- 存储器解决方案全球领导者东芝存储器株式会社今日宣布开发出世界首款[1]采用堆叠式结构的BiCS FLASH™三维(3D)闪存[2]。最新的BiCS FLASH™设备是首款采用4位元(四阶存储单元，QLC)技术的闪存设备，该技术使闪存设备的存储容量较3位元(TLC)设备进一步提高并推动了闪存技术创新。 多位元内存通过管理每个独立存储单元中的电子数目来存储数据。实现QLC技术带来一系列技术挑战，在相同电子数目下位元数目每增加一个，需要两倍于TLC技术的精度。东芝存储器株式会社利用其先
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东芝 闪存
- 据韩联社报道，三星电子平泽工厂全球最大规模半导体生产线近日正式投产。三星电子将在该工厂生产第四代64位V-NAND，月产能可达20万片，并计划持续扩充生产设备，解决近年来全球半导体市场上供不应求的局面。
据了解，位于韩国京畿道平泽市的三星电子平泽工厂于2015年5月动工建设，日均投入1.2万名施工人员，耗时两年多建成全球最大的单一产品生产线。
三星宣布，至2021年为止，要对位于平泽市的NAND型快闪存储器厂房投入14.4万亿韩圜(约合125.4亿美元)，并对华城市新建的半导体生产线投入6
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三星 V-NAND
- 本周，东芝的股东和业界都在等待一个巨大消息：周二或者周三，东芝将和一个美日韩联合体签约，正式变卖闪存芯片业务，获得急需的180亿美元。
然而在周三的股东大会上，东芝高管宣布了令人失望的消息。据法新社报道，东芝的“跳票”让股东感到十分气愤。
东芝总裁纲川智周三表示，依然无法公布上一财年的财报，另外转让闪存业务的谈判依然没有结束。
在转让闪存业务方面，东芝已经花费了太多的时间，效率之低下令股东十分不满。日本权威媒体日经新闻本周曾报道，东芝已经敲定了闪存业务的接手方
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东芝 闪存
- 全球第 2 大 NAND 型快闪存储器厂东芝(Toshiba)28 日宣布，携手 SanDisk 研发出全球首款采用堆叠 96 层制程技术的 3D NAND Flash 产品，且已完成试样。该款产品为 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技术的产品，预计于 2017 年下半送样、2018 年开始进行量产，主要用来抢攻数据中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手机、平板电脑和存储卡等市场。
东芝今后也计划推出采用堆叠 96 层制程技术的
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- 2017年JS靠着挖矿显卡价格大涨赚钱了，只不过这一波显卡涨价虽然很疯狂，但是涨幅并不是最高的，内存价格上涨的才是惊人，8GB DDR4内存条现在普遍在400元以上，去年这时候价格才199元呢，当时还觉得贵呢，现在价格翻倍都不止了。目前内存涨价的趋势还没有得到抑制，Q1季度PC内存已经大涨36%了，可Q2季度还会继续上涨10-20%，因为三星、SK Hynix及美光等厂商现在的产能并没有增加，市场供需还是不平衡。
这一年多了没升级什么PC硬件了，虽然写新闻的过程中也知道内存、
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- 64层堆栈的3D NAND正跨越较平面NAND更具成本效益的门坎，预计将在未来18个月内成为市场主流...
