- 据南韩电子新闻报导，三星电子(Samsung Electronics)为将供不应求的应用处理器产量做最大提升，9月起将会把原生产闪存(NAND Flash)的器兴14产线转换为系统LSI产线。三星内部人员表示，器兴14产线原有的闪存生产设备，将会移至新建成的华城16产线，而器兴14产线将转生产系统LSI。由于近来行动应用处理器和CMOS传感器(CIS)需求大增，为扩大产量而决定进行转换。
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三星 闪存
- 据IHS iSuppli公司的闪存市场报告，由于一家大型厂商的销售额下降，第二季度NAND闪存市场意外下滑。
根据最终数据，第二季度全球NAND销售额为47亿美元，比第一季度的49亿美元下降4.3%。该市场降幅大于预期，主要是因为东芝第二季度销售额锐减了21.4%至14亿美元。东芝是全球第二大NAND生产商，仅次于韩国三星电子。
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IHS iSuppli NAND
- 据IHS iSuppli公司的闪存市场报告，由于一家大型厂商的销售额下降，第二季度NAND闪存市场意外下滑。
根据最终数据，第二季度全球NAND销售额为47亿美元，比第一季度的49亿美元下降4.3%。该市场降幅大于预期，主要是因为东芝第二季度销售额锐减了21.4%至14亿美元。东芝是全球第二大NAND生产商，仅次于韩国三星电子。东芝销售额大幅下降，拖累了整体市场，如表1所示。
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三星 NAND
- 台湾新竹，常忆科技于2011年7月29日正式宣布推出全球第一颗256Kbit序列闪存产品─PM25LD256C。
市场上既有的序列闪存厂商之技术, 由于在小容量产品上已无法有效降低die size及成本, 因此序列闪存产品在业界之最小容量一般只做到512Kbit, 惟常忆科技以pFlash的专利设计才能有效降低512Kbit以下容量的Flash die size, 故决定推出该项业界独有之产品。
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常忆科技 闪存
- 受到诸多全球总体经济复苏的不确定变数干扰，2011部份的NAND Flash终端应用产品出货量将不如预期，及3Q11受过剩库存去化影响而使传统备货旺季效应递延等因素的综合影响下，8月上旬NANDFlash芯片市场买气依然疲弱，但某些系统客户的OEM订单需求相对于记忆卡及UFD通路市场需求仍相对地稳定，因此，MLCNAND Flash芯片合约均价小跌约1-2%，而TLCNAND Flash芯片合约均价则下跌约4-7%。
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闪存芯片 NAND
- 在日前的一场闪存高峰会中，SanDisk公司的技术长Yoram Cedar指出，下一代光刻技术的延迟，将导致NAND闪存的成长趋缓。市场原先对闪存的展望都相当乐观，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技术的延迟，闪存的成长可能需要再评估。
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SanDisk NAND
- 来自以色列的闪存厂商Anobit近日宣布推出新款高性能超低功耗嵌入式闪存控制器“MSP2025”，主要面向平板机、智能手机等便携设备，数据传输率可达空前的666MB/s，成为迄今为止性能最高的嵌入式闪存控制器。
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智能手机 闪存
- 全球第二大闪存制造商东芝公司(Toshiba Corp)周三警告说，由于PC市场不景气，美国和欧洲等经济体持续动荡以及日元强势等原因，该公司芯片业务的利润可能达不到预期。
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东芝 芯片 NAND
- 全球领先的闪存存储解决方案供应商SanDisk公司（NASDAQ：SNDK）今日宣布，在其邮票大小的嵌入式固态硬盘系列SanDisk iSSD产品线中采用全新的SATA µSSD标准。 一直致力于维护串行ATA （SATA） 技术的质量和完整性以及推广工作的国际标准组织SATA-IO也于今日发布了此项标准。
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SanDisk 闪存
- 据韩国电子新闻报导，计算机用DRAM芯片价格快速下跌，NAND Flash合约价也从6月起出现陡峭跌幅，2个月内出现2011年来最低价2美元纪录。下半年则因智能型手机(Smartphone)与平板计算机 (Tablet PC)新品陆续问世，可望带动NAND Flash价格回升。
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NAND DRAM芯片
- 随著存储器容量越来越大，NANDFlash产业制程在进入20纳米制程后，也开始遇到瓶颈，业界在未来制作更大容量存储器上，面临是否继续发展纳米的抉择。日本方面尽管在微缩的技术上些微领先最大竞争对手公司韩国三星电子(SamsungElectronics)，但短期内该技术也将可能面临瓶颈，因此如东芝(Toshiba)及尔必达(Elpida)等公司，均已决定投入3D存储器的开发。
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三星 存储器 NAND
- 随著存储器容量越来越大，NAND Flash产业制程在进入20纳米制程后，也开始遇到瓶颈，业界在未来制作更大容量存储器上，面临是否继续发展纳米的抉择。日本方面尽管在微缩的技术上些微领先最大竞争对手公司韩国三星电子(Samsung Electronics)，但短期内该技术也将可能面临瓶颈，因此如东芝(Toshiba)及尔必达(Elpida)等公司，均已决定投入3D存储器的开发。
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尔必达 NAND
- 内存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主机和手持设备上的密集度仍将提高 40% 以上，而这是游戏最主要的游戏环境。
今年家用游戏主机的 NAND 平均密度预计达 923MB，较去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戏设备的 NAND 平均密度则预计自去年的 87MB 增长 41.4%，达 123MB。
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Sony NAND
- LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技术，用于为 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于闪存的高速缓存保护功能。MegaRAID CacheVault 采用固态 NAND 闪存，能够在电源发生故障的时候自动将高速缓存中的数据转移到闪存中，从而为存储在 RAID 控制器缓存中的数据提供强大的保护。CacheVault 技术避免了采用锂离子电池的麻烦，并可节约相关的硬件维护成本，从而实现更环保、总体成本更低的高速缓存保护解决方案。
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LSI NAND
- 据IHS iSuppli公司的NAND闪存研究报告，尽管NAND闪存成本较高妨碍其进入游戏硬件，但2011年家庭游戏机与手持游戏机中的NAND密度将增长40%以上。
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索尼 NAND
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