最近随着SSD采用3D NAND Flash出货比重越来越高，许多半导体厂商也开始吹起了3D NAND Flash投资热潮。其中，又以三星电子率先在这场竞争中获益最多，取得领先地位。
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3D NAND 三星
存储器作为四大通用芯片之一，发展存储芯片产业的意义不言而喻。对电子产品而言，存储芯片就像粮食一样不可或缺。它与数据相伴而生，哪里有数据，哪里就会需要存储芯片。而且随着大数据、物联网等新兴产业的发展，存储产业与信息安全等亦息息相关。
当前，我国笔记本、智能手机出货量均居全球首位。华为、联想等厂商崛起，以及阿里巴巴、腾讯、百度等互联网厂商带动数据中心爆发，使得国产厂商对存储需求量巨大。
相关数据显示，2015年大陆DRAM采购规模估计为120亿美元、NAND Flash采购规模为66.7亿美元
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3D NAND DRAM
美光(Micron)3D NAND固态硬碟(SSD)产品方才正式面市，紧接又宣布将推出首款针对移动装置最佳化的3D NAND产品，这也是美光首款支援通用快闪储存(Universal Flash Storage;UFS)标准之产品。
美光移动事业行销副总Gino Skulick在接受EE Times专访表示，美光为移动装置所推出的首款3D NAND为32GB产品，锁定中、高阶智能型手机市场，此区块市场占全球智能型手机总数的50%。
而这也是业界首款采用浮动闸极(Floating Gate)技
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美光 3D NAND
NAND在今日储存市场中占有一席之地，而为了延长NAND的使用寿命，近来有研究提出，透过机器学习(Machine Learning)的应用，可让NAND的储存容量、耐久性以及资料保存达到最佳化。
InformationWeek网站报导，近期数位资料储存顾问机构Coughlin Associates于快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)揭露了一篇论文指出，NAND因重覆读写而使储存单元劣化、致使耐用度降低的情况，将可望因机器学习的应用而改善，使其生命周期延长。
一般来说
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NAND SSD
相对于旧式 HDD 硬盘的式微，NAND 闪存及 SSD 固态硬盘的发展就成了储存市场的潮流风向。不论是在移动设备、个人电脑、或是数据中心等市场上都在快速成长。而目前因为中国已经成为 NAND 闪存的最大市场，而 SSD 固态硬盘也是成长最快的市场。因此，也吸引了各家中国本土厂商的竞相投入。
在NAND 闪存的市场部分，根据 TrendForce 旗下的 DRAMeXchange 的最新研究报告显示，中国市场消耗的 NAND 闪存越来越多，2017 年将占到全球市占率的 30% ，而到了 202
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NAND SSD
中国正在下大力度推进存储产业的发展，3D NAND被认为是一个有利的突破口。
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3D NAND 存储器
在进展缓慢的储存技术世界里，NAND Flash的普及速度算是极快，几乎每种储存产品都有其足迹，最主要原因就是速度。据TechTarget报导，NAND Flash刚推出时是市场上最昂贵的储存装置，后来供应商发现只要加入相对小量的快闪存储器，便可以大幅提升效能以快闪存储器技术为基础的储存装置也开始大受欢迎。
由美光(Micro)和英特尔(Intel)合作开发的3D XPoint技术，以及IBM根据相变化存储器(Phase Change Memory)修正后开发的新型态储存装置，在速度、耐用性和重
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NAND SSD
目前3D NAND由三星电子独家量产，但是先有东芝杀入敌营，如今美光也宣布研发出3D NAND，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下句点，3D NAND flash大战即将开打!
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美光 3D NAND
全球业界首选光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批准对近期扩建的中国上海厂的下一阶段投资计划;该厂由TPI独资子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 运营。TPI将对此工厂再投资8000万美元以展现其对中国快速成长的半导体产业及客户之长期承诺。TPI先前已投资2000万美元扩建上海二厂(TPCS Shanghai II);该厂现已量产并且为中国唯一提供全方位技术及产品的商业光掩模厂。
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DRAM NAND
美光科技有限公司今日推出了首项适用于移动设备的 3D NAND 存储技术，并推出了基于通用闪存存储 (UFS) 2.1 标准的首批产品。美光的首项移动 3D NAND 32GB 解决方案主要面向中高端智能手机细分市场，这一细分市场大约占据全球智能手机总量的 50%[1]。随着移动设备替代个人电脑成为消费者的主要计算设备，用户行为对设备的移动内存和存储要求产生了极大影响。美光的移动 3D NAND 解决了这些问题，实现了无与伦比的用户体验，包括流畅传输高分辨率视频、更高的游戏带宽、更快的启动时间、更好的
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美光 NAND
近日在加州圣克拉拉举行的闪存峰会(Flash Memory Summit)上，镁光公布了他们的首款 3D NAND 闪存芯片。这种闪存芯片在不改变尺寸的情况下能提供更多的储存空间。据 PCWorld 报道，镁光这款 3D 闪存芯片的容量为 32GB，其目标市场为中高端的智能手机。该产品基于新的 UFS 2.1 标准，市面上的智能手机均未使用这种理论上更快的储存协议。
镁光认为智能手机对内存容量的需求越来越高，虚拟现实应用和流媒体都将占用大量的储存空间。他们表示，在几年
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镁光 NAND
中中国下决心做存储器芯片，是个特别重大，而又十分艰难的决定，国存储器业要取得成功，总体上产业发展有三条路径，研发，兼并及合资，合作都是十分有效，然而经过一段时间的实践，有一定进展，但是情况也有些变化，这一切唯有通过研发的早日成功，才能扭转被动的局面。
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存储器 NAND
据韩国经济报导，大陆半导体产业在政府的强力支援下，清华紫光与武汉新芯采行攻击性投资策略，迫使南韩、日本、美国等主要半导体业者也纷纷强化投资。
市调业者DRAM eXchange表示，全球半导体市场中，NAND Flash事业从2011~2016年以年均复合成长率(CARG)47%的速度成长;清华紫光以新成立的长江存储进行武汉新芯的股权收购，成立长江存储科技有限责任公司，未来可能引发NAND Flash市场版图变化。
清华紫光拥有清华大学的人脉，在社会上拥有一定的影响力，武汉新芯拥有技术方面
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三星 3D NAND
上周东芝及WD(西部数据)宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。外电报道，三星将抢先于今年底前开始量产64层3D NAND，三星表示，目标是今年生产4G V-NAND，可能意即为64层3D NAND。
SSD(固态硬盘)近年来制程技术演进，成本价格逐渐逼近硬盘(Hard disk)，因此渗透率大增，各大厂陆续将生产DRAM产能逐渐转向NAND Flash(储存型快闪记忆体)，大抢市占率，除了比市
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三星 NAND
上周东芝及WD(西部数据)宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。外电报道，三星将抢先于今年底前开始量产64层3D NAND，三星表示，目标是今年生产4G V-NAND，可能意即为64层3D NAND。
SSD(固态硬盘)近年来制程技术演进，成本价格逐渐逼近硬盘(Hard disk)，因此渗透率大增，各大厂陆续将生产DRAM产能逐渐转向NAND Flash(储存型快闪记忆体)，大抢市占率，除了比市
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东芝 NAND
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