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　GaN 　　即氮化镓，属第三代半导体材料。。查看更多>>

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英特尔推出全球最薄氮化镓（GaN）芯粒

4 月 9 日，英特尔代工服务（Intel Foundry Services）宣布重大技术突破，成功研发出全球最薄氮化镓（GaN）芯粒。其硅衬底厚度仅19 微米，约为人类头发丝直径的 1/5。该芯粒基于300 毫米（12...

英特尔氮化镓 2026-04-14

意法半导体推出氮化镓高速半桥栅极驱动器

意法半导体（ST）发布两款全新高速半桥栅极驱动器，可将氮化镓（GaN）的高效性、热性能与小型化优势，广泛应用于各类电源及运动控制领域。STDRIVEG212 与 STDRIVEG612 可向增强型氮化镓高电子迁移率晶体管...

STDRIVEG212 STDRIVEG612 2026-04-07

第三代半导体的战略意义：SiC和GaN如何突破硅基芯片的战场局限

很多人想不明白为何美国以军事用途为由列举出海量的半导体禁运名单中，其中绝大部分并不是最先进的处理器，而是很多看似工艺并不先进的模拟类芯片。半导体作为现代信息技术的基石，其技术迭代直接推动国防装备的性能跃升。从第一代硅（S...

第三代半导体 SiC 2026-03-31

家用与AI数据中心供电全面升级

全球各类行业会议正聚焦电源设计面临的功率密度挑战。从得克萨斯州奥斯汀举办的APEC 展会、本周在举办的英飞凌 AI 日，到前不久在圣何塞举办的GTC 大会，半导体厂商纷纷推出新方案，缩小电源系统体积、提升通流能力。一、P...

AI数据中心 GaN 2026-03-31

三星加速布局第三类半导体，8寸GaN产线预计2026年投产

据韩媒Theelec援引业界消息，三星电子（Samsung Electronics）正加速切入第三代半导体市场，其8寸氮化镓（GaN）晶圆代工产线已进入量产前准备阶段，预计最快将于2026年第2季正式投产。这一进展标志着...

三星第三类半导体 2026-03-23

硅基氮化镓（GaN-on-Si）HEMT 在 5G 毫米波频段的优势

法国 SOITEC 公司与新加坡南洋理工大学的研究人员报道，适度微缩的硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-on-Si HEMT）在 30GHz 工作时，功率附加效率（PAE）突破 60%。该器件同时实现了低至 1.1d...

硅基氮化镓 GaN-on-Si 2026-03-04

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08-02 GaN是否可靠？

睡梦中的雄师|浏览：1383|回复：5| suncat0504 2022-08-20 18:39:54

07-09 救世主GaN来了！第1部分：体二极管反向恢复。

TI宣传员|浏览：1189|回复：0| TI宣传员 2022-07-09 11:20:31

07-09 救世主GaN来啦！第二部分：测量

TI宣传员|浏览：1529|回复：3| zhangjsh 2022-07-09 14:42:36

04-12 【转】6吋氮化镓单晶面世！关键技术揭秘

浮沉1988|浏览：2081|回复：5| 船长demons 2022-04-12 23:18:38

02-04 具有集成式驱动器和自我保护功能的GaNFET如何实现下一代工业电源设计

TI宣传员|浏览：3626|回复：26| Fretwell 2022-02-06 15:06:01

09-21 三分钟带你了解GaN在射频功率领域的巨大作用

水方|浏览：3356|回复：3| kutta 2019-09-21 19:29:45

10-15 用于脉冲雷达的GaN MMIC功率放大器的电源管理

谢丫丫|浏览：3424|回复：0| 谢丫丫 2018-10-15 14:39:42

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时间：: +立即下载2026-04-12

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