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flash 文章 最新资讯

存储涨价后遗症来了

  • 此前,国家发改委价格监测中心发文称,2025 年 9 月至今,受需求「爆发式」增长、产能「断崖式」紧缺等因素影响,全球存储器市场缺口扩大,存储芯片价格持续上涨,近 1 个月多以来,涨幅呈现扩大态势,建议关注存储芯片对下游价格的影响。那么下游哪些产业会受到影响呢?全品类存储价格全线冲高,涨价潮持续加码硬件存储价格的暴涨已持续半年,上行趋势仍在持续强化。本轮涨价覆盖了 DRAM、NAND Flash 两大主流存储品类,以及 Nor Flash、车规级存储等细分赛道,呈现出「全品类普涨、涨幅
  • 关键字: DRAM   Flash  

NOR FLASH火了

  • 闪存包括 NOR Flash(或非闪存)和 NAND Flash(与非闪存),其中 NAND Flash 占据闪存市场 95% 以上份额。NOR Flash(或非闪存)凭借独特的技术特性,在工业、汽车等专业领域占据一席之地。作为非易失闪存的两大核心技术路径之一,NOR Flash 历经数十年发展,在物联网、汽车电子、AI 服务器等新兴场景的驱动下,正从「小众利基市场」迈向「高成长赛道」。而在这一浪潮中,本土 MCU 企业的布局尤为关键。以中微半导为代表的本土企业,正凭借 MC
  • 关键字: NOR Flash  

中微半导发布首款Flash芯片,进军存储领域

  • 1月19日,中微半导发布了一则自愿性公告,宣布即将推出其首款非易失性存储器芯片,正式进入Flash领域。这一产品型号为CMS25Q40A,是一款容量为4M bit的低功耗SPI NOR Flash芯片。该芯片的存储阵列被划分为2048个可编程页,每页容量为256字节,单次编程操作最多可写入256字节数据。它支持多种擦除方式,包括1KB扇区擦除、4KB扇区擦除、32KB块擦除、64KB块擦除及整片擦除。其核心特点包括低成本、低功耗、SPI高速读写以及掉电不丢失等。性能参数方面,CMS25Q40A采用1.65
  • 关键字: 中微半导   Flash   存储   CMS25Q40A  

NOR Flash、MEMS与传感器、功率器件三大领域洞察

  • 进入2026年,NOR Flash的基本面与DRAM和NAND形成显著差异:其定价保持稳定,基本不受存储周期性波动影响。同时,市场需求正日益转向适用于汽车、工业及真无线耳机(TWS)等领域的更高密度SPI NOR产品。更大的固件容量、无线升级(OTA)需求以及边缘AI的集成,共同推动了高密度NOR Flash设备的采用,尤其是从128Mb向256Mb及以上容量的升级。尽管出货量趋于平稳,但产品密度的提升、漫长的认证周期以及向55-40纳米工艺稳定迁移,将持续驱动其价值增长。得益于供需结构的稳定,NOR F
  • 关键字: NOR Flash   MEMS   传感器   功率器件  

兆易创新GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash

  • 一、产品概述中国北京(2025年4月15日)—— 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash,该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理(BBM)功能,可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案,GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇,成为安防、工业、IoT等快
  • 关键字: 兆易创新   GD5F1GM9   QSPI NAND Flash   CES 2026  

BiCS FLASH进阶时,加速存储新进化

  • AI算力需求爆炸,海量数据频繁调动,致使存储行业变得愈发重要。无论是当下的生成式AI,还是即将到来的AI智能体、端侧AI,高性能、高密度、高能效存储解决方案都将作为可靠的硬件基础,进而解决数据中心、AI训练推理以及移动设备在数据存储与访问的瓶颈问题。在众多存储技术发展路径中,铠侠BiCS FLASH 3D闪存技术为行业提供了大量支持,也是高性能存储中,不可缺少的关键角色。铠侠作为闪存技术的发明者,秉承着Bit Cost Scalable Flash的理念,BiCS FLASH在2D NAND遇到容量提升瓶
  • 关键字: BiCS FLASH   3D闪存   铠侠  

