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nand 闪存 文章 进入nand 闪存技术社区

三星计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存：沿用双层堆栈架构，超 300 层

  • IT之家 8 月 18 日消息，据 DigiTimes 报道，三星电子计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，将沿用双层堆栈架构，超过 300 层。报道称，这将使三星的进度超过 SK 海力士 —— 后者计划 2025 年上半年量产三层堆栈架构的 321 层 NAND 闪存。早在 2020 年，三星就已首次引入双层堆栈架构，生产第 7 代 V-NAND 闪存芯片。▲ 图源三星IT之家注：双层堆栈架构指在 300mm 晶圆上生产一个 3D NAND 堆栈，然后在第一个堆栈的基础上建立另一个堆栈。
  • 关键字： 三星  闪存  

因业务低迷，消息称三星计划暂停部分工厂 NAND 闪存生产

  • IT之家 8 月 16 日消息，据韩国电子时报报道，为了克服低迷的存储器市场状况，三星电子计划停止其位于韩国平泽市 P1 工厂的部分 NAND 闪存生产设备。业内人士透露，三星目前正在考虑停止 P1 工厂 NAND Flash 生产线部分设备的生产，该生产区主要负责生产 128 层堆叠的第 6 代 V-NAND，其中的设备将停产至少一个月。外媒表示，鉴于市场持续低迷，业界猜测三星的 NAND Flash 产量可能会减少 10% 左右，而三星在近来 4 月份发布的 2023 年第一季度财报中也正式
  • 关键字： 三星电子  V-NAND  

基于NAND门的行李安全警报

  • 在乘坐火车和公共汽车的旅途中，我们会携带许多重要的物品，而且总是担心有人会偷走我们的行李。因此，为了保护我们的行李，我们通常会用老办法，借助链条和锁来锁住行李。但锁了这么多把锁之后，我们还是会担心有人会割断锁链，拿走我们的贵重物品。为了克服这些恐惧，这里有一个基于 NAND 门的简易电路。在这个电路中，当有人试图提起你的行李时，它就会发出警报，这在你乘坐公共汽车或火车时非常有用，即使在夜间也是如此，因为它还能在继电器上产生声光指示。这种电路的另一个用途是，您可以在家中使用这种电路，以便在这种报警电路的帮助
  • 关键字： NAND  逻辑门  

被垄断的NAND闪存技术

  • 各家 3D NAND 技术大比拼。
  • 关键字： NAND  3D NAND  

三季度DRAM和NAND闪存价格跌幅放缓

  • 今年 Q3，存储产品价格有望迎来拐点。
  • 关键字： DRAM  NAND  

6月中国市场NAND Flash Wafer部分容量合约价有望小幅翻扬

  • 据TrendForce集邦咨询调查，5月起美、韩系厂商大幅减产后，已见到部分供应商开始调高wafer报价，对于中国市场报价均已略高于3~4月成交价。因此，TrendForce集邦咨询预估6月在模组厂启动备货下，主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反弹，结束自2022年5月以来的猛烈跌势，预期今年第三季起将转为上涨，涨幅约0~5%，第四季涨幅将再扩大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等产品库存仍待促销去化，现阶段价格尚未有上涨迹象。下半年旺季备货周期将至，尽管今
  • 关键字： NAND Flash  Wafer  TrendForce  

传铠侠/西数合并进入最终阶段 NAND Flash营收或超三星？

  • 近日，据日本共同社消息，日本存储器大厂铠侠与合作方美国西部数据的合并经营已经进入最终收尾调整阶段。目前，作为全球知名的存储器厂商，铠侠和西部数据既是竞争对手又是合作伙伴，目前两家公司正在共同运营岩手县北上市和三重县四日市的工厂。报道引用相关人士消息称，铠侠和西部数据正在探讨出资设立新公司、统一开展半导体生产及营销的方案等，未来双方将进行经营合并，拟由铠侠掌握主导权，关于出资比率等将继续探讨。报道称，由于面向智能手机等的半导体行情疲软、业绩低迷，铠侠和西部数据此举意在提升经营效率并提高竞争力。资料显示，铠侠
  • 关键字： 铠侠  西数  NAND Flash  三星  

