- 据国外媒体报道，原本在6月底就应该公布的东芝2016财年财报，因东芝陷入困境而未能如期发布，在推迟了一个多月之后，东芝终于公布了2016财年的财报。
在得到审计机构的批准之后，东芝在周四公布了2016财年的财报，财报显示，在截至今年3月31日的2016财年，东芝的营收为4.8万亿日元(约合436亿美元)，较2015财年降低了5.5%。
由于美国核电业务减记，东芝2016财年亏损已是无法避免的事，而事实也的确如此。
在近日公布的财报中，东芝2016财年的净亏损为9657亿日元(约合88
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- 三星计划在明年推出容量达1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其现有芯片的高密度固态硬盘。
三星(Samsung)计划明年推出容量达1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其现有芯片的高密度固态硬盘(SSD)。 该公司并表示，去年发表的Z-NAND产品也开始出样，据称这款产品能够达到媲美或超越英特尔(Intel) 3DXP内存的低延迟能力。
三星的Tbit NAND可支持高达每秒1.2Gbits的数据速率，并在一个堆栈32颗裸晶的封装中支持高达4
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V-NAND NVMe
- 文章云里雾里的，但是一点没错：国产化闪存颗粒，已刻不容缓。
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- 相较于2.5寸SATA，M.2的SSD有着非常明显的体积优势，如果总线走PCIe，速度上更是完爆。
在旧金山的闪存峰会上，三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒，容量高达1Tb，用于消费级产品。
三星表示，今后的2TB 3D闪存SSD产品将使用上这一新品，即一整颗芯片封装16Tb Die，继续减小体积。
如此精巧之后，连传统M.2 2242(NGFF)的电路板型都用不到了，三星据此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 标准。
其
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- 日刊工业新闻7日报导 ，为了提高3D架构的NAND型闪存(Flash Memory)产能、以因应三星电子等竞争对手加快扩产脚步，东芝(Toshiba)将进一步祭出增产投资，计划在日本岩手县北上市兴建新工厂，该座新厂预计于2018年度动工、 2021年度启用，总投资额将达1兆日圆的规模。 东芝目前已在四日市工厂厂区内兴建3D NAND专用厂房「第6厂房」。
该座3D NAND新工厂兴建计划由东芝半导体事业子公司「东芝内存(Toshiba Memory Corporation、以下简称TMC)」负责
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- RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM SRAM DRAM(下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM，random access memory(随机存取存储器)的缩写，下面是51hei.com为大家整理的目前所有的存储器的区别。 SRAM：静态随机存储器，就是它不需要刷新电路，不像动态随机存储器那样，每隔一段时间就要刷新一次数据。但是他集成度比较低，不适合做容量大的内存，一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做C
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- 由于财务状况恶化，日本东芝公司已经被东京股票交易所从主板摘牌，距离退市已经越来越近，但是时至今日，转让闪存芯片业务的进展却并不顺利。据外媒最新消息，面对东芝高管所表现出的领导无方，日本政府已经全面介入到这一转让交易中。
按照原定计划，东芝准备把闪存芯片业务以大约180亿美元的价格，转让给一个美日韩联合体，其中包括日本开发银行、日本产业革新机构、美国贝恩资本、韩国海力士半导体，不过东芝的芯片业务合资伙伴西部数据，却以海力士的涉足为由，提出了反对意见，并已经述诸法律手段。
有消息称，由于和西部
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- 根据韩国英文媒体 《The Korea Times》 的报导，三星副总裁权五铉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韩国政府喊话，要韩国政府给予半导体产业更多的支持，以解决人才荒的问题。