用铠侠BiCS Flash,为AI算力创造新可能

  • AI的计算、数据传输与存储已经成为当下数据中心和服务器端最为关注的问题之一。在有限的空间和成本内如何实现更高的收益,如何让存储方案给计算单元提供充足的数据支持,加速数据交换,节省电力和散热成本都值得探讨,其中就包括闪存技术如何扮演起关键角色。闪存技术最初被广泛应用在消费级产品中,旨在缩小存储方案占用空间、提升性能。随着闪存技术的不断升级,这项技术已经从成为消费级产品存储主力,并紧接着在网络、云计算的企业级存储中提供高速的数据存取支持。如今数据存储正在迈向AI时代,通过大量创新型的存储方案创造更多可能性。例
  • 关键字: 铠侠   BiCS Flash  

第二季度NAND收入环比增长22%

  • TrendForce集邦咨询表示,第二季度NAND收入前五大供应商的总收入环比增长22%,达到146.7亿美元。三星第二季度收入环比增长 23.8% 至 52 亿美元,将三星的市场份额小幅提升至 32.9%。海力士第二季度收入环比增长 52.5%,达到 33.4 亿美元,市场份额为 21.1%。铠侠第二季度营收环比增长11.4%至21.4亿美元,环比增长11.4%,排名第三。美光收入环比增长 3.7%,达到 21 亿美元,市场份额为 13.3%。SanDisk 的收入环比增长 12.2% 至 19 亿美元
  • 关键字: NAND   Flash   TrendForce  

内存涨价轮到NOR Flash! 第四季全面涨势更凶狠

  • 终端需求低迷,影响编码型闪存(NOR Flash)价格一度积弱不振,不过近期业界惊传,中国市场NOR Flash率先从第3季起,调涨报价5~10%,尽管市场仍处于买卖拉扯,但受到近期原材料以及封测成本双重提高,业界预期,随着近期市场涨价风声蠢蠢欲动,NOR Flash价格将从第4季在各区域市场全面反映报价调涨, 单季涨幅将达双位数百分比。相较于DRAM市场价格近来明显走扬,不仅DDR4身价暴涨,需求正逐渐萎缩的DDR3现货价格也止跌反弹,相较于6月底的行情,近2个月来现货价格已上涨约3成多,反映业界在担忧
  • 关键字: 内存   NOR Flash  

「STM32 Flash 操作全解析」擦除、写入、读取一网打尽!附完整源码

  • 在嵌入式开发中,MCU 内部的 Flash 常用于存储配置信息、日志数据或用于 OTA 升级。STM32F4 系列 MCU 提供了对 Flash 的灵活操作能力,包括按扇区擦除、字节或半字写入等。本文将围绕一段实际使用的 Flash 操作代码进行讲解,主要涉及 Flash 的擦除、写入与读取功能。一、Flash 结构及操作基本原理STM32F4 MCU 的 Flash 存储器按照扇区(Sector)划分,每个扇区大小不一,例如在 STM32F407 中,前四个扇区大小为 16KB,第五个为 64KB,之后
  • 关键字: STM32   Flash  

NAND Flash合约价 Q3看涨10%

  • 根据TrendForce预估,第三季NAND Flash价格走势,预估平均合约价将季增5%至10%,但eMMC、UFS产品,因智慧手机下半年展望不明,涨幅较低。client SSD市场因OEM/ODM上半年去化库存情况优于预期,增强第三季回补动能。 而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引发换机潮,以及DeepSeek一体机热潮,皆带动client SSD需求。此外,部分原厂积极推动大容量QLC产品,带动出货规模。 综合以上因素,预估第三季client SSD将季增3%至8%。随NVIDIA B
  • 关键字: NAND Flash  

如何让QLC技术成为主流?

