大陆国营企业武汉新芯(XMC)最近发表约240亿美元的投资计划，将以武汉为基地，兴建以生产NAND Flash为主的半导体工厂。依韩国业界看法，武汉新芯与三星电子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技术差距，但将是大陆市场上的潜在最大对手。
据韩联社报导，大武汉新芯最近发表27兆韩元(约240亿美元)的投资计划，将以武汉为基地，兴建以生产NAND Flash为主的半导体工厂。地方政府已从投资机构湖北省集成电路产业投资基金方面取得钜额资金。
韩联社引述EE Times
关键字：
新芯 NAND
国内大力扶持存储，各种巨额的投资项目争议不小，但是为了存储自主的未来，也值。
关键字：
存储器 3D NAND
东芝近日公布聚焦能源、社会基础设施、半导体存储业务领域，扩大在存储业务上的投资。为扩大3D闪存“BiCS FLASH TM”的生产，东芝在毗邻日本四日市工厂(三重县四日市市)的区域建造新厂房以及引进生产设备的投资方案已获得董事会批准。
闪存广泛应用于智能手机等产品，根据预测，以企业服务器和数据中心为主的需求今后也将不断扩大。东芝四日市工厂将进行改造以便于在3D闪存“BiCS FLASH TM”的生产中，能够高效利用与2D闪存通用的现有制造工序。在四
关键字：
东芝 闪存
不论是NAND闪存还是DRAM内存领域，韩国两家公司三星、SK Hynix总算还能保住吃香喝辣的日子，但美国的美光公司这两年就没啥舒服日子了，技术、产能都落后友商，偏偏现在又遇到了内存、闪存降价，跌跌不休的价格导致美光营收下滑了30%，当季净亏损9700万美元，对未来季度的预测同样悲观。
美光公司周三发布了截至今年3月3日的2016财年Q2财报，当季营收29.3亿美元，上季度为33.5亿美元，去年同期为41.66亿美元，同比下滑了30%。
美光当季毛利只有5.79亿美元，远远低于上季度的8
关键字：
DRAM NAND
在国家意志的推动下，中国存储企业大多是不差钱的主，完全可以在没有后顾之忧的情况下，砸出工艺，暴出产能，在如此力度的政策、资金扶持下，武汉新芯、紫光等中国企业能重演京东方在面板产业的逆袭么？
关键字：
存储器 NAND
新学期伊始，全国各地的大学生们也全部返校，开始了新学期紧张的学习生活。新学期，新气象，没有一款得心应手的闪存盘怎么“涨姿势”呢?朗科闪存盘春季上新集合完毕，正在热切期待你的检阅!还有上班一族、商务人士，也来为自己选购一款新装备吧!
U712C闪存盘 朗科U712C作为一款闭着眼睛都能插上的闪存盘开启了闪存盘接口的革命，USB Type-C 新型接口让你可随心所欲的插入智能手机、平板电脑、笔记本，不用区分正反面，让傻傻分不清的你再也不用
关键字：
朗科 闪存
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，中国记忆体大厂武汉新芯新建记忆体晶圆厂将从本月底开始进行建厂工程，目标最快在2018年年初开始生记忆体晶片，初期规划将以目前最先进的3D-NAND Flash为主要策略产品，代表了近两年来中国极力发展记忆体产业的态势下，将开始进入新的里程碑。
DRAMeXchange研究协理杨文得指出，现阶段武汉新芯主要以生产NOR Flash为主，月产能约为2万片左右，在NAND Flash产业也展现强大的企图心。不同于国际NAND Fla
关键字：
NAND 存储器
国际半导体产业协会(SEMI)最新报告指出，3D NAND、DRAM与10奈米制程等技术投资，将驱动2016年晶圆厂设备支出攀升，预估2016年包括新设备、二手或专属(In-house)设备在内的前段晶圆厂设备支出将增长3.7%，达372亿美元;而2017年则可望再成长13%，达421亿美元。
SEMI指出，2015年晶圆厂设备支出为359亿美元，较前一年微幅减少0.4%;预测2016年上半年晶圆厂设备支出可望缓慢提升，下半年则将开始加速，为2017年储备动能。2017年相关支出可望回复两位数成
