- 三星登上全球半导体龙头，不惜砸重金投入研发，传今年资本支出将大幅增加逾 10 兆韩圜。
新韩投资(Shinhan Investment Corp)日前发布报告预测，三星今年半导体资本支出将扩增至 24.5 兆韩圜(约 219.5 亿美元)，较 2016 年成长 85.6%，且将超越 2015 年的 14.7 兆韩圜成为三星史上新高。
存储器目前供不应求，也是三星今年布局的重点，预料将占据资本支出的一半左右。据新韩分析师预测，光是 NAND 快闪存储器，三星就将砸下 12.05 兆韩圜(约
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三星 NAND
- DIGITIMES Research观察，2D NANDFlash制程在物理限制下难度加剧，透过3DNAND Flash制程，无论是效能及储存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可谓为摩尔定律在半导体内存领域延伸的一项重要技术。
3D NAND Flash依存储元件储存机制可分浮动闸极(Floating Gate;FG)及电荷缺陷储存(Charge Trap;CT);依不同堆栈结构技术又可分为BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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摩尔定律 3D NAND
- 小时候并不知道为什么唐僧要取经,取的什么经?后来知道了,唐僧要的是所谓“大乘佛法”,简单说就是普度众生,救民于水火。既有这样的佛法,孙悟空何不多翻几个筋斗,快快取来就是,为什么非要肉体凡胎的唐僧不辞劳苦、跋山涉水呢?难道上天就没有好生之德吗?还要设置各种妖怪来捣乱,岂不是折腾人吗?
上天当然会有好生之德,这没有什么好怀疑的。至于为什么折腾唐僧,并不是上天要以此为乐,所谓天机不可泄漏,九九八十一难其实就是真经的一部分,对吗?
其实现实生活也是如此。
前不久,美国
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晶圆 NAND
- 华为P10“闪存门”其实就是一些消费者在购买P10手机后，经过测试发现，华为P10系列手机闪存速度出现了明显差异的情况。用户测试结果显示，有部分手机的闪存速度约为200MB/秒，而根据网上公布的评测参数来看，以华为官方配置的P10实际速度应该可以达到800MB/秒左右。而最终测试的结论就是华为P10的闪存存在UFS和eMMC混用的问题。
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闪存 UFS eMMC
- 多年来，汽车行业的发展和创新一直推动着半导体行业的发展。根据IHS的数据可知，汽车半导体市场的年收入已经超过300亿美元，而随着ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的提升，这一数字还将不断上升。目前，每辆豪华车内部半导体元件的总价值约为1000美元，而中档车内部半导体元件的总价值约为350美元，汽车MCU是其中的重要组成部分。大多数汽车MCU具有片上嵌入式闪存，其中包含复杂而详尽的指令代码。尽管基于多晶硅浮栅的嵌入式闪存广泛部署在汽车、工业和消费类应用领域的一系列产品中，并且是非易失性存储器技术的
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嵌入式 闪存
- 在对待用户方面，华为还有很多需要提升的地方——要俯下身子;但是，在硬碰硬的诉讼较量方面，华为又有很多值得其他企业效仿之处——不轻言放弃。
前段时间爆出的P10“内存门”或“闪存门”让很多华为的忠实粉丝大跌眼镜。
从法律上看，华为可能并不存在“以次充好”或“偷工减料”的做法，但是，其在澄清说明相关做法时，又显得脱离用户。
使得疑问变质疑最终可能
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华为 闪存
- 国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果虐的够呛(主要是指国内市场份额)，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就比如闪存芯片，这基本上被韩国厂商垄断了。为了让国产闪存有更好的发展，不少公司都在努力。挖来台湾DRAM教父高启全后，紫光旗下的长江存储开始全速狂飙。
近日，高启全接受媒体采访时表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。对于目前行业的现状，高启全强调国内公司应该台湾公司在存储芯片上应该合作，因为大家的最大
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紫光 NAND
- 国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果虐的够呛(主要是指国内市场份额)，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就比如闪存芯片，这基本上被韩国厂商垄断了。为了让国产闪存有更好的发展，不少公司都在努力。挖来台湾DRAM教父高启全后，紫光旗下的长江存储开始全速狂飙。
近日，高启全接受媒体采访时表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
对于目前行业的现状，高启全强调国内公司应该台湾公司在存储芯片上应该合作，因为大
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紫光 NAND
- 市场调查机构DRAMeXchange近日发布的调查结果显示，到今年三季度，三星电子、SK海力士等韩企的3D NAND闪存半导体在全球整体NAND闪存市场所占份额有望超过50%。
闪存是指在断电情况下仍能存储数据的半导体，主要用于智能手机等移动终端的周边装置。3D NAND在2D NAND的基础上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韩产3D NAND将陆续上市，三星电子和美光科技(Micron)等企业于今年二季度起量产64层3D NAND，SK海力士将于三季度在全球最先推出72层的3
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NAND SK海力士
- 内存是半导体的主力产品之一，目前主要由动态随机存取内存(DRAM)及具备非挥发特性的NAND闪存(Flash)为最重要的两项产品。 不过，由于DRAM必须持续上电才能保存数据，NAND Flash又有读写速度较DRAM慢，且读写次数相对有限的先天限制，因此内存业者一直试图发展出新的内存架构，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非挥发特性
根据研究机构Tech Insights估计，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代内存，都已陆续进入小量生产阶段。 不过
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内存 NAND
- 面对全球信息化加速发展，以电子信息为代表的新一代信息技术产业呈爆发式增长态势。2016年陕西实现了新一代信息技术产业的持续高速增长，全年电子制造业总产值超过700亿元，同比增长50%以上，其中半导体产业产值达到500多亿元，位于“一带一路”核心地位的陕西是如何超前谋划，使新一代信息技术产业助力陕西在经济发展上实现“弯道超车”?半导体产业在其中又起了怎样重要的推动作用?新华社记者带你一探背后的奥秘。
西安高新区：聚焦新兴产业带动转型升级
近年来
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集成电路 闪存
- 伴随全球化带来的产业转移，中国半导体产业正向上游延伸。产业发展也进一步增强了兼收并购需求。
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东芝 闪存
- 希望大家平时一定要注意这些消费陷阱，买到真正优秀的好手机。
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闪存 SoC
- 2017年将是3D NAND Flash应用市场快速崛起的关键年，包括三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、东芝(Toshiba)等陆续推出具竞争力的64层3D NAND Flash加入竞局，SK海力士(SK Hynix)更一举跳到72层3D NAND Flash技术以求突围，由于新旧技术转换，良率仍不稳定，加上固态硬碟(SSD)需求起飞，造成NAND Flash市场大缺货，业者预期2017年下半产出可望大增，全面开启3D NAND Flash时代。
三星在2
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三星 NAND
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季将会开始呈现反转，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑，并在 2019 年重新陷入一个相对低点。
Gartner 表示，自 2016 年中期以来，随着 NAND Flash 的涨价，SSD 的每字节的成本也出现了惊人上涨。 不过，这种上涨趋势将在本季达到顶峰。 其原因在于中国厂商大量投入生产的结果，在产能陆续开出后，市场价格就一反过去的涨势，开始出现下跌的情况。
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