3D NAND技术资讯-电子产品世界网

长江存储进入加速期，三期项目计划今年建成投产

近日，长江存储三期项目正在安装巨型洁净厂房设备，项目负责人透露，计划今年建成投产。湖北省委书记王忠林来到长江存储三期项目建设现场三期扩产与未来目标长江存储成立于2016年7月，是我国存储芯片制造领域的龙头企业，主要为市场...

长江存储半导体 2026-02-05

Material公司的电池为每个角落提供电力

动力强劲的 F1 赛车、穿梭飞行的无人机、士兵的单兵背包、智能可穿戴设备，这些产品有着一个共同点：都需要电池供电。理想状态下，电池能精准适配各类不规则的边角、曲面与空隙，但如今的圆柱或方形电池电芯却难以实现这一点。曾参与...

Material 3D 打印 2026-02-04

长江存储首个LPDDR5工程品送样 NAND撑起国产

存储器缺货严峻持续扩大，供应链传出，随着国际存储器原厂快速倾斜至服务器市场，导致消费性、汽车市场等将首当其冲，国内NAND Flash领导大厂长江存储传将被赋予关键的维稳大任，优先支持中国特定产业与应用，确保内需供应链稳...

长江存储 LPDDR5 2026-02-03

卷翻内存市场中国存储厂商加速扩张产能

全球存储器市场爆发缺货潮，NAND闪存大厂长江存储传出以「史无前例」的速度扩张产能，原定于2027年量产的武汉新厂已大幅提前，最快将在今（2026）年下半年正式投产。此举是否对台厂旺宏、南亚科、群联等带来竞争压力，后续...

内存存储厂商 2026-02-02

240亿美元，美光加码NAND产线

美光新加坡工厂预计将于 2028 年下半年投产晶圆。...

美光 NAND 2026-01-29

240亿美元！美光扩建新加坡NAND晶圆厂

随着全球人工智能浪潮推动资料中心硬体需求激增，美国，存储芯片巨头美光科技（Micron Technology）宣布将在新加坡投入高达240亿美元，用于建设一座全新的先进半导体制造工厂，以扩大其NAND Flash的生产能...

美光科技 NAND 2026-01-29

上调100%！存储市场又一重磅调价信号

三星今年第一季度对NAND闪存的供应合约价格已上调超过100%，目前客户已收到通知。据行业知情人士透露，三星去年底已经完成了与主要客户的供应合同谈判，从一月起正式实施新的价格体系。另外，SK海力士也对NAND产品采取了类...

存储 NAND 2026-01-27

三星、SK海力士联手减产，NAND闪存或进入新一轮涨价周期

援引市场研究机构Omdia的最新调研成果披露，合计占全球NAND产能60%以上的两大原厂三星电子和SK海力士，今年将缩减在闪存上的晶圆投片量，这可能会进一步加剧NAND供应的短缺。三星产量从2025年的490万片缩减至4...

三星 SK海力士 2026-01-22

苹果iPhone 18系列售价曝光：起步维持原价，大容量版本起飞

1 月 20 日消息，基于花旗集团、美国银行及摩根大通的分析报告，受 RAM 内存和 NAND 闪存组件成本飙升影响，在 iPhone 18 系列售价方面，苹果虽然会极力维持起步机型的发售价与前代持平，但在高存储容量版本...

苹果iPhone 18 原价 2026-01-20

GigaDevice在香港上市：创始人押注中国记忆未来

中国芯片制造商GigaDevice成立于2005年，自称是全球第二大SPI NOR闪存供应商，于1月13日首次进入香港市场。据EE Times China报道，该公司在IPO中发行了2892万股H股。此次发行价格为每股1...

NAND 香港 2026-01-19

内存现货价格更新：DRAM飙升，卖家压制库存，主流DDR4上涨10%

根据TrendForce最新的记忆现货价格趋势报告，关于DRAM的现货价格持续日复一日上涨，尽管交易依然低迷，供应商和交易员囤积库存，推动主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均价格上涨9.64%。与此同时，在N...

DDR4 DRAM 2026-01-19

传三星将采用长江存储专利混合键合技术：用于400+层的第10代V-NAND闪存

上个月有报道称，长江存储（YMTC）已经开始出货第五代3D TLC NAND闪存，共有294层，以及232个有源层。长江存储已经成功地将密度提高到行业相同的水平，实现了最高的垂直栅密度，也是现阶段商业产品中最高的，使其成...

三星长江存储 2026-01-19

SK海力士发布了5位NAND，可分割单元，实现20×更快的读取速度

存储巨头在NAND容量扩展上谨慎行事，逐步淘汰MLC（多级单元）等老产品，同时加倍投入先进技术。值得一提的是，在2025年12月旧金山IEDM大会上，SK海力士发布了其尖端的5位NAND闪存，声称其读取速度比传统PLC（...