关键字：
晶圆 3D NAND
中国正打造一个世界级的半导体产业，生产广泛用于电子设备的存储芯片。中国正斥资240亿美元打造一个世界级的半导体产业，将与一家美国公司合作生产广泛用于电子设备的存储芯片。
武汉新芯集成电路制造有限公司(XMC)发言人表示，武汉新芯周一将在湖北省武汉市动工兴建中国自己的首家闪存芯片工厂。这家芯片代工企业为中国政府所有。
武汉新芯去年与美国闪存生产商Spansion Inc. (CODE)结成合作伙伴，共同研发下一代芯片技术。Spansion后来在一桩50亿美元的全股票合并交易中被柏士半导体(C
关键字：
新芯 闪存
国内终于要有了存储，剩下的问题就是国产闪存应该如何与三星、Intel、东芝们竞争呢？初期的价格战是不可避免的，但长久来看还得是技术立足。
关键字：
3D NAND 存储
“失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。虽然无法预测需要多长时间，但希望能获得新生，成为一家能永久发展下去的企业”。东芝于2016年3月18日在东京召开了2016年度业务计划说明会，代表执行董事社长室町正志在会上这样说道。
东芝的一系列结构改革都已有了目标。在说明会前一天，东芝宣布将把医疗器械子公司——东芝医疗系统出售给佳能，将把白色家电业务出售给美的集团(参阅本站报道1)。关于个人电脑业务与其他公司进行业务合并一事，室町表示“希望在201
关键字：
东芝 NAND
东芝公司(Toshiba Corp., 6502.TO, TOSSY)周四称，将投资3,600亿日圆(合32亿美元)，用于扩大闪存芯片生产。这是东芝为保持与韩国对手三星电子(Samsung Electronics Co., 005930.SE)的竞争能力而推出的最新举措。
东芝预计，在截至3月底的当前财政年度内，公司将出现巨额亏损。东芝正在进行全方位的企业重组，包括削减数千个工作岗位和出售较小的部门等，旨在将重心放在半导体及核电厂业务上。
东芝说，这项3,600亿日圆的投资计划将跨越未来三
关键字：
东芝 闪存
为了进一步提高NAND Flash生产效益，2016年Flash原厂将切入1znm(12nm-15nm)投产，但随着逼近2D NAND工艺可量产的极限，加快向3D技术导入已迫在眉睫，2016年将真正迎来NAND Flash技术拐点。
1、积极导入48层3D技术量产，提高成本竞争力
与2D工艺相比，3D技术的NAND Flash具有更高的性能和更大的存储容量。3D技术若采用32层堆叠NAND Flash Die容量达128Gb，与主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本竞争力。
关键字：
3D NAND 2D
除供过于求价格下滑幅度加剧，现阶段主流NANDFlash制程转进已遇到瓶颈，另外开发与生产过程良率不佳的问题，制程转进所带来的成本下滑效益逐渐缩减。
关键字：
NAND 美光
2015年第四季整体 NAND Flash 市况持续供过于求，除通路颗粒合约价下滑9~10%外，智慧型手机、平板电脑与笔记型电脑等OEM装置出货不如预期，也让eMMC与SSD价格单季下滑幅度扩大至10~11%。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，在价格下滑幅度明显高于位元销售的情况下，第四季NAND Flash品牌商的营收较第三季衰退2.3%。该机构研究协理杨文得表示，除价格下滑幅度加剧外，现阶段主流NAND Flash製程转进已遇到瓶颈，三星(Sam
关键字：
NAND 三星
nand 闪存介绍
您好，目前还没有人创建词条nand 闪存!
欢迎您创建该词条，阐述对nand 闪存的理解，并与今后在此搜索nand 闪存的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473