- 三星电子(Samsung Electronics)表示，截至台北时间25日下午3时为止，南韩京畿省(Gyeonggi)器兴市(Giheung)半导体厂房跳电所造成的损失估计不到90亿韩圜(790万美元)。三星并表示，目前尚未找出跳电的原因。 Meritz Securities分析师Lee Sun-tae指出，三星半导体厂房跳电造成的影响其实不大，主因多数面临冲击者为非内存生产线。
Yonhap News于南韩时间24日下午7时48分报导，三星电子器兴市半导体厂房24日突然跳电，其K2、K5厂区在
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三星电子 DRAM NAND
- 富士通微电子公司日前宣布，已经成功开发出一种NOR型闪存新技术，可提高闪存读取速度，并同时降低工作电流。富士通在NOR型闪存中，引入了其专利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速访问随机存储)中的电路元素，从而实现了高速低功耗和高可靠性。这种新型NOR闪存可将访问速度提高2.5倍达，访问时间仅10ns，同时工作电流降低三分之二达到9µA。通过在嵌入式设备中应用这项技术，便携音视频设备将有望改进性能，同时延长电池续航时间。
富士通表示，将以这项N
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富士通 NOR 闪存
- 韩国三星电子公司近日表示本月24日下午，其设在Kiheung地区的一个NAND闪存生产基地遭遇了断电事故，不过据三星公司的发言人表示这次为期一小 时的断电并没有对其32Gb以及其它大容量NAND闪存芯片的生产造成显著影响。
据三星的通路合作伙伴透露，在这次停电事故中受到影响的工厂主要包括三星旗下两间12英寸厂Fab13和Fab14.其中Fab13主要负责为三星生产内存芯片，而Fab14则主要生产NAND闪存芯片。Fab13和Fab14的月产能大约分别是12万/13万片晶圆。
无独有偶，20
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三星电子 NAND 晶圆
- 东芝公司近日宣布他们将在日本三重县四日市现有的生产运营中心附近新建一座Fab5闪存芯片厂，这间芯片厂将于今年七月份开始动工。目前，东芝设在四日市的生产运营中心 已建有四间NAND闪存芯片厂。尽管2008年秋季爆发了全球经济危机，而NAND闪存芯片的市场需求也一度相当萎靡，但近期随着智能手机和其它应用型产 品的热销，闪存芯片的市场需求已经开始回暖，而且未来一段时间内还将保持增长趋势，因此东芝最终作出了开工建造Fab5芯片厂的决定。
按照东芝的计划，其Fab5工厂将于明年春季完工，而后期的投资力度和
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东芝 NAND 闪存芯片
- NAND Flash控制芯片市场曾吸引众多IC设计业者争相投入，随著快闪记忆卡市场饱和，以及固态硬碟(SSD)竞争对手环伺，过去拥有NAND Flash大厂作靠山便是票房保证的时代已不再，未来NAND Flash大厂对于控制芯片业者而言，恐怕不再是大树好乘凉，尤其包括三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)等大厂在走进SSD时代后，由于用在PC的零组件轻忽不得，遂纷收回控制芯片采购权，改采自家芯片，NAND Flash控制芯片产业势必将展开一波整合及淘汰赛。
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- 日本最大的内存芯片厂商东芝将重启因经济衰退而搁置的产能扩展计划，它将从7月开始建设新的闪存生产厂。
东芝表示，新生产厂位于日本中部四日市，是公司第五条生产线，预计在2011年春季完建。东芝没有透露该生产厂的建设成本。
包括苹果iPhone在内的智能手机销售的增长，推动了NAND内存需求的增长。据市场调研公司 iSuppli预计，NAND闪存市场今年的总收入将增长34%达到181亿美元。
东芝发言人Hiroki Yamazaki称，虽然东芝尚未决定四日市芯片生产厂的投资规模，但是建立新
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东芝 内存芯片 NAND
- Intel、美光合资公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工艺 NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售，预计今年晚些时候就可以看到相关U盘、记忆卡、固态硬盘等各种产品。
IMFT 25nm NAND闪存于今年初宣布投产，这也是该领域的制造工艺首次进军到30nm之下，并应用了沉浸式光刻技术。新闪存内核面积167平方毫米，每单位容量 2bit，总容量8GB，相比现有的34nm工艺闪存容量翻了一番，内核面积却小了十分之一。
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- 2009年全球半导体产业急剧下滑，但亚太的芯片厂商安然无恙。总部在亚太地区的半导体供应商，2009年合计营业收入实际增长2.3%，从2008年的435亿美元上升到445亿美元。相比之下，2009年全球半导体营业收入锐减11.7%，从2008年的2602亿美元降至2299亿美元。
