- 业界传言镁光公司目前仍在考虑收购Numonyx公司事宜，并称其仍对NOR闪存市场抱有兴趣。一位市场分析师称：”我听说镁光有可能会收购 Numonyx公司，这说明他们似乎在考虑要成为一家为诺基亚等厂商提供闪存产品服务的一站式厂商。“
此前镁光已经与Intel公司合资成立了专门生产NAND闪存的IM Flash公司，而Numonyx公司则原来也是Intel内部负责NOR闪存的部门，不过后来Intel将这家公司从Intel分离出来，并成立了Numonyx，他们把这家公司的49%
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Numonyx NAND NOR闪存
- 在最近举办的一次会议上，Intel公司属下NAND闪存集团的新任老总Tom Rampone透露了有关Intel闪存业务的一个惊人规划，他们计划在闪存技术和SSD产品市场上取得领先地位，但他们并不准备在散片NAND闪存市场 上扮演领军人的角色。看起来他们并不愿意在风水轮流转的NAND闪存散片市场和三星，现代以及东芝这些厂商一争高下，但于此同时,他们又表现出想把三星从SSD业 务排名第一的宝座上拉下来的意图。
Intel不准备在NAND闪存散片市场称雄的决定令人稍感惊奇，过去他们一旦进入某个市场，那
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Intel NAND 闪存
- 据报道，韩国检方近日逮捕了两名美国半导体设备供应商应用材料Applied Materials高管，罪名则是这两名高管偷取三星DRAM、NAND芯片处理技术等机密并出售给了竞争对手海力士。
美国证券交易委员会的报告显示，Applied已经确认此事，并透露说其中一人是前应用材料韩国(AMK)高管、现任应用材料副总裁，另一名则是应用材料韩国子工厂的高管。
应用材料在一封电子邮件中表示，由于韩国检方目前还未公布两人的姓名，他们也不方便透露两者的信息。作为应用材料的一大客户，三星的利益显然受到了伤害
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应用材料 DRAM NAND
- 32位MCU强势增长
从全球范围内的微控制器(MCU)的市场情况看(如图1)，08年出货量是119亿美元，到09年降低到86亿美元。从增长曲线看，32位微控制器在过去5年增长了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增长。从销售额来看，在2009年的前10个月里有7个月32位高过8位，到10月底时，32位总体下降了近23%，而8位MCU下降了近27%。从数量上看，8位的下降是26%，而32位只下降10%，因此从单位数量来说，32位下降较少，NXP(恩智浦)认为32位还是有比较强劲的增长势头，这
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MCU NAND NOR Android
- 据日本经济新闻报导，东芝计划今年关闭其国内2个NAND闪存工厂之一,而把存储芯片封装工作全部集中于另一工厂。
即将关闭的工厂隶属于Toshiba LSI Package Solution Corp，位于福冈县宫若市,该厂生产设备以及约400名员工将被转移到东芝三重县四日市的工厂。
为降低生产成本，东芝会将日本本部作为其研发及测试中心，并加速将量产工作移往海外。
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东芝 NAND
- 英特尔公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首个25纳米NAND技术——该技术能够增加智能手机、个人音乐与媒体播放器(PMP)等流行消费电子产品，以及全新高性能固态硬盘(SSD)的存储容量，提供更高的成本效益。
NAND闪存可用于存储消费电子产品中的数据和其它媒体内容，即使在电源关闭时也能保留信息。NAND制程尺寸的缩小，推动了该技术持续发展并不断出现新的用途。25纳米制程不仅是当前尺寸最小的NAND技术，也是全球最精密的半导体技术——这项技术成就将
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英特尔 25纳米 NAND
- 苹果(Apple)新产品iPad正式亮相，内建16GB、32GB和64GB等3种容量的固态硬碟(SSD)，可望为低迷许久的NAND Flash市场注入强心针!根据外资和市调机构估计，2010年iPad出货量将介于600万~1,000万台不等，占NAND Flash需求量上看4%，同时也为产业开创新应用领域。惟近期NAND Flash报价波动相当平静，并未反映苹果效应，下游厂指出，大陆在农历年前又开始严查走私，因此当地需求锐减，预计年后才会发动补货行情。
苹果推出的平板计算机(Tablet PC)
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Apple SSD NAND
- 由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已经开始使用25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片，并相信足以领先其他竞争对手长达一年之久。IMFT公司在闪存工艺上一向非常激进，每12-15个月便升级一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年则率先达到了34nm，在业内领先六个月左右，也让Intel提前抢先发布了34nm第二代X25-M固态硬盘，美光也即将推出RealSSD C300系列。IMFT生产的闪存芯片有49%供给In
