- 行业领先的闪存解决方案厂商Spansion公司(纽约证交所代码: CODE)日前发布截至2012年9月30日第三财季的运营成果。
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Spansion GAAP 闪存 嵌入式
- 提供卓越差异化技术的晶圆制造服务公司上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”)与国内主要的智能卡设计公司之一，北京同方微电子有限公司(以下简称“同方微电子”)共同宣布, 同方微电子采用宏力半导体0.13微米微缩版嵌入式闪存技术生产的SIM卡芯片出货量已超过2亿颗，生产良率稳定，产品性能突出，已大量投放国内市场。
宏力半导体的0.13微米微缩版嵌入式闪存技术是在现有成熟的0.13微米嵌入式闪存技术基础上，进一步优化生产工艺，将原来0.38平方微米的闪存存储单元面积显著减小了近50%(小于
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宏力 闪存
- 闪存微控制器的“新闪存”架构技术简介,简介嵌入式微控制器越来越多样化，可以满足嵌入式系统市场的应用需求，而主流已经从传统的掩模ROM微控制器转向了内置闪存(可擦写的非易失性只读存储器)的闪存微控制器。闪存微控制器目前有两种主要应用：CPU程序代码
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闪存 简介 技术 架构 控制器
- 闪存微控制器的“新闪存”架构技术,简介 嵌入式微控制器越来越多样化，可以满足嵌入式系统市场的应用需求，而主流已经从传统的掩模ROM微控制器转向了内置闪存(可擦写的非易失性只读存储器)的闪存微控制器。 闪存微控制器目前有两种主要应用：CPU
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闪存 技术 控制器 架构
- 赛普拉斯半导体公司(纳斯达克股票代码：CY)日前推出了 16-Mbit 非易失性静态随机访问存储器 (nvSRAM) 系列，其中包括具备同步 NAND 闪存接口的器件。该系列是业界首款可直接与开放式 NAND 闪存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 总线控制器相连接的非易失性 SRAM 存储器。
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赛普拉斯 NAND SRAM
- 苹果的iPad和亚马逊的KindleFire除了在外观和给人的第一印象有着诸多不同，还有这一个很重要的差异：为了获得更大的储存容量，用户需要支付的金额不同。尽管如此，无论是苹果还是亚马逊都将从中获取了暴利，这也是他们利润的最大组成部分。
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苹果 闪存
- Spansion的NOR闪存营业收入超过美光，为2009年以来首次. 第二季度总体NOR营业收入达到8.37亿美元.
据IHS iSuppli公司的移动与嵌入内存市场简报，一度破产的Spansion第二季度在多个与内存相关的领域展现实力，其NOR闪存营业收入超过业内龙头厂商美光，为三年来首次。
美国Spansion第二季度营业收入高于预期，从第一季度的2.19亿美元增长到2.33亿美元。这是Spansion自2009年第一季度以来首次在业内营业收入排名中位居第一，而原来的龙头美
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NOR 闪存
- 包装信息可能包含：指定目标设备、代码版本、大小、日期和其它对用户有用的信息。这个信息可警告操作员正在使用一个较低版本的固件，从而会使设备的部分性能降低，或者正在装载一个不支持的指定设备。在如今竞争激烈
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闪存 代码 发布 代码保护
- 摘要：提出一种在单片机系统中比较简单地使用大容量NAND FLASH存储器的方法。与一般方法相比，编写应用程序的程序员不需要掌握计算机文件系统的规范，只要按照NAND FLASH的读、写、擦除等时序对其进行操作，把NANDFL
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3231 EPG 闪存 播放器
- LSI 公司(NYSE：LSI)日前宣布面向全球渠道推出 PCIe(R)闪存 LSI(R) Nytro(TM) MegaRAID(R)卡，为直连存储(DAS)提供简单、透明和低成本的应用加速功能。Nytro MegaRAID 卡的独特之处在于采用领先的 LSI 双核片上 RAID(ROC)技术，将 PCIe 闪存技术、智能缓存软件与企业 RAID 数据保护功能实现完美结合。
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LSI 闪存 MegaRAID
- 在nand flash上实现JFFS2根文件文件系统,JFFS2是Flash上应用最广的一个日志结构文件系统。它提供的垃圾回收机制，不需要马上对擦写越界的块进行擦写，而只需要将其设置一个标志，标明为脏块，当可用的块数不足时，垃圾回收机制才开始回收这些节点。同时，由
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文件文件 系统 JFFS2 实现 flash nand
- 基于浮栅技术的闪存介绍, 恒忆
图. 1 对一个闪存晶体管进行写操作 浮栅内的电子会提高晶体管的阈值电压;在单级闪存单元内，这相当于一个存储二进制数字“0”的存储单元。 图2 在完成写操作后阈值电压被偏移
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介绍 闪存 技术 基于
- 在闪存业务方面若想获得成功，你需要结合闪存产品和控制器技术，美光表示这两样，它都具备。
半导体制造商美光已经一定的闪存基础，提供SSD和PCIe连接的闪存卡，例如，被EMC VFCache采用的SLCP 320h。另外P320h的热插拔版本已经被戴尔服务器使用。
美光想要传达的主要信息是，闪存技术将会变得更加复杂，需要紧密地集成控制器
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美光 闪存
nand 闪存介绍
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