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nand 闪存 文章 进入nand 闪存技术社区

美光在上海加大研发,实现“中国设计”

  •   2014上海慕尼黑电子展期间,美光科技公司嵌入式业务部门营销高级总监Amit Gattani告诉《电子产品世界》,美光看好中国的前景,因为中国“十二五”计划当中明确提出要建立智慧城市、智慧交通、节能环保,实现可持续发展,注重汽车产业的节能排放以及创新,这一切都和美光公司的战略相吻合。  目前美光在上海有两个设计中心,主要是做硬件和集成电路设计,比如开发NOR闪存等产品,分别在浦东和漕河泾。还有2012年刚刚建成的美光公司系统工程实验室,旨在与客户实现更好的合作,创新开发各种解决方案。此外美光
  • 关键字: NOR  智慧城市  节能环保  闪存  

LSI Nytro新品支持横向扩展

  •   全新Nytro产品闪存容量翻番,端口增加4倍,适用于大型数据中心。企业级PCIe闪存和缓存解决方案在数据中心的应用快速增长。  LSI公司日前宣布推出Nytro MegaRAID® 8140-8e8i闪存卡,进一步扩展了Nytro™产品组合。该闪存卡设计用于对磁盘数量和容量有较高要求的横向扩展服务器和存储环境,其可提供1.6TB的板载闪存容量和16个SAS/SATA连接接口。相对于现有的Nytro MegaRAID闪存卡而言闪存容量翻番,端口数增加4倍。  LSI®&nb
  • 关键字: Nytro  LSI  闪存  

英特尔固态盘:不断创新满足用户需求

  •   在今天开幕的英特尔信息技术峰会(Intel Developer Forum,IDF14)上,英特尔公司副总裁兼非易失存储器解决方案事业部总经理Rob Crooke就当今固态盘(SSD)的市场状况、发展趋势以及英特尔固态盘业务的策略进行了全面剖析。  日益增长的固态盘市场需求  从1987年至今,非易失性存储器也早已从NOR时代切换到了NAND时代,闪存产品的容量更是从MB时代进入了TB时代。“首先,我们很高兴地看到,固态盘在市场需求方面,将保持高速成长的势头,” 
  • 关键字: 英特尔  SSD  TB  闪存  

半导体是电子工业发展的基石(上)

  •   智慧之石  作为电子工业发展基础的电子器件,已经历了三个巨大变革时代:1. 电子管时代――1905~1947(42年);2. 晶体管时代――1947~1958(11年);3. 集成电路时代――1958~…(到2014年已有56年)。  电子管的发明拉开了电子时代的序幕,为当时蓬勃发展的无线电报事业提供了核心器件,在它存在的40多年的时间里,推动了收音机、电视机、雷达、计算机的发明和应用。美国是电子工业发展的代表,1920年即开始广播,也是30年代最早开始电视广播的国家之一
  • 关键字: NAND  DRAM  PC  201404  

Spansion 与 ISSI 签署授权协议

  •   全球行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商 Spansion 公司与先进存储与Integrated Silicon Solution 公司日前共同宣布,双方已签署授权协议。根据该协议ISSI 将能够获得 Spansion 的专利组合,以开发与生产特殊闪存产品。  ISSI 闪存业务开发部副总裁 Manjunatha V. Kashi 表示:“对于能够与Spansion&n
  • 关键字: Spansion  ISSI  闪存  

一种采用分离栅极闪存单元实现可编程逻辑阵列的新型测试结构

  •   大多数可编程阵列使用易失性存储器SRAM作为配置数据存储元件。最近,有人尝试使用非易失性存储器(NVM)替代SRAM。基于NVM的FPGA是嵌入式IP应用的理想选择,其架构和许多增强功能可改善芯片集成度、IP使用率和测试时间。Robert Lipp等人提出了一种采用浅沟槽隔离(STI)工艺的高压三阱EEPROM检测方案。
  • 关键字: 可编程  闪存  SRAM  SST  SCE  

RL78代码闪存自编程期间响应外围中断的方法

  •   RL78产品的闪存,分为数据闪存区和代码闪存区。数据闪存区用于存储数据,而代码闪存区用于用户代码及数据的存储。对于无内置数据闪存区的产品,使用代码闪存区存储数据,通常是成本导向的最佳方案。本文中作为示例的RL78/I13,是一款具有内置数据闪存区的产品,但是它的代码闪存区也可兼作数据闪存区。
  • 关键字: 闪存  编程  RL78  

