近日，在第70届IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，韩国存储器大厂SK海力士展示了最新300层堆叠第八代3D NAND Flash快闪存储器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市，有望打破纪录。外媒报导，SK海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3D NAND
Flash开发，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2单位容量、16KB单页容量、四个平面和2,400MT/s的介面。最大资料传输量达194MB/s，较上一代238层堆叠和164MB/
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300层 NAND Flash SK海力士
半导体一周要闻2023.3.13-2023.3.171. 任正非：华为三年完成了13000型号器件的替代开发近日，华为公司在深圳坂田总部举办“难题揭榜”火花奖颁奖典礼，为在解题揭榜中做出突出贡献的获奖人员代表颁奖，华为总裁任正非发表了讲话，部分参与座谈的大学发布了座谈纪要。任正非表示，在美国制裁华为这三年期间，华为完成 13000 + 型号器件的替代开发、4000 + 电路板的反复换板开发等，直到现在电路板才稳定下来，因为有了国产的零部件供应。任正非表示，华为现在还属于困难时期，但在前进的道路上并没有停步
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半导体 莫大康 华为 NAND 光刻机
TrendForce集邦咨询最新调查显示，NAND
Flash市场自2022年下半年以来面临需求逆风，供应链积极去化库存加以应对，此情况导致第四季NAND
Flash合约价格下跌20~25%，其中Enterprise
SSD是下跌最剧烈的产品，跌幅约23~28%。在原厂积极降价求量的同时，客户为避免零部件库存再攀高，备货态度消极，使得第四季NAND
Flash位元出货量环比增长仅5.3%，平均销售单价环比减少22.8%，2022年第四季NAND
Flash产业营收环比下跌25.0%，达
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集邦 NAND Flash
本文将解析使 3D NAND、高级 DRAM 和 5nm SoC 成为可能的架构、工具和材料。要提高高级 SoC 和封装（用于移动应用程序、数据中心和人工智能）的性能，就需要对架构、材料和核心制造流程进行复杂且代价高昂的更改。正在考虑的选项包括新的计算架构、不同的材料，包括更薄的势垒层和热预算更高的材料，以及更高纵横比的蚀刻和更快的外延层生长。挑战在于如何以不偏离功率、性能和面积/成本 (PPAC) 曲线太远的方式组合这些。当今的顶级智能手机使用集成多种低功耗、高性能功能的移动 SoC 平台，包括一个或多
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3D NAND DRAM 5nm SoC
IT之家 2 月 7 日消息，据韩媒 Business Korea 报道，在内存半导体行业持续低迷的情况下，全球 NAND 闪存市场第四大公司西部数据宣布将进一步缩减设备投资和生产。西部数据 1 月 31 日在 2022 年第四季度业绩电话会议上表示，2023 财年设备投资总额将达到 23 亿美元（当前约 156.17 亿元人民币）。据IT之家了解，这一数字比 2022 年 10 月披露的 27 亿美元（当前约 183.33 亿元人民币）下降了 14.8%，与 2022 年 8 月公布
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NAND 内存 西部数据
消费性固态硬盘（Client SSD）受惠于疫情红利，在过去二年作为推动全球NAND Flash需求位成长的要角，市调机构集邦预估，2022年消费性SSD在笔电的渗透率达92％，2023年约96％。但随疫情红利退场，加上总经不佳导致消费性电子需求急冻，未来消费性SSD需求放缓最明显，连带使整体NAND Flash需求位成长受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消费性SSD于笔电搭载容量已逾500GB，512GB消费性SSD在近期迅速跌价后，已与半年前256GB报价相近，甚至
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NAND Flash
随着闪存从SLC、MLC向TLC、QLC升级，P/E写入寿命越来越短，从之前的万次以上减少到如今千次内，好在对一些工控领域来说，厂商还会专门打造超耐用SSD，国产SSD厂商绿芯科技Greenliant日前宣布推出ArmourDrive EX系列硬盘，拥有多达30万次的P/E寿命。ArmourDrive EX系列硬盘有mSATA及SATA M.2 2242两种规格，支持EnduroSLC技术，P/E寿命根据不同容量在60K、120K及300K之间——也就是最高30万次，这个性能比早期的SLC闪存还要耐用，后
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闪存 绿芯科技 SSD
