消费性固态硬盘（Client SSD）受惠于疫情红利，在过去二年作为推动全球NAND Flash需求位成长的要角，市调机构集邦预估，2022年消费性SSD在笔电的渗透率达92％，2023年约96％。但随疫情红利退场，加上总经不佳导致消费性电子需求急冻，未来消费性SSD需求放缓最明显，连带使整体NAND Flash需求位成长受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消费性SSD于笔电搭载容量已逾500GB，512GB消费性SSD在近期迅速跌价后，已与半年前256GB报价相近，甚至
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NAND Flash
随着闪存从SLC、MLC向TLC、QLC升级，P/E写入寿命越来越短，从之前的万次以上减少到如今千次内，好在对一些工控领域来说，厂商还会专门打造超耐用SSD，国产SSD厂商绿芯科技Greenliant日前宣布推出ArmourDrive EX系列硬盘，拥有多达30万次的P/E寿命。ArmourDrive EX系列硬盘有mSATA及SATA M.2 2242两种规格，支持EnduroSLC技术，P/E寿命根据不同容量在60K、120K及300K之间——也就是最高30万次，这个性能比早期的SLC闪存还要耐用，后
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闪存 绿芯科技 SSD
在闪存领域突飞猛进的长江存储，还是遭到了美国的制裁，被列入“实体清单”，几乎是同一时间，三星就开始涨价了！DigiTimes报道称， 随着长江存储遭到制裁，部分PC厂商不得不暂停合作，而面对突然增加的市场需求，三星将其3D NAND闪存的报价提高了10％。当然，同样作为NAND闪存巨头，SK海力士、美光、铠侠/西部数据也有机会获得更多市场，但 三星毕竟是全球第一大NAND闪存供应商，今年第二季度份额为33％ ，虽然下跌了2.3个百分点但依然遥遥领先。 相比之下，SK
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闪存 长江存储 三星
在现代电子设备中，越来越多的产品使用NAND FLASH芯片来进行大容量的数据存储，而且使用FPGA作为核心处理芯片与NAND FLASH直接交联。根据NAND FLASH的特点，需要识别NAND FLASH芯片的坏块并进行管理。FPGA对坏块的管理不能按照软件的坏块管理方式进行。本文提出了一种基于FPGA的NAND FLASH芯片坏块表的设计方法，利用FPGA中RAM模块，设计了状态机电路，灵活地实现坏块表的建立、储存和管理，并且对该设计进行测试验证。
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NAND FLASH FPGA 坏块 坏块检测 202212
2022年内存及闪存两种存储芯片的价格一直在下滑，以致于SSD硬盘跌成白菜价了，2TB不到700元，但是这样的价格也让闪存厂商很难受，三星已经开始出手逆转价格，12月份闪存涨价10%。据电子时报援引供应链消息，虽然市场需求低迷，但三星12月上半月依旧选择上调NAND闪存价格，其中3D NAND闪存价格涨幅高达10%。三星是全球第一大闪存供应商，Q2季度的销售额59.8亿美元，环比下滑5.4%，所占的份额也由上一季度的35.3%降至33%，依然遥遥领先其他厂商。a收购Intel闪存业务之后，SK海力士成立了
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SSD 闪存 三星 SK海力士 美光
12月15日，美光宣布，已开始向PC OEM客户出货适用于主流笔记本电脑和台式机的美光2550 NVMe固态硬盘（SSD）。据官方介绍，美光2550是全球首款采用200+层NAND技术的客户端SSD，该产品基于PCIe
4.0架构，采用美光232层NAND技术，加强了散热架构和低功耗设计。美光2550
SSD可在包括游戏、消费和商用客户端等主流PC平台上提升应用程序的运行速度和响应灵敏度。与竞品相比，2550 SSD文件传输速度快112%，办公应用运行速度快67%，主流游戏加载速度快57%，内容创
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美光 232层 NAND SSD
作为韩国的重要支柱，芯片出口的多少，直接关系着几大财团的营收，比如三星、SK海力士等等。据国外媒体报道，消费电子产品需求下滑，导致对芯片的需求下滑，尤其是存储芯片，需求与价格双双下滑。韩国关税厅最新公布的数据显示，在11月份的前20天，韩国芯片出口52.8亿美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韩国重要的出口产品还有智能手机等移动设备，但这一类产品的出口额在前 20 天的出口额，也同比下滑20.6%，降至13.6亿美元。比较有标志性的一个现象是，全球智能手机老大已经在不停的砍单了，至少在3000万部，这也
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Intel把闪存业务卖给SK海力士后，后者孵化出名为Solidigm的消费级/企业级品牌，关系类似于美光和英睿达。日前在Tech Field Day 2022技术峰会上，Solidigm预览了旗下第4代192层3D闪存芯片，不过是QLC颗粒（4bits/cell）。看来Intel此前的QLC技术积累被SK海力士完全保留，后者还指出，虽然当前出货的闪存芯片80%都是TLC，但QLC迟早会取代它。显然最重要的原因还是成本效应，QLC颗粒存储密度更高，也更容易做到大容量。
