- 三星、东芝等存储器大厂已拟定3D NAND扩产计画，新产能将在2019年后开出，届时NAND Flash市场将供过于求。
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存储器 NAND
- Nand-Flash/eMMC(带有Flash控制器的Nand-Flash)作为一种非线性宏单元模式存储器，为固态大容量存储的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-Flash存储器具有容量大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而越来越广泛地应用在如嵌入式产品、智能手机、云端存储资料库等业界各领域。
图1 Nand-Flash与eMMC芯片 1.1存储器件使用寿命 使用了Nand-Flash的主板出现丢数据掉程序现象，是一个让无数工程师毛骨悚然的
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Nand-Flash eMMC
- 近日，根据一份来自IDC最新的有关企业级SSD闪存市场的报告显示，SSD企业级市场未来前景依然强劲，2016年到2021年期间，出货量、收入和总出货容量预计都会呈现显著增长。IDC预计全球SSD出货量的5年复合年增长率将达到15.1%。SSD行业收入预计到2021年达到336亿美元，复合年增长率为14.8%。
SSD市场前景改善的关键因素是产品可用性的提升，以及更好的定价动态，因为整个行业都在向3D NAND闪存过渡。IDC认为，目前NAND闪存供应的限制将在2018年开始减少，并进一步推动整个
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闪存
- 2017 年是 NAND Flash 闪存厂商丰收的一年，零售价格的暴涨带动了厂商的营收，同时还对获利有了巨大贡献。 所以，当前全球的 4 大 NAND Flash 厂商，包括三星、Intel/美光、东芝、SK 海力士也有了充足的资金来进行新一波的投资。 而根据外电的报导，东芝就最新宣布，将拿出 70 亿日圆的金额，准备兴建第 7 座闪存工厂(Fab7)，地点就在日本的四日市(Yokkaichi)。
事实上，目前东芝的第 6 座工厂(Fab 6)正在建设当中，预计将于 2018 年第 4 季完工
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东芝 NAND
- DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态，产品价格同步高涨，而明年上半年将转为供过于求。
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NAND DRAM
- 内存明年市况恐将不同调，DRAM市场仍将持续吃紧，NAND Flash市场则将于明年上半年转为供过于求。
DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态，产品价格同步高涨，只是业界普遍预期，明年 DRAM 与 NAND Flash 市况恐将不同调。
内存模块厂创见指出，DRAM 市场供货持续吃紧，价格未见松动迹象。 NAND Flash 方面，随着 3D NAND Flash 技术日益成熟，生产良率改善，可望填补供货缺口。
另一内存模块厂威刚表示，短期内全球 DRAM
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DRAM NAND
- 半导体指数在两年的上涨中上涨了92%。
投资者应该有选择性地选择证券，并关注需求放缓。
分析人士认为，不要指望今年半导体类股的领先市场表现会在2018年重演。
尽管近期出现抛售，费城半导体指数自2016年初以来已经上涨了92%，并有望连续第二年超过所有11个标准普尔板块，这是由于获利增加和前所未有的整合期。
尽管这一趋势并没有令分析师们感到悲观，但一些分析师建议投资者要谨慎选择，并警惕需求放缓和库存水平上升的迹象。
以下是分析师对2018年的看
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半导体 闪存
- 围绕着此轮DRAM产业的上涨行情，无论是“供需论”还是“垄断说”，在DRAM一路疯涨的背后，展现的是耐人寻味的众生相，有需求者的无奈，领军者的得意，入局者的尴尬以及监管者的警觉。
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DRAM NAND
- DRAM严重供不应求，三星明年首季再涨价3%至5%之后，SK海力士 下季也将涨价约5%，全球DRAM价格连续七季上扬，是历来涨势最久的一次。
业界解读，三星、海力士下季涨价态度坚决，等于向全球宣告，韩系大厂决定维持DRAM价格持稳不坠的决心，消除外界认为两大韩厂打算调降售价格，防止中国DRAM竞争对手窜起的流言。
手机中国联盟秘书长王艳辉认为，有人说三星疯狂扩产存储器是为了将中国存储器产业扼杀在萌芽，有点太看得起自己，虽然明年大陆存储器产业开始进入试产阶段，要与三星、海力士抗衡，至少还需要
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DRAM NAND
- 紫光集团董事长赵伟国近日在第四届世界互联网大会表示，近年来，紫光集团把企业发展的重点聚焦在了集成电路上。在移动领域，紫光现在每年向全球提供的手机芯片超过7亿部套片;在存储领域，紫光已经研发出了32层64G的完全自主知识产权的三维闪存芯片，明年将实现量产。
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紫光 闪存
- 三星宣布512GB闪存已进入量产，意谓着明年Galaxy S9与Galaxy Note 9等新旗舰机储存容量有望从当前最大256GB翻倍成长。
512GB闪存主要因应4K超高分辨率影片的录制需求增加，据三星表示，新内存芯片可容纳130个10分钟4K短片。 (日经新闻)
三星从2015年开发出128GB内存以来，已连续三年将内存逐年倍增，成功将3D 64层闪存商业化。 展望未来，三星将再推出96层3D堆栈闪存。
目前iPad Pro、微软Surface平板均有提供512GB机种，不过三
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三星 闪存
- 今年全球NAND Flash产业成功转换至64/72层3D NAND规格，随着制程转换完成，全球缺货问题也逐渐纾解，群联董事长潘健成指出，2018年底将进入96层的3D NAND技术世代，带动单一芯片的容量提升至256Gb/512Gb，SSD控制芯片技术也全面提升至新层次，群联的关键技术已经准备好了，呈现蓄势待发的姿态!
今年的NAND Flash产业受到技术转换不顺、数据中心对于储存容量需求快速攀升之故，导致产业供需失衡，芯片价格一直高居不下，但这样的状况停留太久后，导致终端产品的需求被抑制，
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SSD NAND
- 美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 为存储产品事业部副总裁兼总经理。 在此职位上，Dicker 将负责领导和拓展美光的固态存储业务，包括打造世界领先的存储解决方案，从而把握云端、企业级和客户端计算等大型细分市场中日渐增多的机遇。他将向美光科技执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 汇报。 Dicker 在半导体行业拥有 20 年的从业经验，包括在 Intel、
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美光 NAND
- 内存大厂旺宏(2337)在3D NAND Flash研发获得重成果，昨(29)日宣布，最新研发3D NAND记忆晶胞架构的论文入选国际电子组件大会(IEDM)，被评选为「亮点论文」，是今年台湾产学研界唯一获选的厂商，彰显旺宏在先进内存研发实力受到国际高度肯定，也显示旺宏在业界最关注的3D NAND议题上扮演重要角色。
旺宏强调，独立研发的平坦垂直渠道型晶体管结构(SGVC)，相较其他大厂现有技术，以相同的堆栈层数，却可达到二到三倍的内存密度。
目前很多公司大举投入64层或72层等3D NA
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旺宏 NAND
- 自2016年一季度以来半导体行业所享受的强劲市场需求和史无前例的定价权难以为继，NAND闪存超级周期料将发生逆转。
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