- 南韩半导体大厂海力士半导体(Hynix)主要NAND Flash产品群，近期将从原本的30纳米制程转换至20纳米级制程。海力士目前整体NAND Flash产量，以26纳米制程产品比重逾50%为最大。
海力士相关人员表示，26纳米制程NAND Flash比重至2011年3月底约为40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26纳米制程产品将逐渐取代32纳米制程产品，成为海力士主力产品。
NAND Flash为非挥发性内存芯片，即使中断供电也能储存信息，是智能型手机、平板计算机等行动装
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海力士 NAND
- 存储器模块厂金士顿(Kingston)不畏存储器景气波动，2010年全球独立DRAM模块厂市占率首度突破50%大关，NAND Flash市场布局也成功跨足固态硬盘(SSD)市场，面对台湾上游DRAM厂仍处于生存困境的当下，金士顿创办人之一的杜纪川表示，认同孙大卫认为台湾 DRAM产业要集成才有活路的策略，唯有计画性地将各方力量做结合，才能让台湾DRAM厂免受全球经济、市场波动冲击。
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NAND DRAM
- 由于苹果等大型企业的需求不够强劲，导致5月的NAND闪存芯片合约价格“快速”降低。
今年5月的NAND芯片价格的降幅已经超过15%，现货市场的降幅则在20%左右。苹果仍是NAND闪存芯片的最大买家，但需求提升不像往年的第二季度那么强劲。
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ipad NAND
- 第2季NAND Flash终端需求太差，新出炉合约报价大跌超过10%，内存模块厂表示，合计整个5月现货报价跌幅达20%，合约价合计跌幅也超过15%，反映终端需求确实需要新刺激，目前市场是底部已临，静待反弹阶段;展望第3季，市场认同威刚董事长陈立白的基调，预期第3季仍会比第2季好一些，但市场不至于会有缺货或价格飙涨的情况发生。
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三星 NAND Flash
- 全球NANDFlash市场需求在5月进入冰河期，不仅快闪记忆卡和随身碟应用需求大幅降温，甚至传出平板电脑及智慧型手机大厂亦出现砍单情况，记忆体零售和系统端需求明显降温，市场五穷六绝迹象显现，使得记忆体模组厂营收恐再次探底，部分厂商传出力守2月营收低点的警戒线。不过，以毛利率角度来看，由于NANDFlash价格并没有出现急跌，因此，模组厂5月毛利率仍可暂时守稳在水准之上。
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NAND DRAM
- 基于DDR NAND闪存的高性能嵌入式接口设计,摘要：介绍了一种最新DDR NAND闪存技术，它突破了传统NAND Flash 50 MHz的读写频率限制，提供更好的读写速度，以适应高清播放和高清监控等高存储要求的应用。分析该新型闪存软硬件接口的设计方法。
关键词：DDR NAN
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嵌入式 接口 设计 高性能 闪存 DDR NAND 基于
- 摘要：为了解决目前记录系统容量小、存储速度低的问题，采用性能优良的固态NAND型FLASH为存储介质，大规模集成电路FPGA为控制核心，通过使用并行处理技术和流水线技术实现了多片低速FLASH时高速数据的存储，提高了整
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FLASH NAND 大容量 存储
- 存储器是随着计算机而发展起来的一种专用电子部件，用于保存数据和程序，传统上计算机的主存储器称Memory，外部设备用存储器称Storage(常用磁盘、磁带)。上世纪50年代中期，主存曾用磁芯存储器，60年代中期以来，半导体存储器开始取代磁芯存储器。随着时间的前进，存储器获得了长足的发展。
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存储器 NAND 201105
- 数年来固态硬盘正在变得越来越便宜和可靠，但相比大容量的硬盘而言，这种产品在容量和价格比上依然显得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相当于1TB的西部数据硬盘的价格。尽管如此，Gartner依然对SSD市场的前景十分看好，并认为到2012年下半年，固态硬盘将成为市场的主流，并预期到时候的价格将会下降到每1美元1GB，这意味着主流的SSD价格将下调到100美元以下，例如64GB64美元，从而开始被大众接受。
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NAND SSD
- 0 引言 计算机技术的高速发展，存储系统容量从过去的几KB存储空间，到现在的T8；乃至不久的将来要达到的PB存储空间，其数据存取的能力在飞速扩展。随之而来产生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和数据生命周期管
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FLASH NAND 储存 测试系统
- 5月13日消息，据国外媒体报道，全球最大的内存芯片厂商三星电子周四称，它已经开始大批量生产新的NAND闪存芯片。这种闪存芯片传送速度的速度比目前市场上的任何其它NAND闪存芯片都要快。
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三星 NAND
- 2011年全球NAND Flash中，全球三星电子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市场龙头，市占率高达36.2%，紧追在后的是东芝(Toshiba)，市占率达35.1%，两者合计掌握70%以上NAND Flash市场;根据市调机构TrendForce最新统计，2011年第1季NAND Flash品牌供应商的位元出货量为13%，营收成长9.9%，达53.63亿美元。
2011年第1季全球NAND Flash市场变化相当多，最大影响当属日本311东北强震，对
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三星电子 NAND
- 行业领先的闪存解决方案厂商Spansion公司(NYSE:CODE)今日发布截止至2011年3月27日第一财季的运营成果。由于公司重组后实行的新会计计量产生的影响，Spansion公司同时提供GAAP和非GAAP结果。公司美国GAAP净销售额为2.929亿美元，经营亏损70万美元，净亏损1410万美元。公司美国非GAAP调整后净销售额2.944亿美元，调整后运营收入3850万美元，调整后净收入为2510万美元。
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Spansion 闪存
- 带有双组闪存的MCU优点,MCU(微控制器)在过去几十年里在CPU性能、通信接口、模数和数模外设、内存大小及读写次数等方面呈指数发展。我们专注于带有非易失性嵌入式存储器的MCU(我们在USB闪存驱动器、存储器等内拥有闪存)，从首批带有一次性编
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MCU优点 闪存 双组 带有
- 据了解，由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。
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三星 NAND Flash
nand 闪存介绍
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