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华为全联接大会2022中国深圳站期间上， 华为发布业界首个面向数据中心Diskless架构的微存储——华为OceanStor Micro系列，打造绿色集约、安全可靠的数据中心 。据了解，华为OceanStor Micro微存储本质上是传统盘框的智能化升级，以基于NOF+技术的高速网络连接Diskless服务器，支持上层分布式软件的透明访问，实现计算和存储资源独立弹性扩展，消除两者的生命周期管理差异。华为闪存存储领域总裁黄涛详细阐述了OceanStor Micro微存储的创新设计理念。他
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作为全球化的半导体企业，正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的，三星今日宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。三星电子第八代V-NAND，1Tb三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi
Hu表示："市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3
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据业内消息，近期三星电子宣布已经开始大规模量产236层3D NAND闪存芯片(第八代V-NAND闪存)。据悉，三星第八代V-NAND闪存芯片拥有高达2400MTps的传输速度，搭配高端主控使用可以让消费级SSD的传输速度达到直接越级的12GBps。三星电子表示，第八代V-NAND闪存会提供128GB+1TB的搭配方案，具体的细则比如芯片的大小和实际密度等数据并没有做详细介绍，但是三星电子表示其拥有业界最高的比特密度。官方表示，第八代V-NAND闪存芯片相比于现阶段相同容量的闪存芯片可提高大约1/5的单晶生
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三星 闪存
IT之家 11 月 7 日消息，虽然还没有发布任何实际产品，但三星电子现宣布已经开始大规模生产其 236 层 3D NAND 闪存芯片，该公司将其命名为第 8 代 V-NAND。新一代存储芯片可带来 2400MTps 的传输速度，当搭配高端主控使用时，它可使得消费级 SSD 的传输速度轻松超过 12GBps。据介绍，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星电子没有公开 IC 的大小和实际密度，不过他们称之为业界最高的比特密度。三星声称，与现有相同容量的闪存芯片相比，
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NAND 闪存用于各种消费和工业产品，从笔记本电脑和手机到工业机器人、医疗设备和嵌入式物联网设备，如传感器和控制器。 在我们日益互联的世界中，这些应用程序中的所有脆弱点都需要足够和强大的安全措施，包括数据存储系统。 因此，在选择或设计 NAND 闪存存储系统时，必须确保存储器的安全性满足应用程序的要求。执行现代安全技术需要足够的处理能力。 作为存储系统的“大脑”，NAND闪存控制器必须足够强大以支持整个存储系统所需的安全级别。 本文概述了 NAND 闪存的安全性，涵盖了最常见的硬件和软件技术，有助于告知读
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存储系统 数字安全 海派世通 NAND
近日，SK海力士考虑“撤出中国”、“转移中国工厂设备”等消息引发业界高度关注，对此，SK海力士于10月26日就中国工厂运营作出澄清说明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度业绩发表会上，针对由于地缘政治问题及多种因素导致中国工厂运营受困的各种假想情境，作出了可能会考虑应急方案(Contingency Plan)的原则性回复。其中，“中国工厂的设备转移”等相关发言是针对可能性极低的极端情况作出的现场回复，SK海力士澄清并未研究过与此相关的具体计划。另外，针对美国对芯片设备出口的管制，SK海力士表示，
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在过去很长时间里，存储卡的容量都是 2 的 N 次方，比如 2GB、4GB、8GB、16GB…… 但在 CFast、XQD、CFexpress 卡出现以后，市场上就出现了 80GB、120GB、240GB、325GB…… 等“非标准规格”。这背后的原因是什么？正式动笔后，我发现这件事情并不是三言两语能够讲清楚的……ET 会尽量剥离掉与大家关系不大的知识点，大家在阅读时也可以忽略括号和 * 内的部分。科普存储卡、固态硬盘都以闪存颗粒（NAND Flash）作为存储介质，而闪存颗粒本身是有擦写次数限制的（即写
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