铠侠宣布运营两个新研发设施，加强闪存和SSD研发能力

  • 6月1日，铠侠宣布开始运营两个新的研发设施——位于横滨技术园区的旗舰大楼和Shin Koyasu技术前沿——以加强公司在闪存和固态硬盘（SSD）方面的研发能力。未来，神奈川县的其他研发职能将转移到这些新的研发中心，以提高研究效率。随着新旗舰大楼的加入，横滨科技园区的规模将几乎翻一番，使铠侠能够扩大其评估闪存和SSD产品的能力，从而提高整体产品开发和产品质量。Shin Koyasu技术前沿将成为半导体领域尖端基础研究的中心，包括新材料、工艺和器件，此处配备一间最先进的洁净室。除了下一代存储技术，铠侠还从事其
  • 关键字： 铠侠  闪存  SSD  

DDR5 重新下跌，内存现货价格未见回暖

  • 业界对 DDR5 DRAM 的市场预期不太乐观。
  • 关键字： NAND Flash  NAND  DDR5  

需求持续下修，第一季NAND Flash总营收环比下跌16.1%

  • 据TrendForce集邦咨询研究显示，第一季NAND Flash买方采购动能保守，供应商持续透过降价求售，但第一季NAND Flash位元出货量仅微幅环比增长2.1%，平均销售（ASP）单价季减15%，合计NAND Flash产业营收约86.3亿美元，环比减少16.1%。SK集团（SK hynix & Solidigm）及西部数据（WDC）量价齐跌，冲击营收表现，环比下降均逾两成。SK集团受淡季及削价竞争影响，第一季NAND Flash营收仅13.2亿美元，环比减少24.8%
  • 关键字： 集邦  NAND Flash  

NAND闪存主控芯片供应商2023年第1季财报出炉

  • 据中国台湾《经济日报》报道，全球NAND闪存主控芯片供应商慧荣科技（SIMO）公布2023年第1季财报，营收1亿2407万美元，季减38%，年减49%，第1季毛利率42.3%，税后净利1116万美元。报道引述慧荣科技总经理苟嘉章表示，包括NAND大厂在内的主要客户，目前一致认为市况仍极具挑战。PC和智能手机终端市场持续呈现疲弱，上下游供应链皆将重心放在去化库存，包括消费级SSD和eMMC/UFS等嵌入式存储设备供应商，因此影响相关控制芯片的营收。苟嘉章认为，见到一些客户的下单模式从第2季开始有所改善，再加
  • 关键字： NAND  闪存  主控芯片  

3D NAND 堆叠可超 300 层，铠侠解读新技术

  • 5 月 5 日消息， 铠侠和西数展示最新的技术储备，双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。根据其公布的技术论文，铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，读取延迟缩小到 40 微秒。此外，铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件，这是一个具有实验性的 3D NAND IC，通过金属诱导侧向
  • 关键字： 3D NAND  

复旦微电推出NAND Flash及EEPROM存储器新品

  • 4月27日，上海复旦微电子集团股份有限公司今日举办线上发布会，推出FM25/FM29系列SLC NAND，FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。FM25/FM29系列产品基于28nm先进NAND flash工艺，满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求，应用于工规、5G通讯、车载等相关领域。FM24N/FM24LN/FM25N系列产品基于95nm先进EEPROM工艺，具备低功耗、
  • 关键字： 复旦微电  NAND Flash  EEPROM  存储器  

英飞凌推出业界首款 LPDDR 闪存

  • 【2023 年 4 月 25日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出业界首款 LPDDR 闪存，助力打造下一代汽车电子电气（E/E）架构。英飞凌 SEMPER™ X1 LPDDR 闪存为汽车域和区域控制器提供至关重要的安全、可靠和实时的代码执行。该器件的性能是当前NOR 闪存的8 倍，实时应用程序的随机读取事务速度提高了 20 倍。这使得软件定义的车辆具有增强安全性和架构灵活性的高级功能。  下一代汽车更智能、更网联、更复杂，并
  • 关键字： 英飞凌  LPDDR  闪存  汽车电子  

以汽车为目标，英飞凌推出业界首款 LPDDR 闪存

  • IT之家 4 月 23 日消息，随着各大车企都转向软件定义的汽车架构，下一代车型的设计却在内存方面面临着问题。由于许多原因，传统的 xSPI NOR 闪存已逐渐无法满足用户的需求。为了满足汽车区域架构的新需求，英飞凌科技宣布推出业界首款 LPDDR 闪存。该公司将闪存与 LPDDR 接口结合在一起，从而实现了比 xSPI NOR 闪存更高的性能和可扩展性。据介绍，这款名为 SEMPER X1 的新型闪存设备借鉴了已有 10 年历史的 LPDRR4 DRAM 的 LPDDR 接口方案，并将其应用于
  • 关键字： 英飞凌  LPDDR  闪存  
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