在闪存领域突飞猛进的长江存储，还是遭到了美国的制裁，被列入“实体清单”，几乎是同一时间，三星就开始涨价了！DigiTimes报道称， 随着长江存储遭到制裁，部分PC厂商不得不暂停合作，而面对突然增加的市场需求，三星将其3D NAND闪存的报价提高了10％。当然，同样作为NAND闪存巨头，SK海力士、美光、铠侠/西部数据也有机会获得更多市场，但 三星毕竟是全球第一大NAND闪存供应商，今年第二季度份额为33％ ，虽然下跌了2.3个百分点但依然遥遥领先。 相比之下，SK
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闪存 长江存储 三星
在现代电子设备中，越来越多的产品使用NAND FLASH芯片来进行大容量的数据存储，而且使用FPGA作为核心处理芯片与NAND FLASH直接交联。根据NAND FLASH的特点，需要识别NAND FLASH芯片的坏块并进行管理。FPGA对坏块的管理不能按照软件的坏块管理方式进行。本文提出了一种基于FPGA的NAND FLASH芯片坏块表的设计方法，利用FPGA中RAM模块，设计了状态机电路，灵活地实现坏块表的建立、储存和管理，并且对该设计进行测试验证。
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NAND FLASH FPGA 坏块 坏块检测 202212
2022年内存及闪存两种存储芯片的价格一直在下滑，以致于SSD硬盘跌成白菜价了，2TB不到700元，但是这样的价格也让闪存厂商很难受，三星已经开始出手逆转价格，12月份闪存涨价10%。据电子时报援引供应链消息，虽然市场需求低迷，但三星12月上半月依旧选择上调NAND闪存价格，其中3D NAND闪存价格涨幅高达10%。三星是全球第一大闪存供应商，Q2季度的销售额59.8亿美元，环比下滑5.4%，所占的份额也由上一季度的35.3%降至33%，依然遥遥领先其他厂商。a收购Intel闪存业务之后，SK海力士成立了
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12月15日，美光宣布，已开始向PC OEM客户出货适用于主流笔记本电脑和台式机的美光2550 NVMe固态硬盘（SSD）。据官方介绍，美光2550是全球首款采用200+层NAND技术的客户端SSD，该产品基于PCIe
4.0架构，采用美光232层NAND技术，加强了散热架构和低功耗设计。美光2550
SSD可在包括游戏、消费和商用客户端等主流PC平台上提升应用程序的运行速度和响应灵敏度。与竞品相比，2550 SSD文件传输速度快112%，办公应用运行速度快67%，主流游戏加载速度快57%，内容创
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美光 232层 NAND SSD
作为韩国的重要支柱，芯片出口的多少，直接关系着几大财团的营收，比如三星、SK海力士等等。据国外媒体报道，消费电子产品需求下滑，导致对芯片的需求下滑，尤其是存储芯片，需求与价格双双下滑。韩国关税厅最新公布的数据显示，在11月份的前20天，韩国芯片出口52.8亿美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韩国重要的出口产品还有智能手机等移动设备，但这一类产品的出口额在前 20 天的出口额，也同比下滑20.6%，降至13.6亿美元。比较有标志性的一个现象是，全球智能手机老大已经在不停的砍单了，至少在3000万部，这也
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三星 SK海力士 DRAM NAND
Intel把闪存业务卖给SK海力士后，后者孵化出名为Solidigm的消费级/企业级品牌，关系类似于美光和英睿达。日前在Tech Field Day 2022技术峰会上，Solidigm预览了旗下第4代192层3D闪存芯片，不过是QLC颗粒（4bits/cell）。看来Intel此前的QLC技术积累被SK海力士完全保留，后者还指出，虽然当前出货的闪存芯片80%都是TLC，但QLC迟早会取代它。显然最重要的原因还是成本效应，QLC颗粒存储密度更高，也更容易做到大容量。
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华为全联接大会2022中国深圳站期间上， 华为发布业界首个面向数据中心Diskless架构的微存储——华为OceanStor Micro系列，打造绿色集约、安全可靠的数据中心 。据了解，华为OceanStor Micro微存储本质上是传统盘框的智能化升级，以基于NOF+技术的高速网络连接Diskless服务器，支持上层分布式软件的透明访问，实现计算和存储资源独立弹性扩展，消除两者的生命周期管理差异。华为闪存存储领域总裁黄涛详细阐述了OceanStor Micro微存储的创新设计理念。他
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华为 微存储 闪存
作为全球化的半导体企业，正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的，三星今日宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。三星电子第八代V-NAND，1Tb三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi
Hu表示："市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3
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三星 V-NAND 存储密度
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