在本教程中，我们将讨论数字电子学中的基本电路之一--SR 触发器。我们将看到使用 NOR 和 NAND 门的 SR 触发器的基本电路、其工作原理、真值表、时钟 SR 触发器以及一个简单的实时应用。电路简介我们迄今为止看到的电路，即多路复用器、解复用器、编码器、解码器、奇偶校验发生器和校验器等，都被称为组合逻辑电路。在这类电路中，输出只取决于输入的当前状态，而不取决于输入或输出的过去状态。除了少量的传播延迟外，当输入发生变化时，组合逻辑电路的输出立即发生变化。还有一类电路，其输出不仅取决于当前的输入，还取决
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NAND NOR门 SR触发器
据媒体报道，三星作为全球最大的NAND闪存供应商，为了提高新一代NAND闪存的竞争力，将在2024年升级其NAND核心设备供应链，各大NAND生产基地都在积极进行设备运行测试。 三星平泽P1工厂未来大部分产线将从第6代V-NAND改为生产更先进的第8代V-NAND，同时正在将日本东京电子（TEL）的最新设备引入其位于平泽P3的NAND生产线，此次采购的TEL设备是用于整个半导体工艺的蚀刻设备。三星的半导体产品库存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年结束时，三星旗下设备解决方案部门的库存已增至
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三星 NAND 闪存
这两年，DRAM内存芯片、NAND闪存芯片都需求疲软，导致价格持续处于地位，内存、SSD硬盘产品也越来越便宜。不过，这种好日子似乎要结束了。根据集邦咨询最新研究报告，预计在2024年，内存、闪存原厂仍然会延续减产策略，尤其是亏损严重的闪存，但与此同时，至少在2024年上半年，消费电子市场需求仍不明朗，服务器需求相对疲弱。由于内存、闪存市场在2023年已经处于低谷，价格也来到相对低点，因此 预计在2024年，内存、闪存芯片的市场需求将分别大涨13.0％、16.0％，相比今年高出大约6.5个、5.0
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内存 闪存
近日，三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，据爆料，这款闪存将采用双层堆栈架构，并超过 300 层。同样在 8 月，SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份，据欧洲电子新闻网报道，西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备以及超过 300 字线的 3D NAND IC。3D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知，固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还
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V-NAND 闪存 3D NAND
传统的控制器只能从NAND Flash存储器的起始位置开始存储数据，会覆盖上次存储的数据，无法进行数据的连续存储。针对该问题，本文设计了一种基于FPGA的简单方便的NAND Flash分区管理的方法。该方法在NAND Flash上开辟专用的存储空间，记录最新分区信息，将剩余的NAND Flash空间划成多个分区。本文给出了分区工作机理以及分区控制的状态机图，并进行了验证。
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202308 NAND Flash FPGA 分区 起始地址
IT之家 8 月 18 日消息，据 DigiTimes 报道，三星电子计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，将沿用双层堆栈架构，超过 300 层。报道称，这将使三星的进度超过 SK 海力士 —— 后者计划 2025 年上半年量产三层堆栈架构的 321 层 NAND 闪存。早在 2020 年，三星就已首次引入双层堆栈架构，生产第 7 代 V-NAND 闪存芯片。▲ 图源三星IT之家注：双层堆栈架构指在 300mm 晶圆上生产一个 3D NAND 堆栈，然后在第一个堆栈的基础上建立另一个堆栈。
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三星 闪存
IT之家 8 月 16 日消息，据韩国电子时报报道，为了克服低迷的存储器市场状况，三星电子计划停止其位于韩国平泽市 P1 工厂的部分 NAND 闪存生产设备。业内人士透露，三星目前正在考虑停止 P1 工厂 NAND Flash 生产线部分设备的生产，该生产区主要负责生产 128 层堆叠的第 6 代 V-NAND，其中的设备将停产至少一个月。外媒表示，鉴于市场持续低迷，业界猜测三星的 NAND Flash 产量可能会减少 10% 左右，而三星在近来 4 月份发布的 2023 年第一季度财报中也正式
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三星电子 V-NAND
在乘坐火车和公共汽车的旅途中，我们会携带许多重要的物品，而且总是担心有人会偷走我们的行李。因此，为了保护我们的行李，我们通常会用老办法，借助链条和锁来锁住行李。但锁了这么多把锁之后，我们还是会担心有人会割断锁链，拿走我们的贵重物品。为了克服这些恐惧，这里有一个基于 NAND 门的简易电路。在这个电路中，当有人试图提起你的行李时，它就会发出警报，这在你乘坐公共汽车或火车时非常有用，即使在夜间也是如此，因为它还能在继电器上产生声光指示。这种电路的另一个用途是，您可以在家中使用这种电路，以便在这种报警电路的帮助
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NAND 逻辑门
据TrendForce集邦咨询调查，5月起美、韩系厂商大幅减产后，已见到部分供应商开始调高wafer报价，对于中国市场报价均已略高于3~4月成交价。因此，TrendForce集邦咨询预估6月在模组厂启动备货下，主流容量512Gb
NAND Flash
wafer有望止跌并小幅反弹，结束自2022年5月以来的猛烈跌势，预期今年第三季起将转为上涨，涨幅约0~5%，第四季涨幅将再扩大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等产品库存仍待促销去化，现阶段价格尚未有上涨迹象。下半年旺季备货周期将至，尽管今
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NAND Flash Wafer TrendForce
近日，据日本共同社消息，日本存储器大厂铠侠与合作方美国西部数据的合并经营已经进入最终收尾调整阶段。目前，作为全球知名的存储器厂商，铠侠和西部数据既是竞争对手又是合作伙伴，目前两家公司正在共同运营岩手县北上市和三重县四日市的工厂。报道引用相关人士消息称，铠侠和西部数据正在探讨出资设立新公司、统一开展半导体生产及营销的方案等，未来双方将进行经营合并，拟由铠侠掌握主导权，关于出资比率等将继续探讨。报道称，由于面向智能手机等的半导体行情疲软、业绩低迷，铠侠和西部数据此举意在提升经营效率并提高竞争力。资料显示，铠侠
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铠侠 西数 NAND Flash 三星
6月1日，铠侠宣布开始运营两个新的研发设施——位于横滨技术园区的旗舰大楼和Shin Koyasu技术前沿——以加强公司在闪存和固态硬盘（SSD）方面的研发能力。未来，神奈川县的其他研发职能将转移到这些新的研发中心，以提高研究效率。随着新旗舰大楼的加入，横滨科技园区的规模将几乎翻一番，使铠侠能够扩大其评估闪存和SSD产品的能力，从而提高整体产品开发和产品质量。Shin Koyasu技术前沿将成为半导体领域尖端基础研究的中心，包括新材料、工艺和器件，此处配备一间最先进的洁净室。除了下一代存储技术，铠侠还从事其
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铠侠 闪存 SSD
据TrendForce集邦咨询研究显示，第一季NAND
Flash买方采购动能保守，供应商持续透过降价求售，但第一季NAND
Flash位元出货量仅微幅环比增长2.1%，平均销售（ASP）单价季减15%，合计NAND
Flash产业营收约86.3亿美元，环比减少16.1%。SK集团（SK hynix &
Solidigm）及西部数据（WDC）量价齐跌，冲击营收表现，环比下降均逾两成。SK集团受淡季及削价竞争影响，第一季NAND
Flash营收仅13.2亿美元，环比减少24.8%
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集邦 NAND Flash
nand 闪存介绍
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