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E-mode GAN FET

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  • E-mode GAN FET资讯

第三代半导体的战略意义：SiC和GaN如何突破硅基芯片的战场局限

第三代半导体 SiC 2026-03-31

家用与AI数据中心供电全面升级

AI数据中心 GaN 2026-03-31

三星加速布局第三类半导体，8寸GaN产线预计2026年投产

三星 第三类半导体 2026-03-23

硅基氮化镓（GaN-on-Si）HEMT 在 5G 毫米波频段的优势

硅基氮化镓 GaN-on-Si 2026-03-04

罗姆加强GaN功率器件供应能力

罗姆 GaN 2026-03-02

英飞凌发布《2026年GaN技术展望》：技术创新引领功率半导体领域氮化镓高速增长

英飞凌 GaN 2026-02-11
  • E-mode GAN FET专栏

又一 GaN 企业宣告破产！

GaN 2024-08-04

TI 电源应用研讨会 揭密高效节能新未来

EPR GaN 2023-09-07

40 V耐辐射GaN FET为苛刻的航空航天应用设定新的效能标准

EPC GaN 2023-08-03

Transphorm推出SuperGaN FET的低成本驱动器解决方案

FET GAN 2023-06-28

GAN重出江湖！中国团队抢先开源“复刻版”DragGAN，AI一键实现“大象转身”

GAN 2023-06-07

氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要

GaN 2023-02-20
查看更多>> E-mode GAN FET电路方案

在 1000 V 反激式变压器中驱动高压硅 FET

具有初级电压钳位的氮化镓 (GaN) FET 可显著实现交流适配器的小型化

集成栅极驱动器的 GaN ePower 超快开关

防止误触发的 IGBT/SiC-FET 驱动器设计技巧

TI - 高密度 GaN 优化型 PFC 转换器中解决交流压降恢复问题

具有集成栅极驱动器的 GaN ePower 超快开关

TI - 无辅助绕组 GaN 反激式转换器如何解决交流/直流适配器设计难题

在 DCDC 电源设计中选择带FEI的芯片还是不带的方案？

E-mode GAN FET论坛
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