- Gartner发布初步统计结果，2014年全球半导体总营收为3398亿美元，与2013年的3150亿美元相比增长7.9%。前25大半导体厂商合并营收增长率为11.7%，优于该产业整体表现。前25大厂商占整体市场营收的72.1%，比2013年的69.7%更高。
Gartner研究副总裁Andrew Norwood表示：“就群体来看，DRAM厂商的表现胜过半导体产业其他厂商。这股趋势始于2013年DRAM市场因供给减少及价格回稳双重因素而蓬勃发展并持续至今，2014年营收也因而增长31.
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Gartner DRAM NAND
- 三星电子(Samsung Electronics) 为与其他尚无法生产V NAND的竞争业者将技术差距拉大到2年以上，并在次世代存储器芯片市场上维持独大地位，计划在2015年内量产堆叠48层Cell的3D垂直结构NAND Flash。
据首尔经济报导，三星近来已完成48层结构的V NAND研发，并着手研发后续产品64层结构V NAND。48层V NAND将于2015年内开始量产。原本韩国业界推测三星会在2015年下半完成48层V NAND，并在2016年才投入量产，然三星大幅提前了生产日程。
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三星 NAND Intel
- 全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange的数据表明，东芝2014年会计年度第二季(7月~9月)的NAND Flash营运表现最亮眼，位出货量季成长25%以上，营收较上季度成长23.7%。
东芝电子(中国)有限公司董事长兼总经理田中基仁在日前的2014年高交会电子展上也透露，2014年东芝在中国的闪存生意非常好，在高交会电子展上展示的存储技术和产品也是很有分量的，从MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的产品，并且东芝的技术动向，也在引领未来闪存的发展趋势。
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东芝 NAND 闪存 3D 201501
- 全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange的数据表明，东芝2014年会计年度第二季(7月~9月)的NAND Flash营运表现最亮眼，位出货量季成长25%以上，营收较上季度成长23.7%。 东芝电子(中国)有限公司董事长兼总经理田中基仁在日前的2014年高交会电子展上也透露，2014年东芝在中国的闪存生意非常好。东芝在高交会电子展上展示的存储技术和产品也是很有分量的，从MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的产品，并且东芝的技术动向，也在引领未来闪存的发展趋势。
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东芝 闪存 MLC MMC SLC BENAND
- 不久前，Spansion宣布面向嵌入式系统的全新工业级e.MMC产品系列。众所周知，Spansion于2012年推出了立足嵌入式应用的SLC NAND产品。至此，我们为SLC NAND解决方案发展了一个强大的客户群，而且我们还发现，这些客户对嵌入式集中规模存储解决方案的需求也越来越大。对于那些不仅仅是要购买一款“现成”产品的嵌入式客户而言，Spansion全新的e.MMC系列产品是一个完美的选择。
作为Spansion第一款管理型NAND产品系
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Spansion NAND
- 固态硬碟(SSD)战火正热，持续成为2015年产业焦点，NAND Flash控制芯片业者为了布局上游半导体大厂，使出浑身解数绑桩，传出慧荣将延揽前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division资深副总Gi Hyun Bae担任公司高层。
慧荣一向和SK海力士合作紧密，双方合作内嵌式存储器eMMC业务外，有机会延伸至SSD产品线上，2015年更是关键年，慧荣内部极度重视SSD产品线，立下通吃NAND Flash大厂和存储器模组两大族群的目标，看好公司营运
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SSD NAND Flash SK海力士
- NAND闪存已经成为固态存储的霸主，不过它也存在诸多问题，尤其是寿命随着工艺的先进化而不断缩短，TLC格式也引发了诸多质疑，因此研发一种可取而代之的新式非易失性存储技术势在必行。
从FRAM到相变式存储器，新选手不断涌现，但目前还未能挑战NAND的地位。直到最近，名为电阻式RAM的新贵出现了，它最被看好，三星、闪迪等巨头都在投入，不过，走在最前列的是一家美国创业公司Crossbar。
RRAM相较于NAND最大的优势就是更好的性能、寿命。NAND的读取延迟一般在几百微妙级别，Crossba
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NAND 三星 闪迪
- 记忆体市况今年将不同调;动态随机存取记忆体(DRAM)市场可望维持稳定获利，储存型快闪记忆体(NAND Flash)市场则有隐忧。
