据IDC预测,2025年全球数据将有175 ZettaBytes的总量,如此惊人而又庞大的数据量,半导体存储器将具有极大的市场。半导体存储器分为易失存储器和非易失存储器两种,具体类型如下:“凛冬将至”:这两年的存储器市场2017年的存储器市场可以用火热来形容,三大存储器公司(三星、海力士、美光)的财报都非常喜人,SK海力士、美光的营收规模均成长近8成,而三星电子更是夺取了英特尔把持多年的全球半导体营收头把交椅。整体来说,2017年全球半导体市场规模比2016年成长22.2%,达4197.2亿美元,存储器的
关键字:
存储器、NAND、DRAM
3D闪存在2020年将全面升级到100+层堆栈,128层会是很多厂商的选择,再加上QLC闪存的普及,闪存及SSD硬盘的容量会进一步增加,同时降低成本。不过新一代闪存的问题在于性能及可靠性都在下降了,以至于很多玩家都在反感QLC闪存,就像当年反感TLC闪存一样。有没有性能更强、可靠性更高的存储芯片?这也是有的,美光、Intel在2015年联合宣布的3D XPoint就是一种革命性的存储芯片,基于PCM相变存储技术,原理跟NAND闪存就不同,所以当时Intel、美光宣称它具备1000倍于闪存的性能、1000倍
关键字:
闪存 QLC闪存
半导体行业因为种种原因,非常容易收到外来因素的影响。近日根据调查数据显示,在刚过去的1月份,内存和闪存芯片在上游的交易价均有一定幅度的上涨。其中,8Gb(1GB)DDR4-2133 PC内存内存环比上涨1.07%,均价来到2.84美元,128Gb MLC闪存颗粒价格环比上涨3.17%,均价来到4.56美元。
关键字:
内存 闪存
集邦科技旗下下半导体研究中心DRAMeXchange今天发表报告,称国内的内存及闪存工厂并没有受到疫情的影响,目前没有部分或者全面停产的迹象,生产情况正常,而且Q1季度的合约价已经谈完了,预计会小幅上涨。国内的存储芯片工厂主要分为海外投资及自主国产两部分,其中海外投资的主要是无锡的SK海力士内存工厂、大连的Intel闪存工厂、西安的三星闪存工厂,这些地方都远离武汉,正常生产没有受到影响。国产的存储芯片工厂中,合肥长鑫的内存工厂、福建晋华的内存工厂也同样没受到什么影响,只有紫光旗下的长江存储是在武汉的,不过
关键字:
内存,闪存
武汉的疫情不仅影响了很多人的正常生活,也对武汉的一些企业带来考验,国内有60多家上市公司位于武汉,小米、京东方、天马等公司都在武汉有生产基地。关心国产闪存的玩家也应该知道长江存储总部也在武汉,该公司日前回应称国产闪存生产有序进行,公司会将员工健康作为第一事项考虑。长江存储表示,始终坚持“人员安全第一”原则,严格按照政府规定保障员工的安全,延缓外地员工的返岗时间,并在条件允许的情况下鼓励远程办公,对在岗员工做好防疫宣传,发放口罩,体温检测,加强消毒,动线隔离等工作。对于原材料供应和物流方面,目前长江存储公司
关键字:
闪存 长江存储
最近一段时间来,内存、闪存涨价的消息搞的玩家心慌慌,2020年5G智能手机、数据中心、AI等市场对存储芯片的要求更高了。值得注意的是,今年微软、索尼还会推出新一代主机PS5、Xbox Series X,它们也会用上16GB内存及TB级SSD,也会争抢内存闪存份额。
关键字:
闪存 PS5
最近一段时间来,内存、闪存涨价的消息搞的玩家心慌慌,2020年5G智能手机、数据中心、AI等市场对存储芯片的要求更高了。值得注意的是,今年微软、索尼还会推出新一代主机PS5、Xbox Series X,它们也会用上16GB内存及TB级SSD,也会争抢内存闪存份额。微软的Xbox One X、索尼的PS4系列主机用的还是8GB内存,硬盘倒是HDD机械盘,但是今年推出的PS5、Xbox Series X主机配置就会全面升级了,PS5的内存是16GB,Xbox Series X有两个版本,少则12GB,多则16
关键字:
闪存 PS5
去年8月份,闪存巨头SK海力士重返消费级SSD市场,首发产品Gold S31只是个试水之作,常规的2.5英寸SATA形态,最大容量1TB。CES 2020展会上,SK海力士展出了两款新的高端SSD,分别是Gold P31、Platinum P31,最大特点采用了SK海力士自己家的4D TLC NAND闪存。其实这里所谓的4D闪存,本质上还是3D堆叠闪存,依然基于3D CTF(电荷捕获闪存)设计、PUC(Peri. Unde,只不过SK海力士在存储单元阵列之下增加了一个电路层。SK海力士已在半年前开始量产这
关键字:
固态硬盘 闪存