“去年芯片产业形势黯淡，而亚太地区的供应商却设法实现了增长，因为他们专注于热门半导体产品而且受益于该地区的强劲需求，”iSuppli公司市场情报服务资深副总裁Dale Ford表示，“
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- 据报道，包括威刚、创见、PQI劲永等在内的台湾闪存产品厂商以及闪存控制器厂商群联电子近期都已经开始从SanDisk公司购买NAND闪存晶圆。这意味着SanDisk已经从自有品牌闪存设备制造商，摇身一变成了NAND晶圆供应商。
据称，SanDisk已经从闪存制造合作伙伴东芝一道，成了多家台湾闪存产品厂商的上游供应商之一。实际上，自2008年起就有传言称SanDisk将对外供应NAND闪存，但在当时在全球闪存市场供求旺盛的状况下，SanDisk一致谨慎的实行自有品牌的战略。随着近一两年全球金融危机以
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- 最近NAND闪存芯片产业内部的竞争激烈程度已经到了白热化的阶段，今年一月份，Intel-镁光联盟刚刚宣布将在今年量产25nm制程NAND闪存芯 片，其对手SanDisk-东芝联盟便随后以牙还牙，宣布将于今年下半年推出基于24nm制程的NAND闪存芯片产品。
据SanDisk公司展示的产品发展路线图显示，SanDisk-东芝联盟推出的24nm制程NAND闪存芯片将可适用于两位元存储单元设计和三位元存储单元设计。而Intel-镁光联盟的25nm制程则仅可适用于两位元存储单
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- 镁光公司NAND闪存市场开发部门的经理Kevin Kilbuck近日透露镁光计划明年将其NAND闪存芯片制程转向25nm以下级别，他表示镁光今年年中将开始批量生产25nm制程NAND闪存芯片，并将于明年转向更高级别的制程。他并表示镁光也计划开发自己的电荷捕获型(charge trap flash (CTF))闪存技术，以取代现有的浮栅型( floating-gate)NAND闪存技术。
Killbuck还向Digitimes网站表示，镁光的新款NAND闪存芯片将遵循新的EZ-NAND规范。目
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- 据iSuppli公司预测，苹果今年的iPhone生产计划可能导致新一轮闪存供货危机的发生。据iSuppli公司预测，今年苹果对其iPhone产品进行升级之后，iPhone手机产品的闪存容量将平均达到35GB之多，比现有的最大容量32GB还多。再加上iPhone本身的销量还将进一步实现幅度为32%的增长，达到3300万部左右，这样全球闪存市场今年将因此而再次呈现闪存供应紧张的局面。
过去，苹果每年都会将其设备所装备的闪存容量以每年增加一倍的速度提升，这样今年其iPhone手机的闪存容量有望达到64
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- 2010年全球存储器可能出现供应缺货，而且非常可能会延续下去。为什么?可能有三个原因，1)，存储器市场复苏;2)，前几年中存储器投资不足;3)，由ASML供应的光刻机交货期延长。
巴克菜投资公司的分析师 Tim Luke在近期的报告中指出，通过存储器的食物供应链看到大量的例证，认为目前存储器供应偏紧的局面将持续2010整年，甚至延伸到2011年。
据它的报告称，2010年全球NAND闪存的位增长可达70%，而2009增长为41%。2010年全球DRAM的位增长达52%。
Luke认为
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存储器 NAND 光刻机
- 消息人士周三透露，东芝未来三年内将投入8000亿日元(约合89.4亿)美元，在日本三重县(Mie Prefecture)修建一座闪存芯片制造厂。
报道称，东芝的这一计划将使该公司的NAND闪存芯片制造能力提高大约一倍。东芝原本打算在2008年修建该工厂，但受经济衰退致产品需求下滑的影响，东芝随后取消了该建厂计划。
市场调研公司iSuppli此前发布报告称，全球NAND闪存市场去年第三季度营收较第二季度的31亿美元，增长了25.5%，达39.4亿美元。东芝第三季度表现强于市场，其NAND闪存
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- 南韩Hynix公司本周二宣布，继半年前成功开发出基于32nm制程的NAND闪存芯片产品，并于去年8月份开始量产这种闪存芯片之后，他们已经于日前成 功开发出了基于26nm制程的NAND闪存芯片。他们并称将于今年7月份开始量产基于26nm制程的64GB容量NAND闪存芯片产品.
按闪存芯片市占率计算，Hynix公司去年在闪存芯片市场上的市占率排在第三位，仅次于排在前两位的三星与东芝公司。据此前的报道显示，三星公司和由Intel和镁光公司合资成立的IM Flash公司均计划于今年第二季度推出基于25n
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