- 全球整合式芯片解决方案的领导厂商美满电子科技(Marvell，纳斯达克代码：MRVL)今日宣布，推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。这款业界领先的产品采用了Marvell第三代NANDEdge™ 纠错、低密度奇偶校验(LDPC)技术，使消费类及企业级SSD便于采用15nm TLC NAND闪存。先进的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器显著降低了存储系统的总体成本，功耗更低，并提供无与伦比的性能。 Marvell公司总裁、联合创始人
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Marvell 控制器 NAND
- 东京—东芝公司(TOKYO：6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，即日起开始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本标准的32GB和64GB嵌入式NAND闪存模块的样品出货。东芝在业内率先提供此产品[2]。 这两种模块还集成了UFS 2.0版本的可选功能——5.8Gbps高速MIPI® M-PHY®[3]HS-G3 I/F，并实现了超高性能，包括650MB/s的读取速度和180MB/s的写入速度。
传输速度的加快可缩短各
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东芝 嵌入式 闪存
- 据悉，TDK株式会社(社长：上釜健宏)将于2014年8月开始销售工业用NAND闪存模块SNG4A系列，该系列产品支持M.2插槽、是尺寸约22mm×42mm的小型SSD，通过采用SLC型NAND闪存使容量阵容可扩充至64GByte，并支持串行ATAⅡ。
目前，在消费用途方面M.2作为今后主流的form factor而备受关注，而在工业用途方面，预计M.2的采用也会得到推进。工业用主板所呈现出的趋势是在重视转发速度的同时，更加重视可靠性，许多装置的使用年限都超过了10年。
因此，考
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TDK 闪存 SNG4A
- 行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion 公司(纽约证交所代码：CODE)于2014年 05 月 08 日宣布对旺宏电子股份有限公司发起另外两项专利诉讼，控告其在 NOR Flash 和 XtraROM 等一系列广泛且不断扩大的存储产品中，在过往以及当前持续侵犯 Spansion 的诸多专利。Spansion 分别向美国国际贸易委员会(ITC)与北加利福尼亚州联邦地区法院递交了起诉书。
涉案的四项专利主要与闪存的制造、结构以及使用相关。在 2013 年 8 月向 ITC 与北加利
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Spansion 旺宏 ITC 闪存
- 科研投资
日本资深专业人士泉谷涉还说：2012年日本国内半导体产值约5万亿日元，占GDP的5%，但它对应用半导体的服务业、硬件业以及通过IT业以提高生产力的下游产业来计算，半导体产生的经济效益约为100万亿日元 ，两者之比达到1：20，如此给力，谁不动心?!但是，半导体业又一向被称为“食金虫”产业，没有国家的大力支持，没有生产设备和科研经费的巨大投入，那是美梦难圆的。
半导体设备投资也是引导世界经济增长的要素之一，它每年投资计划的发表还常关联到生产设备、材料公司的股
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半导体 NAND IC 201405
- 2014上海慕尼黑电子展期间，美光科技公司嵌入式业务部门营销高级总监Amit Gattani告诉《电子产品世界》，美光看好中国的前景，因为中国“十二五”计划当中明确提出要建立智慧城市、智慧交通、节能环保，实现可持续发展，注重汽车产业的节能排放以及创新，这一切都和美光公司的战略相吻合。 目前美光在上海有两个设计中心，主要是做硬件和集成电路设计，比如开发NOR闪存等产品，分别在浦东和漕河泾。还有2012年刚刚建成的美光公司系统工程实验室，旨在与客户实现更好的合作，创新开发各种解决方案。此外美光
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NOR 智慧城市 节能环保 闪存
- 全新Nytro产品闪存容量翻番，端口增加4倍，适用于大型数据中心。企业级PCIe闪存和缓存解决方案在数据中心的应用快速增长。 LSI公司日前宣布推出Nytro MegaRAID® 8140-8e8i闪存卡，进一步扩展了Nytro™产品组合。该闪存卡设计用于对磁盘数量和容量有较高要求的横向扩展服务器和存储环境，其可提供1.6TB的板载闪存容量和16个SAS/SATA连接接口。相对于现有的Nytro MegaRAID闪存卡而言闪存容量翻番，端口数增加4倍。 LSI®&nb
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Nytro LSI 闪存