NAND SK海力士 2026-01-19

兆易创新GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash

一、产品概述中国北京（2025年4月15日）—— 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理（BBM）...

兆易创新 GD5F1GM9 2025-12-30

Metalens 提升显微 3D 打印精度

借助使“隐形斗篷”成为可能的光扭曲技术，科学家们开发出一种既能实现微观细节又能实现高通量的新型3D打印技术。研究人员建议，他们的新技术有望实现复杂纳米级结构的大规模生产。潜在应用包括药物递送和核聚变研究。目前，3D打印复...

3D 打印超构透镜 2025-12-19

金斯顿警告称，自2025年初以来，NAND价格已飙升246%，预示未来将有更多价格上涨

在供应紧张引发全球记忆价格飙升的背景下，另一家主要组件制造商警告即将上调价格。Tom's Hardware和TechPowerUp援引Kingston数据中心SSD业务经理Cameron Crandall的言论指...

NAND 存储 2025-12-18

长江存储对美国国防部、商务部发起诉讼

据路透社消息，中国NAND闪存制造商长江存储已就其被列入“实体清单”一事分别向美国国防部、美国商务部发起了诉讼。12月5日，长江存储于美国华盛顿联邦法院对美国防部提起诉讼，要求法官阻止国防部将公司列入所谓“涉军名单”并撤...

长江存储 3D NAND 2025-12-11

算力巨头入局 EDA、头部晶圆厂押3D IC EDA新范式

近日，英伟达宣布入股新思科技，并开启多年深度合作，引发行业广泛关注。作为一家以算力和应用见长的芯片公司，为什么要亲自“下场”绑定一家 EDA 工具商？与之相呼应的是，台积电早已与楷登电子在先进制程与 3D 封装上形成紧密...

算力巨头 EDA 2025-12-10

三星大力推崇96%的NAND设计采用低功耗——研究人员研究基于铁电晶体管的设计

研究人员展示了基于FeFET的三维NAND电池，其通电电压接近零，每个单元最多可达五位。三星研究人员发布了一份详细的NAND实验性架构报告，旨在将该技术最大的功耗之一减少多达96%。这项工作——用于低功耗NAND闪存的铁...

NAND 三星 2025-12-03

三星推崇基于铁电晶体管设计的低功耗NAND

三星研究人员发布了一份详细的NAND实验性架构报告，旨在将该技术最大的功耗之一减少多达96%。这项工作——用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管——由三星先进技术研究院的研究人员完成，发表在《自然》期刊上。该书描...

三星铁电晶体管 2025-12-02

三星据报道将在研发部门调整中发布NAND技术，将削减96%的功耗

在内存供应紧张和价格飙升给行业压力的情况下，据ETNews和News 1报道，三星开发出了一种NAND闪存技术，能够降低90%以上的功耗，预计将提升AI数据中心、移动设备及广泛应用的能效。据报道，11月27日，SAIT（...

NAND 闪存 2025-12-01

IEEE Wintechon 2025 通过数据、多样性与协作驱动印度半导体未来

第六届IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日，召集了800多名女性工程师、技术专家、行业领袖、学术界、学生和研究人员，主题为“以数据驱动的半导体创新改变未来”。今年，该会议由IEEE班加...

半导体产业嵌入式系统 2025-11-26

量子传感器初创公司寻找三维芯片的缺陷

芯片制造商正越来越多地采用晶体管层堆叠技术，在有限空间内集成更强计算能力。然而，当前用于检测可能导致 3D 芯片失效的深埋缺陷的技术，要么效果不佳，要么具有破坏性。不过，一家初创公司表示，基于人造钻石的新型量子传感器有望...

氮空位缺陷 3D 芯片 2025-11-21

SK海力士探索高带宽存储堆叠 NAND 和 DRAM

在巩固其在 HBM 领域的领导地位后，SK 海力士正在与 SanDisk 合作开发高带宽 NAND 闪存（HBF），该闪存通过 NAND 增强 HBM，用于 AI 推理工作负载。与此同时，据报道，该公司正在探索更广泛的...

SK海力士高带宽 2025-11-11

HDD交付延迟拉长至2年QLC NAND产能提前被抢购一空

AI服务器推动储存需求爆发，传统硬盘（HDD）持续大缺货，据悉，交付期限已延长至2年以上，北美及中国云端服务（CSP）大厂「紧急加单」，采购大容量企业级固态硬盘（SSD）。部分原厂2026年QLC NAND Flash...

HDD QLC NAND 2025-11-07

3D-IC将如何改变芯片设计

专家在座：半导体工程与西门子 EDA 产品管理高级总监 John Ferguson 坐下来讨论 3D-IC 设计挑战以及堆叠芯片对 EDA 工具和方法的影响;Mick Posner，Cadence&n...

