3D NAND

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“黄金气体”短缺成为半导体供应链新危机

半导体 芯片 2026-03-26

三星面临大罢工,存储价格或加速上涨

三星 存储 2026-03-19

Q1 DRAM再涨180%,NAND涨150%

DRAM NAND 2026-03-17

英伟达罕见入局内存研发:联手三星共同推进铁电NAND商业化

英伟达 内存 2026-03-13

应用材料与美光、SK海力士合作

应用材料 美光 2026-03-12

多裸片芯片设计中凸点与硅通孔的高效规划方案

多裸片芯片 凸点 2026-03-11

内存价格迈入小时级波动,中小厂商争抢剩余货源艰难求生

内存 DRAM 2026-03-04

NAND闪存供应紧张 群联电子要求客户缩短账期并预付货款

NAND 闪存 2026-03-03

三星终结2D NAND 时代 战略转向锚定 AI 时代高利润赛道

三星 HBM4 2026-03-02

存储芯片价格持续攀升,DRAM和NAND再创新高

存储芯片 DRAM 2026-02-28

存储价格将继续上涨

存储 NAND 2026-02-24

群联预警:2026 NAND闪存短缺将冲击消费电子产业

群联 NAND 2026-02-24

长江存储进入加速期,三期项目计划今年建成投产

长江存储 半导体 2026-02-05

Material公司的电池为每个角落提供电力

Material 3D 打印 2026-02-04

长江存储首个LPDDR5工程品送样 NAND撑起国产

长江存储 LPDDR5 2026-02-03

卷翻内存市场 中国存储厂商加速扩张产能

内存 存储厂商 2026-02-02

240亿美元,美光加码NAND产线

美光 NAND 2026-01-29

240亿美元!美光扩建新加坡NAND晶圆厂

美光科技 NAND 2026-01-29

上调100%!存储市场又一重磅调价信号

存储 NAND 2026-01-27

三星、SK海力士联手减产,NAND闪存或进入新一轮涨价周期

三星 SK海力士 2026-01-22

苹果iPhone 18系列售价曝光:起步维持原价,大容量版本起飞

苹果iPhone 18 原价 2026-01-20

GigaDevice在香港上市:创始人押注中国记忆未来

NAND 香港 2026-01-19

内存现货价格更新:DRAM飙升,卖家压制库存,主流DDR4上涨10%

DDR4 DRAM 2026-01-19

传三星将采用长江存储专利混合键合技术:用于400+层的第10代V-NAND闪存

三星 长江存储 2026-01-19

SK海力士发布了5位NAND,可分割单元,实现20×更快的读取速度

NAND SK海力士 2026-01-19

兆易创新GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash

兆易创新 GD5F1GM9 2025-12-30

Metalens 提升显微 3D 打印精度

3D 打印 超构透镜 2025-12-19

金斯顿警告称,自2025年初以来,NAND价格已飙升246%,预示未来将有更多价格上涨

NAND 存储 2025-12-18

长江存储对美国国防部、商务部发起诉讼

长江存储 3D NAND 2025-12-11

算力巨头入局 EDA、头部晶圆厂押3D IC EDA新范式

算力巨头 EDA 2025-12-10

三星大力推崇96%的NAND设计采用低功耗——研究人员研究基于铁电晶体管的设计

NAND 三星 2025-12-03

三星推崇基于铁电晶体管设计的低功耗NAND

三星 铁电晶体管 2025-12-02

三星据报道将在研发部门调整中发布NAND技术,将削减96%的功耗

NAND 闪存 2025-12-01

IEEE Wintechon 2025 通过数据、多样性与协作驱动印度半导体未来

量子传感器初创公司寻找三维芯片的缺陷

SK海力士探索高带宽存储堆叠 NAND 和 DRAM

SK海力士 高带宽 2025-11-11

HDD交付延迟拉长至2年QLC NAND产能提前被抢购一空

HDD QLC NAND 2025-11-07

3D-IC将如何改变芯片设计

3D-IC 芯片设计 2025-10-10

长江存储全面完成股改,估值已超1600亿元

长江存储 半导体 2025-10-09

第一次深入真正的3D-IC设计

3D-IC设计 2025-09-28
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