC9179、EPC9181...

EPC GaN FET 激光二极管 2024-01-18

台积电2纳米惊爆大弱点？三星抢订单

台积电为全球晶圆代工龙头，后头追兵三星与英特尔来势汹汹，但台积电在技术与订单仍保持一定优势，尤其三星至今在3纳米方面，依然无法取得顶尖客户的信任，三星高层也坦言，一旦台积电在2纳米转进GAA技术，三星还是得向台积电看齐学...

台积电 2纳米 2023-12-18

日立高新技术公司部宣布推出其GT2000高精度电子束测量系统

日立高新技术公司宣布推出其GT2000高精度电子束测量系统。GT2000利用日立高新技术在CD-SEM*1方面的技术和专业知识，在那里占有最大的市场份额。GT2000配备了用于尖端3D半导体器件的新型检测系统。它还利用低...

日立高新测试测量 2023-12-13

Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年...

Nexperia SMD 2023-12-11

FET 生物传感器的直流I-V 特性研究

由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点，对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管，它们被广泛用于各种应用：如生物研究，即时诊断，环境应用，以...

泰克科技 FET 2023-11-21

EPC新推100 V GaN FET助力实现更小的电机驱动器,用于电动自行车、机器人和无人机

基于氮化镓器件的EPC9194逆变器参考设计显着提高了电机驱动系统的效率、扭矩而同时使得单位重量功率（比功率）增加了一倍以上。该逆变器非常微型，可集成到电机外壳中，从而实现最低的电磁干扰、最高的密度和最輕的重量。&nbs...

EPC GaN FET 2023-11-08

GAA技术才开始，半导体大厂已着手研发下一代CFET技术

外媒eNewsEurope报道，英特尔和台积电将在国际电子元件会议（IEDM）公布垂直堆叠式（CFET）场效晶体管进展，这有望使CFET成为十年内最可能接替全环绕栅极晶体管（GAA）的下一代先进制程。CFET场效晶体管将...

GAA CFET 2023-10-07

更小、更快、更节能，半导体芯片迎大突破

最先进的电子硬件在大数据革命面前都显得有些“捉襟见肘”，这迫使工程师重新思考微芯片的几乎每一个方面。随着数据集的存储、搜索和分析越来越复杂，这些设备就必须变得更小、更快、更节能，以跟上数据创新的步伐。铁电场效应晶体管（F...

半导体芯片 FE-FET 2023-07-17

三星向外界公布 GAA MBCFET 技术最新进展

三星 Foundry 在 5 月 9 日的以色列半导体展会 ChipEx2023 上公布了旗下 3nm GAA MBCFET 技术的最新进展以及对 SRAM 设计的影响。3纳米GAA MBCFET的优越性GAA指的是晶体...

三星 GAA 2023-06-27

Transphorm推出SuperGaN FET低成本驱动器方案

加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代电力系统的未来, 氮化镓（GaN）功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）发布了一款高性能、低成本的驱动器解...

Transphorm SuperGaN FET 2023-06-16

使用开尔文连接提高 SiC FET 的开关效率

碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件可实现能够保持高功率密度的晶体管，但需要使用低热阻封装，比如 TO-247。然而，此类封装的连接往往会导致较高的电感。阅读本博文，了解如何谨慎使用开尔文连接技术以解决电感问题。这篇博客文章...

Qorvo 开尔文 2023-05-31

EPC新推基于GaN FET的150 ARMS电机驱动器参考设计

基于氮化镓器件的EPC9186逆变器参考设计增强了高功率应用的电机系统性能、精度、扭矩和可实现更长的续航里程。宜普电源转换公司(EPC)新推EPC9186，这是一款采用EPC2302 eGaN®FET的三相BLDC电机驱...

EPC GaN FET 2023-05-11

Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET

奈梅亨，2023年5月10日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级...

Nexperia E-mode GAN FET 2023-05-10

栅极长度缩放超出硅的 FET 对短沟道效应具有鲁棒性

当今行业中发现的大多数 FET 都是由硅制成的，因为它具有出色且可重现的电子特性。根据摩尔定律，硅受到薄通道厚度下迁移率下降的困扰，这为高度缩放的设备保持强静电。过渡金属二硫化物 (TMD) 等二维沟道材料可用于 FET...

栅极 FET 2023-04-10

连接与电源：新Qorvo为行业提供更全面的解决方案

３月下旬，全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® 在京召开了以“连接与电源——新主题、新Qorvo”的媒体活动。通过此次活动，Qorvo旨在向业内介绍Qorvo在自身移动产品和基础设施应用上的射频领导地位进面向...

Qorvo Matter 2023-03-28