3D-IC 芯片设计 2025-10-10

长江存储全面完成股改，估值已超1600亿元

总部位于武汉的长江存储科技控股有限责任公司（长存集团）召开股份公司成立大会并选举首届董事会，此举或意味着其股份制改革已全面完成。在胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》中，长江存储以1600亿元估值首次入围，位列中...

长江存储半导体 2025-10-09

第一次深入真正的3D-IC设计

专家在座：半导体工程坐下来讨论了对 3D-IC 的初步尝试以及早期采用者将遇到的问题，西门子 EDA 产品管理高级总监 John Ferguson;Mick Posner，Cadence 计...

3D-IC设计 2025-09-28

SK 海力士据报道与客户协商价格调整，跟随美光和三星

存储巨头们正准备在 AI 热潮引发的短缺背景下再次提价。在三星和美光之后，SK 海力士——虽然尚未正式宣布——据 SeDaily 和 Business Korea 报道，正与客户协...

DRAM NAND 2025-09-23

Kioxia 股价因 NAND 短缺上涨 70%；SK hynix 收获股份收益

根据韩国媒体《Yonhap Infomax》，日本 NAND 闪存生产商 Kioxia 的股价在 NAND 市场供应短缺的情况下急剧上涨。报道指出，SK hynix——2018 年投资 390 亿韩元入股 Kioxia—...

铠侠 NAND 2025-09-16

美光冻结价格，推理 AI 推动 SSD 需求激增及供应短缺

随着全球数据中心部署的加速，云巨头正将其需求从训练 AI 转向推理 AI，推动了对大容量内存需求的持续增长，并导致内存供应紧张从 DRAM 转向 NAND。供应链消息人士透露，在上周闪迪将 NAND 价格上调 10%之后...

美光 AI 2025-09-15

国产厂商切入下一代存储技术：3D DRAM

随着 ChatGPT 等人工智能应用的爆发式增长，全球对算力的需求正以指数级态势攀升。然而，人工智能的发展不仅依赖于性能强劲的计算芯片，更离不开高性能内存的协同配合。传统内存已难以满足 AI 芯片对数...

3D DRAM 2025-09-12

长江存储加速产能扩张：新公司注册资本达207亿，其认缴出资104亿元

现在，国产存储芯片龙头长江存储（YMTC）迎来了一个重磅消息。9月5日，长存三期（武汉）集成电路有限责任公司正式注册成立，注册资本高达207.2亿元人民币，法定代表人为长江存储董事长陈南翔。新公司涵盖集成电路制造、设计、...

长江存储 YMTC 2025-09-09

汽车应用3D-IC：利用人工智能驱动的EDA工具打破障碍

汽车行业正在经历重大变革，因为它采用自动驾驶技术和超互联生态系统等创新。这一变化的核心是对紧凑型、高性能半导体解决方案的需求不断增长，这些解决方案能够应对日益复杂的现代汽车架构。一项有前途的发展是三维集成电路（3D-I...

汽车应用 3D-IC 2025-09-05

内存巨头，脆弱的链接：韩国对日本 HBM 供应链的依赖

根据 ZDNet 的报道，韩国可能在 DRAM 和 NAND 闪存等记忆产品领域领先，但它仍然严重依赖日本的关键材料。该报告援引消息人士的话警告说，除非本地化进程更快地推进，否则这种依赖可能会成为韩国...

内存 NAND 2025-09-02

实现120层堆叠，下一代3D DRAM将问世

高密度 3D DRAM 可能即将到来。...

3D DRAM 2025-09-02

第二季度NAND收入环比增长22%

TrendForce集邦咨询表示，第二季度NAND收入前五大供应商的总收入环比增长22%，达到146.7亿美元。三星第二季度收入环比增长 23.8% 至 52 亿美元，将三星的市场份额小幅提升至 32.9%。海力士第二季...

NAND Flash 2025-09-02

美国撤销对三星、SK 海力士的中国芯片制造工具许可证：解码市场影响

三星和 SK 海力士虽然暂时免于美国政府入股的风险，但随着华盛顿撤销豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允许他们自由进口美国芯片制造设备——根据路透社和彭博社的数据，三星和 SK 海力士...

三星海力士 2025-09-01

三星与SK海力士拟放缓2025年NAND投资计划

据韩媒ZDNet Korea援引业界消息，三星电子与SK海力士计划在2025年下半年放缓对先进NAND Flash的投资步伐。这一决策主要是由于市场需求不确定性较高，且企业资金更多集中于DRAM和封装领域，导致对NAND...

三星 SK海力士 2025-08-26

美光推出首款 256Gb 抗辐射闪存获全空间认证

美光宣布推出业内最高密度的抗辐射 SLC NAND 闪存。新发布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天级 NAND、NOR 和 DRAM 内存解决方案组合中的首款产品，现已实现商业化。该产品专为航空航天及其...

美光内存 2025-07-29