中国正打造一个世界级的半导体产业，生产广泛用于电子设备的存储芯片。中国正斥资240亿美元打造一个世界级的半导体产业，将与一家美国公司合作生产广泛用于电子设备的存储芯片。
武汉新芯集成电路制造有限公司(XMC)发言人表示，武汉新芯周一将在湖北省武汉市动工兴建中国自己的首家闪存芯片工厂。这家芯片代工企业为中国政府所有。
武汉新芯去年与美国闪存生产商Spansion Inc. (CODE)结成合作伙伴，共同研发下一代芯片技术。Spansion后来在一桩50亿美元的全股票合并交易中被柏士半导体(C
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新芯 闪存
国内终于要有了存储，剩下的问题就是国产闪存应该如何与三星、Intel、东芝们竞争呢？初期的价格战是不可避免的，但长久来看还得是技术立足。
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3D NAND 存储
“失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。虽然无法预测需要多长时间，但希望能获得新生，成为一家能永久发展下去的企业”。东芝于2016年3月18日在东京召开了2016年度业务计划说明会，代表执行董事社长室町正志在会上这样说道。
东芝的一系列结构改革都已有了目标。在说明会前一天，东芝宣布将把医疗器械子公司——东芝医疗系统出售给佳能，将把白色家电业务出售给美的集团(参阅本站报道1)。关于个人电脑业务与其他公司进行业务合并一事，室町表示“希望在201
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东芝 NAND
东芝公司(Toshiba Corp., 6502.TO, TOSSY)周四称，将投资3,600亿日圆(合32亿美元)，用于扩大闪存芯片生产。这是东芝为保持与韩国对手三星电子(Samsung Electronics Co., 005930.SE)的竞争能力而推出的最新举措。
东芝预计，在截至3月底的当前财政年度内，公司将出现巨额亏损。东芝正在进行全方位的企业重组，包括削减数千个工作岗位和出售较小的部门等，旨在将重心放在半导体及核电厂业务上。
东芝说，这项3,600亿日圆的投资计划将跨越未来三
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东芝 闪存
为了进一步提高NAND Flash生产效益，2016年Flash原厂将切入1znm(12nm-15nm)投产，但随着逼近2D NAND工艺可量产的极限，加快向3D技术导入已迫在眉睫，2016年将真正迎来NAND Flash技术拐点。
1、积极导入48层3D技术量产，提高成本竞争力
与2D工艺相比，3D技术的NAND Flash具有更高的性能和更大的存储容量。3D技术若采用32层堆叠NAND Flash Die容量达128Gb，与主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本竞争力。
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3D NAND 2D
除供过于求价格下滑幅度加剧，现阶段主流NANDFlash制程转进已遇到瓶颈，另外开发与生产过程良率不佳的问题，制程转进所带来的成本下滑效益逐渐缩减。
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NAND 美光
2015年第四季整体 NAND Flash 市况持续供过于求，除通路颗粒合约价下滑9~10%外，智慧型手机、平板电脑与笔记型电脑等OEM装置出货不如预期，也让eMMC与SSD价格单季下滑幅度扩大至10~11%。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，在价格下滑幅度明显高于位元销售的情况下，第四季NAND Flash品牌商的营收较第三季衰退2.3%。该机构研究协理杨文得表示，除价格下滑幅度加剧外，现阶段主流NAND Flash製程转进已遇到瓶颈，三星(Sam
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NAND 三星
2015年第四季整体 NAND Flash 市况持续供过于求，除通路颗粒合约价下滑9~10%外，智慧型手机、平板电脑与笔记型电脑等OEM装置出货不如预期，也让eMMC与SSD价格单季下滑幅度扩大至10~11%。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，在价格下滑幅度明显高于位元销售的情况下，第四季NAND Flash品牌商的营收较第三季衰退2.3%。该机构研究协理杨文得表示，除价格下滑幅度加剧外，现阶段主流NAND Flash制程转进已遇到瓶颈，三星(Sam
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NAND SSD
