- 很多评论家，包括ESG的分析师都已经开始预测，在未来短短几年内，闪存将在主存储中完全取代磁盘，使闪存成为一种新型的磁盘。他们的基本论点是，因为固态盘(SSD)是基于集成电路的，所以他们的价格遵循摩尔定律，然而作为一种不可靠的机械装置的硬盘却并非如此。
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闪存 磁盘
- 很多评论家，包括ESG的分析师都已经开始预测，在未来短短几年内，闪存将在主存储中完全取代磁盘，使闪存成为一种新型的磁盘，磁盘成为新型的磁带，而磁带变成老旧的磁带，甚至是死亡。虽然没有什么比不再用听到磁头划过盘片的声音更好的事了，但是我认为这些评论者可能有点乐观了，就像是时尚人士预测深褐色会成为一种新的黑颜色一样。
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闪存 磁盘
- 三星电子一家新的存储半导体制造厂将于9月投入运营。消息人士说，新厂编号为“Line-16”，主要生产NAND芯片。
2010年5月时，三星在韩国京畿道(Gyeonggi Province)华城(Hwaseong)破土动工，建立新的工厂。此前三星曾透露说，Line-16工厂月产20万片12寸圆晶。
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三星 NAND
- 日前东芝和SanDisk在日本建立了第三家半导体工厂，以应对智能手机和平板电脑的快速发展而带来的对闪存芯片的大量需求。该工厂主要生产300毫米晶片NAND半导体，工厂名称为“Fab 5”。
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东芝 NAND
- 东芝株式会社 与Sandisk公司日前共同庆祝位于日本三重县四日市东芝生产基地的第三家300mm晶圆NAND生产工厂Fab 5正式投产。
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东芝 NAND
- 随着数码产品，如智能手机和单反数码相机等的高速发展和普及，人们对体积小容量大的闪存类产品需求越来越大。在很多时候，闪存品质的好坏甚至直接影响到了数码产品性能的发挥和数据的安全。近日，全球闪存领导品牌SanDisk闪迪中国区销售总监郭文利先生造访昆明，记者对其进行了采访，就闪存市场的发展和闪迪中国市场策略进行了沟通。
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闪迪 闪存
- 摘要 基于Flash存储器的Hamming编码原理，在Altera QuartusⅡ7．0开发环境下，实现ECC校验功能。测试结果表明，该程序可实现每256 Byte数据生成3 Byte的ECC校验数据，能够检测出1 bit错误和2 bit错误，对于1 bit错误
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Flash FPGA NAND ECC
- 最近举办的Semicon West2011半导体业界大会上，三星与苹果之间的知识产权争端事件显然会是一个有趣的话题。目前，三星正准备于8月份开始量产苹果手机/平板电脑用 A5 SoC芯片。而且他们最近花费36亿美元对奥斯汀芯片厂进行了升级，使其产能能够在NAND或逻辑芯片产品之间自由切换，不过三星显然希望能够在保住苹果 芯片订单的前提下继续拓展自己的代工业务。
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三星 NAND
- 据IHS iSuppli公司的研究，东芝在2011年第一季度NAND闪存市场大有要超过三星之兆，这两家厂商的市场份额差距从2010年第四季度的1.1个百分点缩小到只有0.3个百分点。长期以来，三星一直是最大的NAND闪存厂商。
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东芝 NAND
- 据IHS iSuppli公司的研究，2011年第一季度NAND闪存领域争夺头号排名的竞争加剧，排名第二的东芝接近与三星电子平起平坐。长期以来，三星一直是最大的NAND闪存厂商。
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NAND 闪存
- 武汉力源信息技术股份有限公司(以下简称武汉力源)，日前与节能、高可靠性和安全性存储器和固态存储产品领域首屈一指供应商Greenliant签署了代理协议。根据双方的协定,作为Greenliant的授权目录分销商, 武汉力源将在中国地区推广和销售Greenliant全部的NANDrive嵌入式固态存储器(SSD)、NAND闪存控制器和特殊闪存产品。
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武汉力源 闪存
- 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange表示，截自六月十六日6:00pm为止，由于大部分买方与卖方就六月上旬NAND Flash合约价格的谈判尚未告一段落，因此六月份NAND Flash合约价将等到各家厂商价格谈定后DRAMeXchange才会公布。
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平板电脑 NAND
- 飞索半导体(Spansion)与三星电子就专利诉讼达成和解，未来5年三星将向飞索半导体支付1.5亿美元。根据双方的协议，飞索半导体和三星签订了7年交叉专利授权。飞索同意以3000万美元收购三星的破产债权，如果被法院批准，飞索将被允许撤销165-185万股股票。
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三星 闪存
- 行动装置风潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服务器DRAM等，俨然已成为DRAM厂最佳避风港，然在各家存储器大厂一窝蜂抢进下，Mobile RAM已率先发难，出现供过于求警讯，日厂尔必达(Elpida)传出原本爆满的Mobile RAM产能将转回作PC DRAM，加上近日PC DRAM价格再度崩跌至濒临1.5美元保卫战，DRAM厂12寸厂产能陷入苦寻不到避风港困境。
存储器业者表示，PC市场成长趋缓是 DRAM产业致命伤，而平板计算机崛起让每台系统DRAM
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DRAM NAND
- Hynix半导体公司在近日举办的2011VLSI研讨上宣布成功研发出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND闪存芯片，Hynix称这款产品是业内首款基于20nm制程的大容量MLC NAND闪存芯片。
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Hynix NAND
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