在宣布收购云存储服务提供商 Upthere 之后，西部数据(WD)紧接着在本周二宣布了又一个收购目标 —— 闪存公司 Tegile Systems —— 不过西数并未透露这笔交易的金额。成立于 2010 年的 Tegile，主要为企业提供数据中心应用的闪存和持久性内存存储解决方案。过去几年，西数一直扮演者投资方的角色，并在今年 4 月份领投了 3300 万美元的 E 轮融资。
Rohit Kshetrapal 指出，西数早已在多方面增强了该公司的业
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西部数据 闪存
8月28日，三星电子宣布，未来将投资70亿美元用于扩大西安三星电子NAND芯片的生产。不过，三星称，“此笔投资意在满足NAND芯片市场的需求。”可是，三星的投资真的只为满足NAND芯片市场需求吗?
波澜的背后
据2017年第二季度财报显示，三星电子营收额高达554.1亿美元，同比增长19%，并且，三星电子以销售额14亿美元的成绩拿下45.9%的NAND Flash市占有率。
有业者分析称，三星第二季度如此强劲的主要原因是苹果等其他电子类产品生产需求旺盛，同时其
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三星 NAND
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整体NAND Flash市况持续受到供货吃紧的影响，即便处于传统NAND Flash的淡季，各产品线合约价平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手机与平板计算机内的eMMC/UFS以及SSD合约价仍持续小涨，2017年将是NAND Flash厂商营收表现成果丰硕的一年。
DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面临微缩限制，NAND Flash原厂纷纷转进垂直堆栈
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NAND 东芝
开年以来大陆半导体产业发展似乎进入沉潜期。首先是年初长江存储CEO杨士宁郑重发布新闻稿澄清，表示从未发表过32层3DNANDFlash今年量产的消息。接下来是中芯国际董事长周子学表达的大陆半导体产业发展“三步走”(注1)，指出要花至少15年的时间，大陆才能发展出比较有市场竞争力的企业主体。再来是最近紫光集团表示，由于长江存储的存储器芯片工厂专案投资规模过大，目前尚处于建设初期，短期无法产生销售收入，时机不成熟，停止收购长江存储的股份。虽然似乎大陆整个半导体产业持续其发展动能，但
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摩尔定律 NAND
日本东芝公司已经资不抵债，但是转让闪存业务的交易，却陷入了泥潭，让债权人、日本政府等颇为着急。据外媒最新消息，东芝的主要债权人已经向该公司施压：必须在八月份完成闪存业务的转让。
据日经新闻等媒体报道，东芝目前已经是资不抵债的负资产企业，之前已经从东京股票交易所主板摘牌，降级到了二板，如果明年财年结束时继续资不抵债，东芝将彻底从股市上消失。
据报道，东芝多家债权人银行(也是长期合作的银行伙伴)已经要求该公司在八月份完成转让闪存业务的交易，只有这样才能够确保在明年三月底财年结束之前，完成全部交
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东芝 闪存
DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大内存会一直缺货到明年，许多客户抢货，已包下南亚科、旺宏和华邦电全部产能。 业界指出，未签订长约的客户，内存供货将短缺，冲击产品上市或出货时程。
集邦、IC Insight等研究机构最近纷纷出具报告，强调DRAM、NAND Flash到年底都处于缺货状态;NOR Flash更因美系二大供货商淡出效应在下半年显现，缺货问题更严重。
业界表示，三大内存应用范围广，尤其NOR Flash几乎是各电子产品储存程序代码关键组件，虽然单价远比DRAM
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NAND DRAM
SSD还会持续涨价吗?答案真的不让消费者省心。
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SSD 闪存
在2017年快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)上，可见各主要NAND Flash供应商持续推出更新式存储器芯片以期能主导竞争优势，几乎各主要供应商也都在谈论简化Flash储存系统内建软件的必要性，以减少应用在资料中心时出现的延迟问题，以及试图定义固态硬盘(SSD)全新尺寸标准，另值得注意的是，本届大会上甚至连主要硬盘(HD)制造商，都已几乎不在主题演说中提及硬盘相关技术资讯或发展趋势。
根据科技网站EE Times报导，在本届大会上，三星电子(Samsung Electr
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3D NAND比平面NAND更昂贵，但大家都期待它将有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，这是为什么呢?
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3D NAND 存储器
对大多数人来说，微芯片是一些长着小小的金属针，标着看似随机的字母或数字的字符串的黑盒子。但是对那些懂的人来说，有些芯片就像名人一样站在红毯上。有许多这样的集成电路直接或间接地为改变世界的产品赋能，从而得到荣耀，也有一些芯片对整个计算环境造成了长期的影响。也有一些，它们的雄心壮志失败后成为警世的故事。 为了纪念这些伟大的芯片，并讲述它们背后的人和故事，IEEE Spectrum 制作了这个“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
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FPGA NAND
据国外媒体报道，原本在6月底就应该公布的东芝2016财年财报，因东芝陷入困境而未能如期发布，在推迟了一个多月之后，东芝终于公布了2016财年的财报。
在得到审计机构的批准之后，东芝在周四公布了2016财年的财报，财报显示，在截至今年3月31日的2016财年，东芝的营收为4.8万亿日元(约合436亿美元)，较2015财年降低了5.5%。
由于美国核电业务减记，东芝2016财年亏损已是无法避免的事，而事实也的确如此。
在近日公布的财报中，东芝2016财年的净亏损为9657亿日元(约合88
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东芝 闪存
三星计划在明年推出容量达1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其现有芯片的高密度固态硬盘。
三星(Samsung)计划明年推出容量达1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其现有芯片的高密度固态硬盘(SSD)。 该公司并表示，去年发表的Z-NAND产品也开始出样，据称这款产品能够达到媲美或超越英特尔(Intel) 3DXP内存的低延迟能力。
三星的Tbit NAND可支持高达每秒1.2Gbits的数据速率，并在一个堆栈32颗裸晶的封装中支持高达4
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V-NAND NVMe
文章云里雾里的，但是一点没错：国产化闪存颗粒，已刻不容缓。
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闪存 芯片
相较于2.5寸SATA，M.2的SSD有着非常明显的体积优势，如果总线走PCIe，速度上更是完爆。
在旧金山的闪存峰会上，三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒，容量高达1Tb，用于消费级产品。
三星表示，今后的2TB 3D闪存SSD产品将使用上这一新品，即一整颗芯片封装16Tb Die，继续减小体积。
如此精巧之后，连传统M.2 2242(NGFF)的电路板型都用不到了，三星据此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 标准。
其
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三星 V-NAND
日刊工业新闻7日报导 ，为了提高3D架构的NAND型闪存(Flash Memory)产能、以因应三星电子等竞争对手加快扩产脚步，东芝(Toshiba)将进一步祭出增产投资，计划在日本岩手县北上市兴建新工厂，该座新厂预计于2018年度动工、 2021年度启用，总投资额将达1兆日圆的规模。 东芝目前已在四日市工厂厂区内兴建3D NAND专用厂房「第6厂房」。
该座3D NAND新工厂兴建计划由东芝半导体事业子公司「东芝内存(Toshiba Memory Corporation、以下简称TMC)」负责
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