今年，半导体行业将迎来几大重要的技术拐点。存储器制造商正逐步转向3D NAND技术，从而以更低的单位成本打造性能更出众、密度更高的存储设备。我们预计2016年所有主要存储器制造商都将实现3D NAND器件的批量生产。
由平面结构向3D NAND器件的过渡将带来一系列生产工艺上的新要求，促进了由材料所推动的芯片尺寸缩微，推升了对新材料、新工艺技术的需求。在这个背景下，对厚度和一致性能够进行精确的、原子级层到层控制的新型沉积和蚀刻设备，对于制造多层堆叠存储单元来说至关重要。此外，随着越来越多支持图案
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半导体 NAND
2015年中国半导体厂商在NANDFlash产业链相关的布局与投资逐渐加温。除了在晶圆制造端的布局外，主控芯片得益于在整体NANDFlash产业极大的战略地位，也将成为下一波中国半导体业值得关注的焦点。
TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示，在营运上中国国产主控芯片厂商除直接销售芯片外，多半推出完整的固态硬盘解决方案以便直接切入市场应用。主要目标客户群多以企业级存储、政府机关与国防军工等原先合作关系密切，或是有投资关系的战略伙伴为主。产品开发则倾力下个世代
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NAND SSD
在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技公司(Silicon Motion Technology Corporation,)于2月23至25日在德国纽伦堡举行的2016嵌入式世界展会，在1号厅160号展台向业界展示其针对汽车、工业和物联网应用的各种嵌入式存储及图形解决方案。 慧荣科技展台将展出如下产品： Ferri-eMMC®解决方案 Ferri-eMMC解决方案是一款集成了NAND闪存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸产
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慧荣科技 NAND
未来中国国产主控晶片产业与行业内公司的发展将呈现百花争鸣的态势，产品应用也有机会从企业级储存产品，向下延伸至消费性产品，这也是下一波国内半导体的焦点。
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NAND 半导体
在“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日于美国旧金山举行)会议上，NAND的大容量化和微细化、SRAM的微细化，以及DRAM的高带宽化等存储器 技术取得稳步进展，接连刷新了历史最高纪录。除了这些存储器的“正常推进”之外，此次的发表还涉及车载高可靠混载闪存等的应用、新型缓存及TCAM，内容 丰富。 存储器会议共有3个。分别以非易失存储器、SRAM、DRAM为主题。3场会议共有14项发表。其中有12项来自亚洲，日本有2项(内容均为非易失存储器)。下面来介绍
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存储器 NAND
全球DRAM市场先抑后扬。2015年DRAM收入预计下降2.4%，2016年将下降10.6%，有望在2017年与2018年迎来复苏。但是，预测随着中国公司携本地产品进入DRAM市场，DRAM价格将在2019年再次下降;占2014年内存用量需求20.9%的传统产品(桌面PC与传统笔记本电脑)产量预计在2015年下降11.6%，并在2016年进一步下降6.7%。
DRAM市场2016年供过于求
近期，我们对于DRAM市场的预测不会发生显著变化;2015年与2016年将遭遇市场总体营收下滑，而在
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3D NAND
根据日本当地的财经媒体《日经新闻(Nikkei)》近日报导，大厂东芝(Toshiba)已经决定出售半导体业务，仅留下快闪记忆体产品线;此举被视为是经历过假帐丑闻、付出高昂组织重整代价的该公司转亏为盈之必要步骤。
未来东芝将专注并强化在快闪记忆体与核能业务的投资与经营，该公司并将上述两大业务做为成长支柱。东芝目前是仅次于三星电子(Samsung Electronics)的全球第二大NAND快闪记忆体供应商，这也是该公司保留记忆体业务、将出售其他半导体业务的原因。
将出售的东芝半导体业务包括类
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Toshiba NAND
nand 闪存介绍
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