- 在今天开幕的英特尔信息技术峰会(Intel Developer Forum，IDF14)上，英特尔公司副总裁兼非易失存储器解决方案事业部总经理Rob Crooke就当今固态盘(SSD)的市场状况、发展趋势以及英特尔固态盘业务的策略进行了全面剖析。 日益增长的固态盘市场需求 从1987年至今，非易失性存储器也早已从NOR时代切换到了NAND时代，闪存产品的容量更是从MB时代进入了TB时代。“首先，我们很高兴地看到，固态盘在市场需求方面，将保持高速成长的势头，”
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英特尔 SSD TB 闪存
- 智慧之石 作为电子工业发展基础的电子器件，已经历了三个巨大变革时代：1. 电子管时代――1905～1947(42年);2. 晶体管时代――1947～1958(11年);3. 集成电路时代――1958～…(到2014年已有56年)。 电子管的发明拉开了电子时代的序幕，为当时蓬勃发展的无线电报事业提供了核心器件，在它存在的40多年的时间里，推动了收音机、电视机、雷达、计算机的发明和应用。美国是电子工业发展的代表，1920年即开始广播，也是30年代最早开始电视广播的国家之一
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NAND DRAM PC 201404
- 全球行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商 Spansion 公司与先进存储与Integrated Silicon Solution 公司日前共同宣布，双方已签署授权协议。根据该协议ISSI 将能够获得 Spansion 的专利组合，以开发与生产特殊闪存产品。 ISSI 闪存业务开发部副总裁 Manjunatha V. Kashi 表示：“对于能够与Spansion&n
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Spansion ISSI 闪存
- 大多数可编程阵列使用易失性存储器SRAM作为配置数据存储元件。最近，有人尝试使用非易失性存储器(NVM)替代SRAM。基于NVM的FPGA是嵌入式IP应用的理想选择，其架构和许多增强功能可改善芯片集成度、IP使用率和测试时间。Robert Lipp等人提出了一种采用浅沟槽隔离(STI)工艺的高压三阱EEPROM检测方案。
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可编程 闪存 SRAM SST SCE
- RL78产品的闪存，分为数据闪存区和代码闪存区。数据闪存区用于存储数据，而代码闪存区用于用户代码及数据的存储。对于无内置数据闪存区的产品，使用代码闪存区存储数据，通常是成本导向的最佳方案。本文中作为示例的RL78/I13，是一款具有内置数据闪存区的产品，但是它的代码闪存区也可兼作数据闪存区。
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闪存 编程 RL78
- 全球领先的半导体及解决方案供应商瑞萨电子株式会社日前宣布其已研发出业内首项应用于28 nm制程工艺的微控制器(MCU)的28纳米(nm)闪存知识产权(IP)。 现代发动机油耗不断降低，要求新型控制机制能够对应新式燃烧方法的引入以及小型化所带来的进一步系统升级。高速实时处理，例如根据对多个传感器的反馈而产生的载荷变化在多种控制算法之间进行动态切换将成为必备功能，车用MCU中将需要具备当前性能的三到五倍的性能。此外，随着ECU数目的不断增多，如果我们考虑电源方面的限制，比如汽车临时停车时关掉发
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瑞萨 MCU 28nm 闪存
- 全球市场研究机构TrendForce 旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange 表示，在NAND Flash业者原先对于 2013年第四季终端装置出货过于乐观，导致产出成长高于后续实际需求而让市况呈现供过于求，以及SK海力士(Hynix)火灾影响 NAND 产能调配等因素下，2013年第四季 NAND Flash 品牌供应商营收较第三季下滑4.5%，来到61亿6,800万美元。
2013年全年整体市况与供需产销较2012年改善不少，因此第四季营收较 2012年同期增加16%;DRAMeXch
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NAND DRAM
- 全球行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion 公司日前宣布推出突破性的 Spansion® HyperBus™ 接口，它能极大地提高读取性能并减少引脚数量和空间。主要的片上系统(SoC)制造商都正在广泛部署Spansion HyperBus接口。
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nand 闪存介绍
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