  • 纵观整个电子行业,往更高密度的集成电路发展无疑是主流趋势。相对于逻辑电路追求晶体管密度提升,类似于FLASH NAND这样的非易失性存储还需要考虑到电子的稳定保存,单纯的提升制造工艺并不能很好的解决所有存储问题,在稳定保存的前提下追求更高的存储密度才能确保新技术、新产品可持续发展,存储单元向上要空间成为顺理成章的事情,因此在SLC(Single-Level Cell)之后才有MLC(Multi-Level Cell),TLC(Triple-Level Cell),以及日渐成为主流的QLC(Quad-Lev
  • 关键字: AI推理   QLC   NAND Flash  

兆易创新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash, 突破性读取速度,助力应用快速启动

  • 近日,兆易创新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash,该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理(BBM)功能,可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案,GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇,成为安防、工业、IoT等快速启动应用场景的理想之选。GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24n
  • 关键字: 兆易创新   Flash   NAND  

AI推理应用爆发推升QLC NAND Flash市场需求

  • AI推论快速成长,QLC NAND Flash成为企业级储存解决方案的新宠。 相较于传统的TLC NAND,QLC具备更高存储密度与更低成本,适合以读取为主的AI推论工作负载。 法人分析,台厂如群联、威刚、宇瞻等存储器模组厂,有望从中受惠。根据调研机构预测,2025年QLC NAND产能将达250.48亿Gb,占NAND总产能的22.2%,渗透率逐步提升。AI推论服务器主要负责分析以及处理大量数据,而这类应用访问模式以读取为主,写入频率相对较低,正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存储密度
  • 关键字: AI推理   QLC   NAND Flash  

兆易创新推出GD25NE系列SPI NOR Flash

  • 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice近日宣布推出专为1.2V SoC应用打造的双电压供电SPI NOR Flash产品——GD25NE系列。该系列产品无需借助外部升压电路即可与下一代1.2V SoC实现无缝兼容,此产品的面世将进一步强化兆易创新在双电压供电闪存解决方案领域的战略布局。凭借更高的性能和更低的功耗,GD25NE系列可充分满足市场对于先进嵌入式存储解决方案日益增长的需求,成为智能可穿戴设备、医疗健康、物联网、数据中心及边缘人工智能应用的理想选择。GD25NE系列SPI NOR
  • 关键字: 兆易创新   SPI NOR Flash  

NAND Flash市况 有望6月复苏

  • NAND Flash控制芯片厂慧荣科技总经理苟嘉章预期,NAND Flash市况将于6月好转,下半年表现将优于上半年,甚至不排除供应吃紧的可能性。苟嘉章指出,2025年第一季NAND Flash虽小幅下跌,但供应商已开始坚守价格,避免市场陷入低迷行情。他强调,供应商根据市场状况自然调节供给,是NAND Flash供需好转的主因之一,2025年NAND Flash位元供给,估计将增加上看20%。美国商务部对出口至中国大陆的存储器制造设备实施管制,也将延缓中国大陆厂商在DRAM领域的扩张步伐。尽管中国大陆部分
  • 关键字: TrendForce   集邦咨询   NAND Flash  

NAND Flash厂商2025年重启减产策略,以缓解供需失衡和稳定价格

  • 根据TrendForce集邦咨询最新研究报告指出,NAND Flash产业2025年持续面临需求疲弱、供给过剩的双重压力。在此背景下,除了Micron(美光)率先宣布减产,Kioxia/ SanDisk(铠侠/闪迪)、Samsung(三星)和SK hynix/ Solidigm(SK海力士/思得)也启动相关计划,可能长期内加快供应商整合步伐。TrendForce集邦咨询表示,NAND Flash厂商主要通过降低2025年稼动率和延后制程升级等方式达成减产目的,背后受以下因素驱动:第一,需求疲软
  • 关键字: NAND Flash   减产   TrendForce   集邦咨询  

嵌入式软件OTA升级,有哪几种FLASH划分方式?

