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SiC FET资讯

SiC MOSFET 短路行为解析与英飞凌保护方案探讨

在设计常见的DCDC或DCAC等电路时，我们经常遇到需要桥臂直通保护的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受时间，足以应付大部分短路工况。然而，对于SiC MOSFET器件来说，问题变得复杂了。因为在相同的电流等级...

英飞凌 SiC 2026-04-09

英飞凌第二代SiC MOSFET性能解析及设计要点

在新能源革命与工业数字化的浪潮中，功率半导体作为核心“能量管家”，直接决定着电力转换系统的效率、密度与可靠性。英飞凌作为全球功率器件的领军者，凭借其深耕碳化硅（SiC）领域的技术积淀，推出了CoolSiC™ MOSFET...

英飞凌 SiC 2026-04-09

第三代半导体的战略意义：SiC和GaN如何突破硅基芯片的战场局限

很多人想不明白为何美国以军事用途为由列举出海量的半导体禁运名单中，其中绝大部分并不是最先进的处理器，而是很多看似工艺并不先进的模拟类芯片。半导体作为现代信息技术的基石，其技术迭代直接推动国防装备的性能跃升。从第一代硅（S...

第三代半导体 SiC 2026-03-31

Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200V SiC MOSFET功率模块提升功率效率

2026年3月17日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-S...

Vishay SOT-227 2026-03-17

为800V应用选择合适的半导体技术

随着AI数据中心向更高功率密度和更高效能源分配演进，高压中间母线转换器（HV IBC）正逐渐成为下一代云计算供电架构中的关键器件。本文针对横向GaN HEMT、碳化硅MOSFET及SiC Cascode JFET（CJF...

800V 半导体技术 2026-03-06

ROHM发布搭载新型SiC模块的三相逆变器参考设计

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，在官网发布了搭载EcoSiC™品牌SiC塑封型模块“HSDIP20”、“DOT-247”、“TRCDRIVE pack™”的三相逆变器电路参考设计“REF680...

ROHM SiC 2026-03-06

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SiC FET资料

SiC FET论坛

07-25 11种封装的国产碳化硅模块及新工艺顶部散热产品介绍应用

Ewyas|浏览：1844|回复：3| Ewyas 2025-08-07 13:58:53

07-25 11种封装的国产碳化硅模块及新工艺顶部散热产品介绍应用

Ewyas|浏览：3491|回复：4| Ewyas 2025-08-07 13:59:06

07-07 碳化硅高速电机控制器设计及效能分析

Ewyas|浏览：953|回复：1| Ewyas 2025-07-24 08:59:12

04-15 麦科信MOIP光隔离探头解决碳化硅（SiC）项目问题

seving|浏览：1182|回复：0| seving 2025-04-15 14:47:21

06-18 六月盲盒，第四关：认识大功率、高性能汽车类SiC牵引逆变器

咔嚓猫爱刺鱼|浏览：13385|回复：94| lihaiyan 2023-06-29 12:25:55

02-09 了解SiC器件的命名规则

睡梦中的雄师|浏览：996|回复：0| 睡梦中的雄师 2023-02-09 09:37:03

10-24 SiC器件之外延层基础知识

睡梦中的雄师|浏览：2024|回复：2| bwcx957 2022-10-24 07:37:21

07-21 一文弄懂SiMOSFET和SiCMOSFET的导通电阻差异特性

睡梦中的雄师|浏览：2052|回复：0| 睡梦中的雄师 2022-07-21 20:25:17

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存储价格上涨正在蔓延至CPU领域

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FRDM_MCXW71_DHT11驱动

时间：: +立即下载2026-04-12

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eg800z-http操作说明

时间：: +立即下载2026-04-12

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时间：: +立即下载2026-04-12

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使用 InnoSwitch3-AQ（1700 V SiC 开关）替换 400 V BEV 系统中的 12 V 电池.pdf

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