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Intel NAND 25nm
- 2010年1月农历春节前的补货行情落空，DRAM价格大跌，所幸NAND Flash价格比预期强势，存储器模块厂1月营收可望维持平稳，与2009年12月相较，呈现小涨或小跌的局面，整体第1季营收受到2月农历过年工作天数减少影响，而呈现下滑，但整体行情不看淡;模块厂认为，DDR3目前仍是缺货，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利润较高，另一方面DDR3短期会被DDR2价格带下来，但整体第1季DDR3供货仍相对吃紧。
存储器模块厂2009年交出丰厚的成绩单，创见、威刚都赚足1个股本，但2010年1月立
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DRAM NAND DDR3
- 韩联社(Yonhap)引述首尔大学说法指出，1组韩国工程师已改良手机用芯片技术，可大幅提升手机性能。
首尔大学表示，该团队研发的NOR芯片，可克服过去的诸多缺点。负责人表示，尽管NOR芯片能快速回溯资料，但却因为NOR芯片的容量上限仅有1GB，且更较耗能，而被NAND芯片击败。相较之下，NAND Flash可储存32GB的资料，占据更大优势。NAND芯片可用于MP3、摄影机和USB存储器等装置上。
一般的NOR芯片通常并不特别，不过首尔大学工程师所开发的芯片却有重要特点。该团队负责教授表示
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Samsung NAND NOR芯片
- 英特尔公司和美光科技计划下周公布闪存芯片的新进展。
两家公司有一个生产NAND闪存芯片的合资企业，这种芯片应用于手机，音乐播放器和其他驱动器上。
2009年，两家公司表示，它们正开发提高闪存芯片性能的技术，在芯片的存储单元上存储三位数据。大多数NAND芯片单元储存一位或两位数据。
这样，两家公司就能以更高的存储性能，更低的成本生产芯片。
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英特尔 NAND 闪存芯片
- NAND Flash市场未脱传统淡季，仍在等待苹果(Apple)补货效应出现，2010年1月下旬NAND Flash合约价大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅调涨，低容量芯片要严防3-bit-per-cell架构的TLC(Triple- Level Cell)成为市场的价格杀手，但高容量产品新增产能又相当有限，因此2010年NAND Flash价格发展持续两极化。
近期NAND Flash现货价和合约价都有止跌的迹象，1月下旬NAND Flash合约价持平开出，在高容量32Gb和64Gb
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Hynix NAND
- 全球第2大计算机存储器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季财报，随著全球个人计算机(PC)景气回温，海力士获利创下3年来新高。
2009年第4季海力士营收为2.8兆韩元(约24.7亿美元)，较第3季大幅成长32%，海力士营收成长主因为DRAM及NAND Flash存储器出货量成长，同时，DRAM平均售价也上扬，此外，第4季海力士净利为6,570亿韩元，更较第3季大幅成长167%。
和2009年第3季相较，2009年第4季海力士DRAM平均售价及出货量分别成长26%及12%，至于N
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Hynix DRAM NAND
- 业内人士日前透露,美国金士顿科技公司(Kingston Technology )预付了1亿美元给韩国海力士半导体公司以购买其2010年需要的内存和NAND闪存.
此外,该业内人士还表示,总部在台湾的威刚科技(a-data technology)正在寻求途径,增加其2010年的芯片供应商数量并且保证能通过预付款的方式获得足够多的芯片供应,而威刚所需要的内存此前主要来自韩国供应商.
内存模块制造商正在摆脱对三星电子的依赖,因为三星电子优先向PC和系统OEM厂商供货.
另外有消息称,海力士
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金士顿 内存 NAND
- 存储器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半导体业中经常分成两类，DRAM及闪存类。由于其两大特征，能大量生产以及应用市场面宽，使其半导体业中有独特的地位。业界有人称它为半导体业的风向标。
纵观DRAM发展的历史，几乎每8至10年一次大循环，最终一定有大型的存储器厂退出，表示循环的结束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的东芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇梦达最先退出。奇梦达的退出使市场少了10万片的月产能。
在全球硅片尺寸转移中，存储器也是走在前列，如
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存储器 DRAM NAND NOR SRAM
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