Western Digital(WD)内存技术执行副总裁Siva Sivaram日前指出，64层堆栈的3D NAND正跨越较平面NAND更具成本效益的门坎。
在最近接受《EE Times》的访问中，Siva Sivaram将64层3D NAND定义为一种「开创性技术」(seminal technology)，可望应用于WD逾50种产品线。 他预计今年WD约有一半的产品线都将采用3D
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- 6月20日消息，据国外媒体报道，东芝预计将在月底决定闪存芯片业务的最终买家，而此前出价最高的由富士康和苹果等企业组成的竞购团，有可能在竞购中白忙活一场，因为外媒的消息显示，东芝更倾向于将闪存芯片业务卖给贝恩资本牵头的由美国、日本和韩国企业组成的联合体。
由于美国核电业务减记带来了巨大的亏损，东芝目前面临资不抵债的困境，急需资金，东芝因此决定剥离闪存芯片业务并将其出售以换取资金。
目前共有富士康、美国芯片制造商博通、贝恩资本牵头的三大财团参与东芝闪存芯片业务的竞购
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- 三星电子 15 日宣布，最新 64 层 256GB V-NAND 闪存已进入量产，与此同时，三星还将扩展包含服务器、PC 与行动装置的储存解决方案。
64 层 V-NAND 闪存用称为第四代 V-NAND 芯片，南韩 ITtimes.com 报导指出，三星为稳固领先优势，打算于年底把第四代芯片占每月生产比重拉高至五成以上。
其实，三星今年 1 月已先为某关键客户，打造第一颗内含 64 层 V-NAND 芯片的固态硬盘(SSD)，自此之后，三星持续朝行动与消费型储存市场开发新应用，务求与 I
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- 鸿海董事长郭台铭昨(12)日证实，将筹组美、日、台梦幻团队，共同竞标东芝半导体。 对日本出现担心鸿海「中国因素」的评论，郭董炮火全开，左打美系私募基金，右批日本经济产业省高层，并强调，鸿海如果顺利得标，海外市场将优先考虑在美设内存芯片厂。
东芝半导体竞标案进入倒数计时，预计本周公布结果。 竞标者之一鸿海动作不断，郭台铭接连接受日经新闻、路透社专访。 郭董强调，如果鸿海顺利标下东芝半导体事业，希望未来能在海外建立内存工厂，地点将优先考虑美国。
郭台铭补充，因为美国国内市场需求在当地还没达到，
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- NAND闪存的内部架构:NAND闪存可以分为三种不同架构，即：单层单元SLC 多层单元MLC多位单元MBC。其中，MBC以NROM技术为基础的NAND闪存架构，由英飞凌与Saifun合作开发，但该项架构技术并不成熟。采SLC架构是在每个Cell中存储1个bit的信息，以达到其稳定、读写速度快等特点，Cell可擦写次数为10万次左右。作为SLC架构，其也有很大的缺点，就是面积容量相对比较小，并且由于技术限制，基本上很难再向前发展了。
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MLC 闪存 NAND 英特尔
- 闪存存储器是嵌入系统中经常使用的非易失性存储器。在基于FPGA的嵌入系统中，由于FPGA没有包括闪存，所以闪存始终是外置设备。由于闪存存储器能够在断电后保持数据内容，它经常用于存储微处理器启动代码及其它需要在无电情况下继续保持的数据。闪存存储器既适用于并行接口又适用于串行接口。并行闪存设备与串行闪存设备的基本存储技术是相同的。
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存储器 闪存 串行接口
- 公司内部派系斗争问题，又因外部的2008年金融海啸与2011年福岛核灾影响日本经济及东芝业绩，造成派系斗争恶化，及为自保而伪造业绩歪风兴起，等到2015年事件爆发，发现该厂从2008会计年度(2008/4~2009/3)便有业绩灌水的问题，事件逐一发不可收拾。
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- NAND Flash控制芯片与模块厂群联董事长潘健成日前估计，接下来将面临史上最缺货的第3季，而该公司也积极备战，近日捧着5000多万美元现金，大举吃下某大厂释出的货源，为下半年建立更多库存。
群联在去年初NAND Flash市况尚未大热时，建立的库存水位一度超过三亿美元，后来市场景气于去年第3季开始往上，价格走升，也让该公司因此大赚。
潘健成提到，今年大概只有5月有机会多收货，所以该公司在前两个礼拜以现金买了大约5000多万美元的额外货源，预计可供第3季使用。
群联在今年4月时，手
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- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整体NAND Flash市况延续第四季持续受到缺货影响，即使第一季度为传统NAND Flash淡季，渠道颗粒合约价却仍上扬约20-25%。在智能终端设备如智能手机与平板电脑内的行动式存储价格也呈现双涨的状况下，2017年将是NAND Flash成果丰硕的一年。
DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面临微缩限制，进而转进垂直堆栈制程(3D/Vertical-NAND)
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NAND SK海力士
- 如果用一个词来描述2016年的固态硬盘市场的话，那么闪存颗粒绝对是会被提及的一个关键热词。在过去的2016年里，围绕着闪存颗粒发生了一系列大事，包括闪存颗粒的量产引发固态涨价，闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争，以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。
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