瑞萨电子研发出业内首创的28nm微控制器的嵌入式闪存工艺

  •   全球领先的半导体及解决方案供应商瑞萨电子株式会社日前宣布其已研发出业内首项应用于28 nm制程工艺的微控制器(MCU)的28纳米(nm)闪存知识产权(IP)。  现代发动机油耗不断降低,要求新型控制机制能够对应新式燃烧方法的引入以及小型化所带来的进一步系统升级。高速实时处理,例如根据对多个传感器的反馈而产生的载荷变化在多种控制算法之间进行动态切换将成为必备功能,车用MCU中将需要具备当前性能的三到五倍的性能。此外,随着ECU数目的不断增多,如果我们考虑电源方面的限制,比如汽车临时停车时关掉发
  • 关键字: 瑞萨  MCU  28nm  闪存  

2013年第四季NAND品牌供应商营收下滑4.5%

  •   全球市场研究机构TrendForce 旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange 表示,在NAND Flash业者原先对于 2013年第四季终端装置出货过于乐观,导致产出成长高于后续实际需求而让市况呈现供过于求,以及SK海力士(Hynix)火灾影响 NAND 产能调配等因素下,2013年第四季 NAND Flash 品牌供应商营收较第三季下滑4.5%,来到61亿6,800万美元。   2013年全年整体市况与供需产销较2012年改善不少,因此第四季营收较 2012年同期增加16%;DRAMeXch
  • 关键字: NAND  DRAM  

Spansion公司推出突破性接口和世界上最快的NOR闪存

  • 全球行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion 公司日前宣布推出突破性的 Spansion® HyperBus™ 接口,它能极大地提高读取性能并减少引脚数量和空间。主要的片上系统(SoC)制造商都正在广泛部署Spansion HyperBus接口。
  • 关键字: Spansion  嵌入式  闪存  

LSI加盟OCP并贡献多款设计

  • LSI公司(NASDAQ:LSI)日前宣布加盟开放计算项目(OCP),并且正在为OCP全球社区贡献两款存储基础架构参考设计。
  • 关键字: LSI  OCP  闪存  

Spansion与旺宏电子诉讼的真相

  • 很多人可能都很好奇:接下来Spansion与旺宏的诉讼之战将何去何从。对于旺宏来说,诉讼带来的公关效应反倒比其索赔声明更有实际影响。实际上,旺宏的主张对我们毫无威胁
  • 关键字: Spansion  旺宏  ITC  闪存  

甲骨文新一代Exadata X4采用LSI 最新闪存技术

  • LSI公司 (NASDAQ: LSI)日前宣布LSI Nytro™闪存加速卡已被甲骨文选作PCIe®闪存加速技术,用于其新一代数据库一体机Exadata X4系统中。此外,LSI与甲骨文通力协作,为Exadata客户带了一款最新LSI Nytro技术——Dynamic Logical Capacity (DLC)。
  • 关键字: LSI  Nytro  Exadata  闪存  

布局存储器封测 台厂竞争卡位

  •   存储器大厂美光扩大委外封装合作,东芝新厂可望今年量产。日月光、力成、南茂、华东等台厂积极布局,今年存储器封测竞争卡位,势必激烈。   展望今年,国际存储器大厂集中资源开发前端制程,包括动态随机存取存储器(DRAM)和快闪存储器(Flash)后段封测可能扩大委外,封测台厂考量自身发展,积极与国际大厂洽商合作。   美光(Micron)去年以20亿美元买下日本存储器大厂尔必达(Elpida),提高美光全球DRAM市占率约1倍。   为进一步集成DRAM封测业务,去年下半年美光着手洽商DRAM后段封测
  • 关键字: 存储器  NAND  

武汉新芯:定位存储器制造,两年后或推3D NAND

  • 武汉新芯集成电路制造公司(XMC)2006成立,2012年底起独立经营,是国有制企业。为了区别于本土的制造巨头SMIC(中芯国际)和华力微电子(HLMC)等,XMC将立足存储器制造。近日,武汉新芯董事长王继增告诉笔者。
  • 关键字: XMC  存储器  NOR  NAND  201401  
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nand 闪存介绍

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