紫光旗下的长江存储在2019年9月份正式量产了国内首个64层堆栈的3D闪存,容量256Gb,TLC芯片,2020年长江存储还会进一步提升产能,年底将达到每月6万片晶圆的水平,是初期产能的10倍。扩大产能就意味着要购买更多的半导体生产设备,其中光刻机还只能依赖进口,但是其他设备有望加大国产采购力度。1月2日,上海中微半导体宣布中标了9台蚀刻机,而2019全年他们中标的也不过13台。蚀刻机是芯片制造中的一种设备,与光刻机、MOCVD并称为三大关键性半导体生产设备,它主要用来在芯片上进行微观雕刻,每个线条和深孔
关键字:
闪存,半导体
在CES展会上,SK海力士正式宣布了128层堆栈的4D闪存(本质还是3D闪存,4D只是商业名称),已经用于自家的PCIe硬盘中,这是六大闪存原厂中第一个量产128层堆栈闪存的,预计三星、西数、东西都会在今年跟进100多层的闪存。3D闪存到底能堆栈多少层?就好像摩天大楼也不能无限堆高一样,3D闪存的层数也是有限制的,之前厂商的研究显示最多能堆栈到500多层,不过这是极限值,实际上并没有这么高。根据Techinsights最新的NAND闪存路线图,相比此前几年动不动就翻倍的堆栈层数,2022年大部分闪存厂商在
关键字:
闪存 TLC闪存 长江存储
2020年伊始,三星位于韩国华城的多座晶圆厂遭遇意外断电,在UPS电源的支持下只停了三分钟,已经够让存储芯片行业担心受怕了。现在第二大闪存厂铠侠工厂又出事了,这次又是火灾,官方表示损失情况还在统计中。据报道,1月7日,铠侠位于日本四日市的Fab 6晶圆厂传出火警,着火地点是在工厂的无尘室,火灾被迅速扑灭,但是存在无尘室暂时无法运行的可能,这也会导致东芝的闪存生产受到影响。铠侠官方已经证实了这次火灾,昨天发表公告称火灾导致的损害情况还在统计中,对于客户的供货情况还在统计中。这次出事的Fab 6晶圆厂在201
关键字:
闪存 火灾 铠侠
本周三,三星电子对外确认,部分半导体芯片产线临时停车,原因是1分钟的突然断电。事发地点位于三星华城工业园,波及到的多是DRAM和NAND芯片生产线。据悉,此次意外是因为当地输电线缆问题造成,预计产能完全恢复需要2~3天时间。三星在声明中称,他们正全面检查产线,全面评估受损程度。匿名消息人士透露,此次停车的损失在数百万美元左右,算不上重大。有分析人士认为,此次停车将减少三星的芯片库存,作为最大的存储芯片制造上,会否带来连锁效应尚不得而知。尤其是最新多方消息预判,明年内存、闪存、MLCC、液晶面板等诸多元器件
关键字:
三星 内存 闪存
在内存、闪存价格处于一个很敏感的拐点阶段,三星在韩国华城的内存及闪存工厂突然遭遇停电事故。对于这件事,大家很容易联系到之前三星、海力士、东芝、美光等存储芯片工厂遭遇的火灾、停电、跳闸等事故,不少人会心一笑。调侃归调侃,这次事件最大的问题在于三星损失多严重,对内存闪存的影响有多大。官方表示,他们正全面检查产线,全面评估受损程度。匿名消息人士透露,此次停车的损失在数百万美元左右,算不上重大,而且只要2-3天就可以恢复正常。从目前的信息来看,三星认为事件影响不大,数百万美元的损失意味着只有极少数的晶圆受到影响,
关键字:
三星 内存 闪存
北京时间2020年1月1日消息,三星电子公司今天表示,在昨天下午发生大约一分钟的断电事故后,其华城芯片工厂的部分芯片生产已经暂停。三星在一份声明中表示,正在检查生产线以备重新启动,并正在评估造成的损失。需要指出的,这不是三星存储工厂第一次出现停电事。根据资料显示,在2018年3月,三星位于Pyeongtaek(平泽市)的NAND闪存工厂也曾出现过停电事故,虽然停电仅持续了半小时,但依然损坏了5000~6000片晶圆,是三星当月产量的11%,预计相当于3月份的全球供应的3.5%。事后,根据预计此次事故造成了
关键字:
三星 内存 闪存
今年3月份,三星宣布全球第一家商业化规模量产eMRAM(嵌入式磁阻内存),基于28nm FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)成熟工艺,内存容量8Mb,可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。MRAM是一种非易失性存储,其前景被广泛看好,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究,读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内存,当同时又是非易失性的,也就是可以断电保存数据,综合了传统内存、闪存的有点。三星量产的eMRAM内存是基于磁阻的存储,扩展性非常好,在非易失性、
关键字:
三星 内存 闪存
nand 闪存介绍
您好,目前还没有人创建词条nand 闪存!
欢迎您创建该词条,阐述对nand 闪存的理解,并与今后在此搜索nand 闪存的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052 京公网安备11010802012473