- 包装信息可能包含：指定目标设备、代码版本、大小、日期和其它对用户有用的信息。这个信息可警告操作员正在使用一个较低版本的固件，从而会使设备的部分性能降低，或者正在装载一个不支持的指定设备。在如今竞争激烈
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闪存 代码 发布 代码保护
- 2010年的NAND Flash产业由平板计算机(Tablet PC)及智能型手机(Smartphone)称霸应用端，传统的快闪记忆卡和优盘一直等到2010年第4季都没有表现的舞台，整体2010年NAND Flash市场营收成长达58.7%，为191.7亿美元，其中三星电子(Samsung Electronics)持续称王，美光(Micron)在第4季市占率持续超越海力士(Hynix)，但差距相当少，双方持续缠斗意味浓厚。
2010年快闪记忆卡和优盘等NAND Flash应用风光不再，取而代之的
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三星电子 NAND
- 2010年闪存芯片的制造工艺普遍都是30nm级别，2011年则将成为20nm级别普及的开端，同时10nm级别工艺的投资和研发也即将陆续开始。
SanDisk近日就表示：“2011年我们的首要营业费用投资就是研发，包括Fab 5晶圆厂上线投产，以及(10nm级别)和更先进NAND闪存制造工艺的技术投资。”
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SanDisk 10nm 闪存
- 据iSuppli公司，作为多种消费电子产品的事实性存储媒介，NAND闪存2011年将再度实现两位数的增长。
2010年NAND闪存销售额创下最高纪录，增长38%。预计今年销售额将达到220亿美元，比2010年的187亿美元增长18%。而NAND闪存比特出货量增长幅度更大，预计2011年增长72%，达到193亿GB。
尽管增长势头强劲，但2011年底市场形势可能发生变化。考虑到目前市场中乐观气氛弥漫，而且供应商可能过度投资扩大生产，风险可能在2011年底浮现，届时供应可能超过需求。预计201
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NAND 闪存
- 据iSuppli公司，作为多种消费电子产品的事实性存储媒介，NAND闪存2011年将再度实现两位数的增长。
2010年NAND闪存销售额创下最高纪录，增长38%。预计今年销售额将达到220亿美元，比2010年的187亿美元增长18%。而NAND闪存比特出货量增长幅度更大，预计2011年增长72%，达到193亿GB。
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三星电子 NAND
- 英特尔(Intel)跨足NAND Flash产业迈入第5年，但近期在策略上有诸多调整，引发存储器业界高度关注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡厂将于2011年投产，却不见英特尔投资身影，近期英特尔在亚太区NAND Flash操盘手、亦是嵌入式产品事业群暨微型移动装置事业群执行总监陈武宏闪电离职，更引发存储器业者一阵哗然，目前该职务由英特尔亚太区技术营销服务事业群执行总监黄逸松暂代，而相关模块厂对此表示，双方合作关系不会受影响。
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英特尔 NAND
- 据国外媒体报道，美国国际贸易委员会(以下简称“ITC”)当地时间周四裁定，三星及其客户没有侵犯飞索半导体(以下简称“飞索”)的两项芯片专利。
如果三星及其客户侵犯了飞索的专利，苹果、RIM等公司的多项产品将被禁止进入美国市场。飞索曾经是NOR闪存领域的领头羊。
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三星 闪存
- 集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange表示，在Android可望逐渐成熟，市场接受度提高，预期2011年平板计算机出货量由今年的1500万台大增至5000万台的规模，可说是平板计算机起飞年，将带动内建式NAND Flash应用，预估2011年平板计算机占整体NAND Flash的消耗量比重将从今年的5%提升至10%以上。
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平板计算机 NAND
- 亚洲最大半导体交易市场Dramexchange分析师西恩·杨15号(周三)表示，东芝旗下一家芯片工厂突发短时电力故障，以致NAND芯片出现停产。该分析师还表示，到2011年1月中旬之前，包括iPad在内等多款产品均在使用的这款NAND闪存芯片价格或将上涨15%。
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NAND iPad
- JEDEC 固态技术协会, 微电子产业全球领导标准制定机构日前宣布，将于近期发布下一代闪存存储器标准 - 。在近期所举办的JEDEC委员会上，该标准制定取得的重大进展。该标准旨在成为智能手机与平板电脑等移动电子设备所使用的基于闪存的最先进的存储规范。UFS标准的开发宗旨是为了满足不断提高的设备性能需求。其最初所支持的数据吞吐速率是每秒300兆字节，并支持指令排队功能，以便提高随机读写速度。该标准预计将在未来3个月内完成。
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闪存 JEDEC
- 根据Gartner发布的报告，该公司下调对于明(2011)年度半导体设备市场的预测;原先该公司预期将成长4.9%，现在预期将缩减1%。另外，Gartner原先预估今年成长113%，现在估计可达131%至384亿美元。该公司分析家KlausRinnen指出，今年产业创造了有史以来最强劲的成长，不过2011年度的市场将比较疲软，届时设备采购主要的重点将在于产能的扩充而不是在技术设备上。他表示由于媒体平板电脑的拉抬，NAND将是记忆体领域中资本投资最多者。
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半导体设备 NAND
- 2010年全球半导体市场成长幅度超过30%，这是在历经过去几年全球不景气之后，经济复苏所展现出的成果。而据Semico预测，2011年全球半导体销售额年成长幅度大约小于10%。乍看之下，这比2010年成长率要低得多，它代表坏消息吗?事实上，这个温和的成长数据代表着半导体市场正在回归正常轨道。
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东芝 半导体 NAND
- 基于SPIFI外设的Cortex-M MCU嵌入式闪存选型解决方案,新型恩智浦ARM Cortex-M3微控制器首次采用的SPI闪存接口技术(SPIFI，已申请专利)可以帮助32位嵌入式系统设计人员以小尺寸、低成本的串行闪存替代大尺寸、高成本的并行闪存。利用SPIFI (读音与spiffy谐音，意为ldquo
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闪存 选型 解决方案 嵌入式 MCU SPIFI 外设 Cortex-M
- 美系存储器大厂美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大跃进，已挤下海力士(Hynix)坐稳全球三哥宝座，在扩产速度上，美光在2011年也不会缺席，与英特尔(Intel)合资的新加坡厂也将在2011年第2季开始投产，对于三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)2011年也有扩产计画，美光表示不担心供过于求，在产能增加的同时，平板计算机等应用也大幅崛起，预计2011年NAND Flash市场供需可维持健康的状态。
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美光 NAND
- 台湾长久缺席的快闪存储器产业终于出现曙光，由于既有NAND Flash技术在20纳米制程以下面临天险，全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技术架构下，研发出全球最小的9纳米电阻式存储器，计划在2011年下半正式成立“16-8纳米元件联盟”，将广邀存储器厂及晶圆代工厂加入，首波会先洽谈台系存储器厂，目标5~10年内将此技术导入量产，让台湾正式加入NAND Flash产业战局。
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NAND 9纳米
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