- 对接资本市场，对接国家战略，充分发挥西安的产业与科研、人才优势，西安完全有可能创造出一个千亿级的产业。
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半导体 闪存 三星
- TrendForce旗下专注存储业追踪和调研的DRAMeXchange(集邦科技)于27日发布的最新闪存市场分析报告，称2018下半年，NAND Flash闪存市场的增长潜力疲软。由于64层/72层3D闪存的产能良率(四季度超80%)爬升，市场会处在一种供需平衡的局面，从而自然延续NAND Flash合同价的下降趋势。 报告称，由于处于传统的淡季和产能拉升期，所以在上半年，闪存市场已经观察到了连续两个季度的价格走弱。在这样的态势下，一些供应商甚至暂缓了面向更高密度存储芯片的扩张，以避免价格走到崩盘的
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SSD 闪存
- 在2018年第一季度，全球半导体产业销售额达到了1158亿美元。即使该季度半导体产业总营收出现些许下滑，然而NAND市场依然创下了有史以来第二高的季度收入，其中，来自企业和消费性固态硬盘(SSD)市场的需求最为强劲。 随着企业和储存市场对于相关零组件需求的增加，在2018年第一季度，储存类别增长率为1.7%，达到397亿美元。事实上，对于服务器用内存(Server DRAM)的强劲需求将持续推动该市场。然而，也能看到NAND涨幅在该季度内收入略有下降，IHS Marki内存与储存市场资深总监Crai
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无线通讯 NAND
- 在“2018中国半导体市场年会暨IC中国峰会”上，紫光集团有限公司董事长赵伟国作了“自主可控的中国存储器产业崛起之路”报告，介绍了从2015年3月到2018年上半年的三年时间，紫光进入3D NAND闪存芯片的思考与愿景。
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存储器 3D NAND 自主可控 201807
- 为实现更高储存密度，NAND Flash的堆栈层数不断增加，单一晶胞内能储存的信息也越来越多。 目前NAND Flash芯片已经进入64层TLC时代，展望2019年，三星(Samsung)、东芝(Toshiba)等业者都将进一步推出96层QLC颗粒。 为了因应即将量产的新一代NAND Flash规格特性，控制器业者群联已备妥对应的解决方案。 群联电子发言人于绍庭表示，3D NAND Flash技术不断推进，目前64层TLC已经是相当稳定的产品。 而为了进一步提升储存密度，NAND Flash供货商正
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NAND，芯片
- 存储芯片三巨头此次遭中国反垄断机构调查，最终结果究竟如何，人们拭目以待。
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存储 NAND
- 全球领先的嵌入式系统解决方案提供商赛普拉斯半导体公司（纳斯达克代码：CY）日前宣布，正式推出Semper™ NOR 闪存产品系列。该产品系列面向汽车和工业领域，为用户提供业内最好的安全性和可靠性保证。Semper 闪存产品系列的架构和设计旨在打造无故障嵌入式汽车安全系统，是首款符合ISO 26262 功能性安全标准的存储产品。该产品系列符合汽车行业的要求和ASIL-B 的功能性安全标准，在汽车和工业的极端温度应用环境中，仍可以提供卓越的耐用性和数据留存能力。
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赛普拉斯 闪存 nor
- 随物联网时代来临，数据中心、高速传输的5G受重视，研调单位指出，协助运算处理的DRAM与资讯储存的NAND Flash等需求也持续增温，南亚科(2408)日前表示，今年DRAM市场仍供不应求，带动存储器族群行情向上，旺宏(2337)在权证市场同受关注，昨(29)日登上成交金额之首。 南亚科昨日股价虽然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新台币，后同)，但获外资逆势敲进逾2,000张，颇有逢低承接意味。 南亚科今年首季每股盈余(EPS)达2.39元，随着DRAM市场仍持续供不应求，对今年整体营运表
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DRAM NAND
- 美光科技有限公司推出的业界首款基于革命性四层单元(QLC)NAND 技术的固态硬盘现已开始供货。美光® 5210 ION 固态硬盘在美光 2018年分析师和投资者大会上首次亮相，面向之前由硬盘驱动器 (HDD) 提供服务的细分市场，可提供高出三层单元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固态硬盘的推出，奠定了美光在实现更高容量和更低成本方面的领导者地位，可以满足人工智能、大数据、商业智能、内容传输和数据库系统对读取密集型且性能敏感的云存储的需求。 随着工作负载的演变以满足对于实时数据的
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美光 NAND
- 当前，不论DRAM还是NAND Flash等存储器，中国市场基本上100%依赖进口，这使得产业发展需求也最为迫切。因此，现阶段在政府的支持下，除了紫光集团旗下的长江存储已经在武汉建设NAND Flash工厂，预计2018年下半年量产之外，其他包括安徽合肥、福建晋江也有团队在进行DRAM研发，这使得未来几年，中国生产存储就会逐渐进入市场。
对此，韩国企业也开始关注中国竞争对手的加入。韩国预测，在2022年时会因为中国竞争的影响，韩国企业将减少78亿美元的存储器的销售金额。
根据韩国媒体《et
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存储器 NAND
- 根据Gartner的报告显示，在过去的2017年中，三星已经成功取代英特尔，抢下了全球最大芯片制造商的宝座。要知道，英特尔从1992年就一直占据着这一宝座，如今被三星超越实在是无奈，因为没有人能预料到这两年内存市场会如此强劲。
也许大家都快忘记了，两年前8GB的内存条价格还不到200元，然后8GB内存条的价格一路上涨到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大关，用了几年的二手内存条都还能大赚一笔。内存价格的飙升也带动了整个半导体产业的增长，其中三星获益匪浅，
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NAND DRAM
- IHS Markit研究指出，2017年全球半导体市场营收达到4291亿美元，与2016年相较成长了21.7%，年成长率创下近14年新高。 而三星也借着53.6%的年成长率，取代蝉连25年的英特尔成为2017年全球最大半导体厂商。
在前20大半导体厂商中，SK海力士(SK Hynix)的营收成长幅度最大，较2016年成长81.2%;美光科技(Micron)居次，营收较2016年成长了79.7%。 对此，IHS Markit半导体供应链分析师Teevens表示，强劲的需求以及价格上涨，是企业营收大
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三星 NAND
- 分析师从中整理出一些有趣的现象。
华为公司在2017年第四季度的全闪存阵列销售竞争当中可谓横空出世，较上年同期飙升十倍。与此同时，NetApp的A系列产品销售额亦增长超过四倍。
当然，这两轮飞跃主要源自相对较小的原有销售份额——分别为730万美元与4680万美元。不过增长是实实在在的，如今华为公司销售额已经达到8410万美元，这意味着买家完全能够给今天新兴厂商一些机会。
相关数据来自NetApp公司的分析师日活动，并由富国银行分析师Aaron Rakers整理
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闪存
- 位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台11日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。
目前，我国通用存储器基本全部依赖进口，国家存储器基地于2017年成功研发我国首颗32层三维NAND闪存芯片。这颗耗资10亿美元、由1000人的团队历时2年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，有望使我国进入全球存储芯片第
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NAND 存储器
- DRAM工艺尺寸的缩减正在面临基本的物理限制，目前还有没有明确的解决方案，由于印刷需求的推动，DRAM的清洗复杂度也在增加。
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DRAM NAND
nand 闪存介绍
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