西部数据宣布，与铠侠联合开发的BiCS NAND闪存将进入第六代，堆叠层数达到162层，今年即投入量产。 目前的3D NAND闪存已经纷纷堆到176层，美光日前更是宣布全球首个达到232层。 但是西数指出， 自家的162层闪存单元尺寸更小，只有68平方毫米 ，小于竞品的69.6平方毫米或69.3平方毫米，因此存储密度更高，可以提供和竞品相同的单芯片容量。 西数表示， BiCS
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西部数据 铠侠 闪存
2022年初的时候闪存及SSD市场还是哀鸿遍野，因为价格还在下滑，没想到2月份西数及铠侠合资的日本工厂出现了闪存污染事故，损失惨重，当时消息称西数就损失了6.5EB的闪存。 铠侠、西数是全球TOP3的闪存供应商，份额仅次于三星，其闪存供应对全球智能手机及SSD硬盘市场影响极大，污染事故一传出，SSD硬盘行业就躁动不安，部分厂商马上借此机会宣布涨价15%甚至25%。 当时西数也参与了，西数全球客户组织执行副总裁杰里·卡格尔已经公告了此事，称这次的材料污染事故影响了合资闪存工厂的运营，虽然不影响当前装
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4月7日消息，当地时间周四，韩国三星电子公司公布了2022年第一季度初步财报数据。该公司预计，今年前三个月营业利润达116亿美元，同比增长50%，创下2018年以来的最高水平。三星预计，第一季度营业利润将达14.1万亿韩元(约合116亿美元)，较去年第四季度的13.87万亿韩元（约合114亿美元）增长1.66%，较上年同期的9.38万亿韩元（约合77亿美元）增长50.32%，高于分析师普遍预期的13.3万亿韩元（约合109亿美元）。三星第一季度营收预计为77万亿韩元(约合632亿美元)，较去年第四季度的7
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“独立子公司成立仅三个月，两家公司在事业上的合作全面开始”SK海力士和Solidigm首次公开了结合SK海力士128层NAND闪存与Solidigm的SSD控制器和固件的合作产品。SK海力士和Solidigm将继续优化两家公司的运营，以创造协同效应和合作伙伴关系。加州圣何塞和南韩首尔2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm（或“公司”， www.skhynix.com）今日首次公开了两家公司共同开发的新企业级SSD（eSSD）产品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
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IBM发布下一代闪存产品，瞄准日益严峻的勒索软件和其他网络攻击。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在帮助企业更快速地检测勒索软件和其他网络攻击并从中恢复；而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存储模型能够提供单一且一致的操作环境，旨在提高混合云环境下的网络复原力和应用程序性能。 IBM 推出下一代储存产品，瞄准勒索软件及其他网络攻击根据IBM网络弹性机构的研究，46%的受访者表示在过去两年中经历了勒索软件攻击。随着网络攻
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据韩国媒体消息，中国监管机构审查了SK海力士垄断的可能，并就该家韩国芯片制造商从英特尔手中收购NAND闪存业务进行评估，并决定批准该收购，这为SK海力士扫清了最后一个障碍。
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中国西安正受疫情影响而封城，目前尚无法预期解封时间，根据TrendForce调查，由于三星（Samsung）在当地设有两座大型工厂，均用以制造3D NAND高层数产品，投片量占该公司NAND Flash产能达42.3%，占全球亦达15.3%，现下封城措施并未影响该工厂的正常营运。然而，当地封城措施严格管控人流及物流，尽管2021年底至2022年一月中以前的出货多已经安排妥适，但无法排除接下来因物流延迟出货的可能，这将可能对采购端的物料安排造成影响。此外，该公司的原物料进货也有可能受到物流受阻而延迟，但三星
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摘要：传出可能9月中旬敲定同日本铠侠并购交易的消息后，西部数据盘中跳涨，一度涨近14%。若达成交易，其将可能控制全球三分之一的闪存市场。
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根据TrendForce表示，2021年第一季NAND Flash产业总营收达148.2亿美元，季增5.1%，其中位出货量成长11%，大致抵消平均销售单价下跌5%带来的影响。在议价时，需求端虽受惠于笔电、智能型手机需求强劲，但数据中心市场需求仍属疲弱，市场尚未脱离供过于求的状态，各类产品合约价仍呈现明显下跌。然而，OEM/ODM采购开始留意到NAND Flash控制器缺货冲击中低容量产品供给，自今年一月下旬便开始增加订单，一方面避免陷入缺货风险，也希望在料况无虞的情况下，策略性扩大市占，使得第一季NAND
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去年10月份，Intel宣布将旗下的NAND闪存业务以90亿美元的价格出售给SK海力士。这笔交易在3月份通过了美国审批，日前通过了欧盟的审批，中国的审批会是未来的关键之一。 上周末欧盟委员会正式批准了SK海力士收购Intel闪存业务的交易，没有任何条件限制，也无需任何进一步审查。 在扫清美国及欧盟的审批之后，SK海力士、Intel希望在2021年内获得其他国家的批准，其中中国监管部门的审批将是关键。 Intel及SK海力士在国内闪存市场上都占有相当多的份额，其中Intel在大连还有3D闪存厂，S
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2020 年11 月，美光科技宣布出货全球首款176 层NAND，实现闪存性能和密度的重大突破（如图1）。为此，《电子产品世界》采访了该公司工艺集成技术开发高级总监Kunal Parekh 和NAND 组件产品线高级经理KevinKilbuck。问：176 层产品目前用于哪些应用？Kevin Kilbuck：我们Crucial英睿达品牌的某些消费类固态硬盘采用了176 层NAND，已经开始出货。问： 新的176 层NAND 如何解决产量挑战？如何解决层间干扰？Kunal Parekh： 通过严格的试验和测
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202103 NAND
近日，美光在业界率先推出 1α DRAM 制程技术。值此机会，该公司举办了线上媒体沟通会，执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana 先生介绍了对DRAM、NAND的市场预测，以及美光的研发、资本支出、产品布局等。执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana1 2021年DRAM和NAND将增长19%展望2021年，全球GDP增长约5%。而根据不同分析师的预测，半导体产业预计增长可达12%，整个半导体产业的产值将达5020亿美元。其中，内存与存储预计增长可达19%，增度远超整
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DRAM NAND
存储芯片大厂美光（Micron）执行副总裁兼事业长Sumit Sadana近日接受采访表示，2020年汽车电子和智能型手机需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年显现明显复苏，并带动存储器需求增长。目前主要有两种存储器产品，一种是DRAM（动态随机存储器），用于缓存，另一种是NAND
Flash（闪存），用于数据的存储。在DRAM领域，韩国三星、海力士、美国美光三家企业把控了全球主要市场份额。NAND
Flash市场则由三星、凯侠、西部数据、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana称，预期今
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美光科技 DRAM NAND
· SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2· 配置了3D NAND（TLC或pSLC）闪存· 新一代产品包括5个系列共计6个尺寸TDK株式会社（TSE:6762）将于2020年12月推出新一代闪存产品，该产品拥有5个系列，并针对工业、医疗、智能电网、交通和安全等应用进行了优化。5个系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND闪存控制IC“GBDrive
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IT之家了解到，美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产，并已在某些英睿达的消费级 SSD 产品中出货。
11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11
月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 闪存技术，该技术具有 176
层存储单元堆叠。新的
176 层闪存是美光与英特尔分手以来所研发的第二代产品，上一代 3D NAND 则是 128
层设计，算是美光的过渡节点。而目前在三星的存储技术大幅度领先之下，美光 128 层 3D NAND 并没有特
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