- 摘要：主要介绍了三星公司的NANDFIJASH存储器K9K8G08UOM、以FPGA为核心模块控制K9K8G08UOM的读操作、写操作...
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闪存 储存测试 读操作
- NAND闪存存储器的自适应闪存映射层设计,闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的闪存芯片。一个NAND类型的闪存芯片的存储空间是由块(Block)构成，每个块又划分为固定大小的页，块是擦
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闪存 设计 映射 存储器 NAND 适应
- 佐治亚理工学院和 NEC 合作的一项研究显示, 尽管大部分专家和普通用户都认为 CPU 和糟糕的无线网络是智能手机性能问题的主要原因, 但事实上对于大部分现代智能手机, 存储设备速度的落后才是手机性能低下的罪魁祸首. 糟糕的闪存而非 CPU 速度或网络连接导致了浏览网页和阅读文档时的手机卡顿.
在对数款销量最好的 16GB 存储卡的测试中, 研究人员使用了最常见的几种安卓手机, 结果发现在大部分手机上 NAND 闪存会导致移动应用的性能下降两到三倍. 唯一例外是金士顿的嵌入式存储卡 - 它导致的
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NEC 闪存
- 闪存存储器将成为云计算和虚拟化的重要组成部分，现在是时候抛弃传统硬盘了。云计算和虚拟化已经极大地改变了服务器基础架构，但真正推动存储行业复兴则是固态硬盘和闪存的崛起。
闪存将继续为企业领域带来亟需的推动作用。从Fusion-io去年的IPO(首次公开招股)，到Nutanix和Tintri等最近出现的一系列风险投资支持的创业公司，闪存的作用正在越来越大。
随着通过虚拟化和云计算部署的应用和数据库数量的增多，传统硬盘存储序列正在成为严重的性能瓶颈，逐渐被市场边缘化。虚拟化和云计算基础架构可以减
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闪存 云计算
- 基于磨损均衡思想的Nand Flash存储管理在TMS320F28x中的实现, Nand Flash作为一种安全、快速的存储体，因其具有体积小、容量大、成本低、掉电数 据不丢失等一系列优点，已逐步取代其它半导体存储元件，成为嵌入式系统中数据存储的主 要载体。尽管Nand Flash的每个单元块相互独
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存储 管理 TMS320F28x 实现 Flash Nand 磨损 均衡 思想
- 包装信息可能包含：指定目标设备、代码版本、大小、日期和其它对用户有用的信息。这个信息可警告操作员正在使 ...
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闪存 微控制器 代码发布 代码保护
- 据媒体报道，根据亚洲最大芯片现货市场的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新数据，2011年第四季度全球第四季度NAND闪存芯片市场规模达到48.9亿美元，环比下滑了8.6%。三星电子依然是该市场的龙头，市场份额达到了34.6%。
集邦科技提供的数据显示，NAND闪存出货环比增长了大约5%，而平均销售价格则环比下滑了13%。集邦科技指出，虽然存储卡和闪存的零售增幅依然缓慢，但是智能手机和平板电脑制造商对闪存的需求依然非常强劲。
集邦科技指出，三星电子
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海力士 NAND
- 外电报导，全球第二大内存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并财报：受内存价格下滑、PC需求趋缓的影响，净损达2,399亿韩元(2.131亿美元)，逊于去年同期的纯益300亿韩元，已连续第2季缴出亏损成绩单;营收年减7.2%至2.55兆韩元;营损达1,675亿韩元，逊于去年同期的营益2,940亿韩元。根据彭博社调查，分析师平均预期Hynix Q4净损将达1,617亿韩元。根据Thomson Reuters调查，分析师原先预期Hynix Q4
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Hynix NAND
- 上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，宣布其代工的0.18微米以下嵌入式闪存产品已突破100,000 片8英寸晶圆。
目前，宏力半导体拥有0.25/ 0.18/ 0.13微米一系列嵌入式闪存技术平台，均已实现产业化。2005年，0.25微米嵌入式闪存工艺投产，应用于国外知名企业的汽车引擎控制和安全气囊芯片，已出货1400万颗，至今仍保持现场应用零退货的记录。
2007年，宏力半导体0.18微米嵌入式闪存产品进入量产，成功实现了当时业界最小的单
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宏力半导体 闪存
- 据悉，苹果(APPLEInc.AAPL)已经成功收购以色列半导体公司Anobit。Anobit是Anobit是NAND闪存控制器开发商，是iphone和ipad闪存控制器的提供商。
Anobit作为NAND闪存控制器开发商，号称可提升闪存的耐久度(最大读写次数)，苹果是全球该商品最大买家。根据SanfordC.Bernstein&Co.1月6日的数据显示，2011年第四季度苹果占了NAND闪存控制器全球总销量23%的比重。
苹果发言人史蒂夫道林(SteveDowling)11日证实
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苹果 闪存
- 根据市场研究机构Bernstein Research 公司分析师Toni Sacconaghi 报告指出，苹果公司在上一季买了全球NAND 快闪记忆体出货量的23% ，凭借着这么大的采购量，苹果拿到的成本价格可说是出乎意料之外的低。
Sacconaghi 报告指出，苹果产品在2011 年第四季消耗了容量总数高达14.5 亿GB 的NAND 快闪记忆体;其中iPhone 占了其中50% ， iPad 为30% 。这么大的量，自然让苹果购买NAND 快闪记忆体有很大的折扣，大约是每GB 价格为0.6
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苹果 NAND
- 新年的第一个工作日，LSI宣布已完成对 SandForce 公司的收购。SandForce 是一家面向企业级和客户端闪存解决方案以及固态驱动器 (SSD) 的闪存处理器领先供应商。在引入能够提升应用性能的创新型闪存解决方案后，LSI 将在高速发展的闪存处理器市场上处于领先地位，可满足超级本、笔记本电脑以及企业级 SSD 和闪存解决方案的要求。
LSI执行副总裁兼首席运营官 Jeff Richardson 表示：“客户对本次收购反应非常积极，我们很高兴能将 LSI 和 SandForce
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LSI 闪存
- 据国外媒体报道，周三，韩国政府宣布，已经批准三星电子在中国建设一座闪存芯片工厂。这家工厂计划投资40亿美元，是三星在海外的第二座芯片工厂。工厂将使用20纳米或以下半导体生产工艺，大规模的量产将会在在2013年启动，该工厂每月处理的晶圆个数将达到十万个。据报道，三星电子目前尚未确定工厂的选址。
根据韩国政府规定，本国企业要在海外设立高科技生产基地，必须向政府提交申请，以避免高端技术的外泄。韩国知识和经济部官员周三表示，三星电子将会成立一个委员会，专门防止中国工厂闪存芯片技术被泄露。
三星是全
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韩国 闪存
- 日系DRAM厂尔必达(Elpida)身陷财务风暴，近期传出在日本官方作媒下，正与同为日系NAND Flash大厂东芝(Toshiba)洽谈整合事宜。对此东芝和尔必达高层都不予置评。
近期再度传出尔必达与东芝高层就合并及整合密谈协商，且日本政府扮演关键要角。内存业者透露，东芝在发展行动装置上，需要与尔必达Mobile RAM结合，才能打败美韩阵营，双方确实有接触洽谈整合事宜，但东芝对于重返DRAM领域意愿不高，另外，日本政府亦认为，DRAM市场虽萎缩，但技术必须传承，有意促使两大半导体厂整合。
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东芝 NAND
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