报导中指出，目前是三星副总裁，也是领导三星显示器部门的权五铉，日前在一项公开演讲中指出，韩国的半导体产业自认为有其竞争的实力。 不过，却面临当当前半导体人才不足的问题。 权五铉进一步指出，半导体产业是第 4 次工业革命的重要基础，因此希望韩国政府能藉由科技培训的管道，持续为半导体与设备产业供应需要的人才。
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- 受NAND Flash供货紧张影响，以及数据中心、企业、移动设备等领域SSD强劲需求，2017年上半年NAND Flash价格持续走高。根据ZDC统计，NAND Flash价格累计涨幅达26%，消费类每GB销售价格突破了0.3美金。
2017年上半年，中国市场智能手机、平板电脑等移动设备需求出现下滑，再加上NAND Flash的价格持续走高，高价压力下的SSD市场呈现一片低迷景象。但随着6月份需求旺季的到来，固态硬盘的关注度有所回升。
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- IC Insights的报告显示，DRAM及NAND Flash售价已经连续四个季度上涨。
不过因为原厂纷纷提出扩产计划，IC Insights稍早忧心忡忡认为，未来几年包括三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据、武汉新芯、长江存储，都大举提高3D NAND Flash产能，大陆还有新建厂商也会加入战场，3D NAND Flash产能供过于求的可能性相当高。
近期SK海力士宣布今年资本支出追加至86.1亿美元，进行3D NAND Flash和DRAM两大内存
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- 韩国三星电子有限公司本周二表示，计划在韩国投资至少21.4万亿韩元(约合186.3亿美元)，以巩固其在内存芯片和下一代智能手机领域的领先地位。
作为世界最大的记忆芯片生产商，三星将在2021年前对位于平泽市的NAND闪存工厂投入14.4万亿韩元。此外，位于华城市的半导体生产线也将拿到6万亿韩元的投资。剩下的1万亿韩元，将分配给三星位于韩国的OLED屏幕工厂。同时，三星还计划为西安的NAND闪存生产基地添置一条新的生产线。
近年来，三星、东芝和SK海力士已投入了数百亿美元来推动NAND闪存的
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- ICinsights认为，全球内存下半年价格上涨动能可能减缓，包含DRAM与NAND闪存均是如此。
尽管涨势减缓，但DRAM与NAND今年营收预料仍将创新高记录，这完全都是拜先前平均售价快速上涨之赐。 以DRAM为例，DRAM平均售价今年预估年涨幅高达63%，此为1993年有记录以来之最。
内存价格从去年第三季起涨，ICinsights预期动能可能持续至2017年第三季，第四季可能微幅转负，为这波正向循环划下休止符。
ICinsights指出，随着价格走扬，内存制造商也再次增加资本投
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DRAM NAND
- 如今，机械硬盘持续大幅滑坡，这让西数、希捷两大厂商不得不做战略转型向SSD市场。 众所周知，机械硬盘(HDD)曾是电脑不可或缺的部件，行业竞争也非常激烈。最后，全球的机械硬盘被西部数据、希捷与东芝三家巨头所垄断，其他品牌都被并购或直接淘汰。 在这其中，东芝是最先转型到固态硬盘领域的，今年年初，据外媒报道，东芝方面吐露将不再考虑生产15KHDD新品。 再来看看希捷的情况，今年年初关闭苏州工厂后，又低调的关闭了位于韩国的HDD研发中心。而该研究中心从成立至今还不到4年，主攻2.5英寸机械硬盘。闪存市
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- 韩国半导体产业发展风生水起。世界上最大的内存芯片供应商三星电子公司宣布，其在韩国平泽的新建半导体生产线已经开始量产。NAND闪存技术开发商SK海力士公司已经加入了一个同盟，将投标收购日本东芝的内存部门。今天，我们邀请到了韩国真好经济研究院的李仁喆(音译：이인철)先生，与他共同聊一聊韩国半导体产业的未来。首先，我们了解一下7月4日三星电子公司在平泽投产的半导体工厂的意义。
根据IT市场研究公司的数据，第一季度三星电子公司在NAND闪存市场上的份额为35.4%。 这个数字具有绝对优势，但平泽半导体厂
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- 这个时间点我们讨论NorFlash行业趋势与全年景气度，一方面是Nor厂商二季度业绩即将公布，而相关公司一季度业绩没有充分反映行业变化;另一方面是相关标的与行业基本面也出现了变化(如Switch超预期大卖以及兆易创新收到证监会反馈意见等)，同时我们调高AMOLED与TDDINor的需求拉动预期，详细测算供需缺口，以求对未来趋势定性、定量研究;
汽车电子与工控拉动行业趋势反转TDDI+AMOLED新需求锦上添花
1、汽车与工控拉动2016趋势反转
从各方面验证，2016年是NOR的拐点
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