  • 很多嵌入式硬件设备都集成了OTA功能,以便产品量产后可以通过远程OTA等方式下载的APP应用程序。在使用带有OTA功能的固件之前,其实还需要提前下载BootLoader程序,才能进一步下载APP程序,今天就来说说通过OTA方式升级固件时,几种Flash(闪存)划分方式。独立型
  • 关键字: 嵌入式   OTA   FLASH  

3Q24 NAND Flash营收季增4.8%,企业级SSD需求强劲,消费性订单未复苏

  • 根据TrendForce集邦咨询最新调查,2024年第三季NAND Flash产业出货量位元季减2%,但平均销售单价(ASP)上涨7%,带动产业整体营收达176亿美元,季增4.8%。TrendForce集邦咨询表示,不同应用领域的NAND Flash价格走势在今年第三季出现分化,企业级SSD需求强劲,推升价格季增近15%,消费级SSD价格虽有小幅上涨,但订单需求较前一季衰退。智能手机用产品因中国手机品牌严守低库存策略,订单大量减少,第三季合约价几乎与上季持平。Wafer受零售市场需求疲软影响,合约价反
  • 关键字: NAND Flash   企业级SSD   TrendForce   集邦咨询  

兆易创新GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash荣获ISO 26262 ASIL D功能安全认证证书

  • 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice近日宣布,旗下GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash获得由国际公认的测试、检验和认证机构SGS授予的ISO 26262:2018 ASIL D汽车功能安全认证证书。这一成就不仅有力印证了GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash在严苛汽车应用场景中的卓越安全性能和可靠性,也进一步巩固了公司在SPI NOR Flash领域的领导地位。随着汽车电子电气组件数量的指数级增长,其安全性需求日益凸显。ISO 26262作为国际权威汽车功能
  • 关键字: 兆易创新   SPI NOR Flash  

2024二季度NAND Flash出货增长放缓,AI SSD推动营收季增14%

  • 根据TrendForce集邦咨询最新调查,由于Server(服务器)终端库存调整接近尾声,加上AI推动了大容量存储产品需求,2024年第二季NAND Flash(闪存)价格持续上涨,但因为PC和智能手机厂商库存偏高,导致第二季NAND Flash位元出货量季减1%,平均销售单价上涨了15%,总营收达167.96亿美元,较前一季增长了14.2%。第二季起所有NAND Flash供应商已恢复盈利状态,并计划在第三季扩大产能,以满足AI和服务器的强劲需求,但由于PC和智能手机今年上半年市场表现不佳,
  • 关键字: TrendForce   集邦咨询   NAND Flash   AI SSD  

TrendForce:今年 Q2 NAND 闪存出货增长放缓,AI SSD 推动营收环比增长 14%

  • IT之家 9 月 9 日消息,TrendForce 集邦咨询今天下午发布报告指出,由于服务器终端库存调整接近尾声,加上 AI 推动了大容量存储产品需求,今年第二季度 NAND Flash(闪存)价格持续上涨。但由于 PC 和智能手机厂商库存偏高,导致 Q2 NAND Flash 位元出货量环比下降 1%,平均销售单价上涨了 15%,总营收达 167.96 亿美元(IT之家备注:当前约 1193.37 亿元人民币),较前一季实现环比增长 14.2%。各厂商营收情况如下:三星:第二季时积极回应客户对
  • 关键字: 内存   NAND Flash  

第八代BiCS FLASH厉害在哪里?

  • 第八代BiCS FLASH已然投入量产,意味着基于BiCS FLASH的产品也将得到新一轮升级。全新的BiCS FLASH无论在存储密度、性能都有了显著提升,特别是2Tb QLC NAND是当下业界内最大容量的存储器。为了让第八代BiCS FLASH突破存储限制,铠侠通过专有工艺和创新架构,实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡,所开发的CBA(CMOS directly Bonded to Array,外围电路直接键合到存储阵列)和3.6Gbps接口速度,给AI应用、数据中心、移动设备提供了更多潜在可能。技
  • 关键字: BiCS FLASH   闪存   flash   铠侠  

