- 韩国三星公司刚刚宣布旗下的最新一代采用3D垂直闪存(V-NAND)的固态硬盘驱动器已经开始进行量产。最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比，具有包
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3D垂直闪存 V-NAND 固态硬盘
- 三星最新的产品是一种面向企业级应用、高可靠的固态盘存储--V-NAND固态盘。最新用于固态盘V-NAND技术带来性能上的提升，节省电力消耗，并提高了急需
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三星 V-NAND 3D 固态盘
- 现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展，我们之前也报道过Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop，I
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3D NAND SSD 存储技术
- 随着DRAM和NAND技术持续迈向更先进几何制程与多层次存储器的道路，IC Insights密切观察有关DRAM和NAND供应商的最新动态，期望能提供更清楚的DRAM/NAND发展
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NAND DRAM
- 新春过后不久，Spansion又带来了它的得意新作——Spansion® HyperBus™ 接口和基于该新接口的产品家族HyperFlash™ NOR闪存设备。据悉，搭载了
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最快 闪存 突破 接口
- 2013年 08月02日，中国北京 — 行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion 公司(纽约证交所代码：CODE)今天宣布已经完成对富士通半导体有限
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富士通 嵌入式 闪存
- 市调机构集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange调查显示，第4季各项NAND Flash终端需求确立旺季不旺，加上厂商库存水位依旧偏高，采购意愿薄弱，
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NAND Flash
- 由于闪存比传统媒介有着更为明显的优势，在过去一年里，闪存的普及率开始飙升。不过，我们总是很难判断不同闪存产品之间的区别。在本文中，我
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NFS PCIe NAS DRAM 闪存
- 在全球第二大DRAM芯片制造商的密切关注之下，2D或者说平面NAND仍将在3D技术普及之前继续统治存储领域。作为佐证，美光(Micron)公司有意将这套已出现两
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美光 企业级闪存 NAND
- LSI SandForce详细介绍了其下一代固态硬盘(SSD)控制器内置的全新纠错方法，称为SHIELD。SandForce在在加利福尼亚州圣克拉拉召开的Flash Memory Summit峰会上披
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LSI 闪存 SSD
- 2013年 08 月 15 日，中国北京 — 行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion 公司(纽约证交所代码：CODE)今日宣布起诉台湾旺宏电子股份有限
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Spansion 旺宏电子 闪存
- 如何用SmartPRO 6000纠正NAND Flash烧录过程位反转,关于使用烧录器烧录Nand Flash，一直都是很多用户头疼的难点，他们强调已经使用了正确的坏块管理方案，也制定了规范的操作流程，但是烧录的良品率还是无法提高，只能每天眼睁睁看着一盘盘“废品”被烧录器筛选出来!
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烧录 SmartPRO 6000 Nand Flash
- 最近随着SSD采用3D NAND Flash出货比重越来越高，许多半导体厂商也开始吹起了3D NAND Flash投资热潮。其中，又以三星电子率先在这场竞争中获益最多，取得领先地位。
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3D NAND 三星
- 存储器作为四大通用芯片之一，发展存储芯片产业的意义不言而喻。对电子产品而言，存储芯片就像粮食一样不可或缺。它与数据相伴而生，哪里有数据，哪里就会需要存储芯片。而且随着大数据、物联网等新兴产业的发展，存储产业与信息安全等亦息息相关。
当前，我国笔记本、智能手机出货量均居全球首位。华为、联想等厂商崛起，以及阿里巴巴、腾讯、百度等互联网厂商带动数据中心爆发，使得国产厂商对存储需求量巨大。
相关数据显示，2015年大陆DRAM采购规模估计为120亿美元、NAND Flash采购规模为66.7亿美元
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3D NAND DRAM
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