DRAM市场步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三强鼎立的寡占局面，各DRAM厂去年不仅全面获利，并且是丰收的一年。
台塑集团旗下DRAM厂南亚科去年可望首度赚进超过1个股本;美光与南亚科合资的华亚科去年获利也可望突破新台币400亿元，将创历史新高纪录。
NAND Flash市场竞争、变化相对激烈，且难以预料;去年下半
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DRAM 三星 海力士 NAND Flash
- 据国外媒体报道，东芝首席执行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示，公司将在始于明年4月份的下一财年决定在何处新建一座内存芯片工厂，并且在选择建厂地址时会考虑海外地区。
东芝在不到4个月前在四日市新开了一座NAND闪存芯片加工厂，田中久雄在接受采访时称，需求超过了产能，公司必须扩大产能。NAND闪存芯片主要被用于智能手机和其他电子产品。
田中久雄称：“三星已经在中国西安市建厂，海力士也在中国建了一座生产厂。”当被问及中国是否会是海外建厂的最佳地区时，他补充说
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东芝 NAND
- 智能手机全球迅速普及、终端记忆体的大容量化、大数据时代到来等，都将大幅增加对NAND型记忆卡的需求。
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东芝 三星 NAND
- 在设计及推广用于固态存储设备的NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其专为车载信息娱乐(IVI)系统设计的汽车级PATA及SATA FerriSSD解决方案。
FerriSSD解决方案旨在代替以往被广泛应用在车载IVI系统等嵌入式应用中的SATA及PATA硬盘驱动器。由于集成了NAND闪存及慧荣科技业界领先的控制器并采用小尺寸BGA封装，FerriSSD解决方案与传统的硬盘驱动器相比不仅运行速度更
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慧荣科技 NAND BGA
- 由于闪存技术的发展，闪存正从U盘、MP3走向电脑、存储阵列等更广泛的领域。虽然其速度较以往的机械硬盘有了较大幅度的提升，但纵观整个计算架构，闪存仍旧是计算系统中比较慢的部分。况且目前主流的MLC和TLC在写入寿命上都还不尽如人意，并且随着工艺水平的提升，其寿命和良率还有越来越糟的倾向。闪存生产线已经达到15nm的水平，存储密度难在攀升、寿命却大幅下降。所以业界各个巨头都在积极研究下一代非易失性存储技术。
日前，镁光在IEEE IEDM 2014(国际电子设备大会)上就公布了其最新的可变电阻式存储
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NAND MLC TLC
- TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange研究显示，美系厂商在第三季季底财报结算压力过后，不再采取积极价格战，使得原厂间战火稍缓。另一方面，因模组厂预期此波价格跌势将持续，再加上手中库存仍充足下，大多倾向12月月底再进行采购谈判，以争取更优惠的价格。因此，12月上旬因交易气氛冷清，NAND Flash合约价呈持平或仅微幅下跌0-2%。
DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮表示，在欧美圣诞节备货动能正式结束后，受到季节性因素影响，预期明(2015)年第一季全球智慧型手机
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NAND Flash eMMC
- 韩国时报(Korea Times)15 日报导，三星电子明年将投资半导体设备 13.5 兆韩圜，或相当于 120 亿美元，稍高于今年的 13 兆韩圜。
全球记忆体晶片市场目前由三星、SK 海力士与美光所把持，三大厂市占率合计来到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加设备资本支出的主要考量是明年策略将放在维持价格稳定与市场供需平衡。
据报导，三星看准储存型快闪记忆体(NAND Flash)的市场需求有望增加，因此考虑明年在大陆西安开设新厂房。除此之外，有鉴于 DRAM 的需求平稳，
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三星 SK 海力士 美光 NAND
- 2014年NAND Flash市场在便携式电子新品持续、快速更新的带动下表现出价格稳定、需求强劲的发展态势。尤其在下半年苹果iPhone6/6Plus新机上市备货需求强劲与OEM业者进入出货旺季的带动下，新制程的嵌入式产品自第三季起成为市场主流，三星、东芝这些存储行业大牌的表现尤为出色。据市场调研机构TrendForce最新报告，2014年第三季度东芝NAND Flash产品营收环比大增23.7%，稳居世界前二位，其中15nm新制程的产出比重持续增加。
在今年的高交会上，记者也对东芝新制程的存储
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