1000层3D NAND Flash时代即将到来

  • Lam Research 推出低温蚀刻新技术,为 1000 层 3D NAND 铺平道路。
  • 关键字: NAND Flash  

铠侠产能满载 传7月量产最先进NAND Flash产品

  • 《科创板日报》4日讯,铠侠产线稼动率据悉已在6月回升至100%水准、且将在7月内量产最先进存储芯片(NAND Flash)产品,借此开拓因生成式AI普及而急增的数据存储需求。据悉,铠侠将开始量产的NAND Flash产品堆叠218层数据存储元件,和现行产品相比,存储容量提高约50%,写入数据时所需的电力缩减约30%。 (MoneyDJ)
  • 关键字: 铠侠   NAND Flash  

三星1000层NAND目标,靠它实现

  • 三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期,V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出,三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)实现目标,且可能是关键。目前,三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器,而据业内消息,三星计划于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆叠技术,堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000 TB的存储容量里程碑,为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。最新消息是,KAIST的研究
  • 关键字: 三星   NAND   Flash  

第二季DRAM合约价涨幅上修至13~18%;NAND Flash约15~20%

  • 据TrendForce集邦咨询最新预估,第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%;NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%,全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小,约10%。403地震发生前,TrendForce集邦咨询原先预估,第二季DRAM合约价季涨幅约3~8%;NAND Flash为13~18%,相较第一季涨幅明显收敛,当时从合约价先行指标的现货价格就可看出,现货价已出现连续走弱,上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因,主要是除了AI以外的终端需求不振,尤其笔电、智能手机
  • 关键字: DRAM   NAND Flash   TrendForce  

Teledyne e2v宣布扩展其Flash CMOS图像传感器系列

  • Teledyne Technologies[纽交所代码:TDY]旗下公司、全球成像解决方案创新者Teledyne e2v宣布扩展其Flash™ CMOS图像传感器系列,推出Flash 2K LSA,该产品专门适用于需要使用大沙姆角(LSA)的激光轮廓应用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS图像传感器专为三维激光轮廓/位移应用和高速/高分辨率检测量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K传感器的衍生产品,适用于需要大沙伊姆弗勒角度的应用,其角度响应在30°角度下为四倍以上,在
  • 关键字: CMOS   图像传感器   Flash  

累计上涨100%还不停!消息称SK海力士将对内存等涨价 至少上调20%

  • 5月6日消息,供应链爆料称,SK海力士将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价,涨幅均有15%-20%。按照消息人士的说法,海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调,目前已累计上涨约60%-100%不等,下半年涨幅将趋缓。靠着存储涨价,三星电子2024年第一季营业利润达到了6.606万亿韩元。财报显示,三星电子一季度存储业务营收17.49万亿韩元,环比增长11%,同比暴涨96%,在整体的半导体业务营收当中的占比高达75.58%。三星表示,一季度存储市场总体需求强劲,特别是生
  • 关键字: SK海力士   三星   DDR5   NAND Flash   上涨  

EEPROM 和 flash 这样讲,早就懂了!

  • 前几天看到群里在讨论存储器,有些人一直搞不懂,今天给大家分享一篇文章总结一下。存储器分为两大类:RAM 和 ROM。RAM 就不讲了,今天主要讨论 ROM。rom最初不能编程,出厂什么内容就永远什么内容,不灵活。后来出现了prom,可以自己写入一次,要是写错了,只能换一片,自认倒霉。人类文明不断进步,终于出现了可多次擦除写入的EPROM,每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下,想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话,为此你要把单片机放紫外灯下照半小时
  • 关键字: 存储器   flash   EEPROM  

flash介绍

闪存(Flash ROM): 是一种电擦除非易失型存储器,由浮栅型场效应管构成,写入时,利用热电子注入,使浮栅带电;擦除时,则利用高压下的隧道效应,使浮栅失去电子。 FLASH闪存是半导体技术,内部是相对静态的,体积小,抗震性很高(便于携带)。加上半导体技术发展很快,价格下降也很快,这是目前的MP3大多数是用FLASH闪存的原因。 [ 查看详细 ]

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