- 亚洲最大的半导体交易市场Dramexchange分析师周三表示，由于东芝一家芯片工厂因短时电力故障而停产的影响，到2011年1月中旬之前，NAND闪存芯片的价格可能会上涨15%。
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东芝 NAND
- 华尔街日报(WSJ)报导，东芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳电事件恐怕会影响接下来的产能，普遍使用于智能型手机(Smartphone)、平板计算机(TabletPC)及数码音乐播放器的NAND价格将因此跟涨。
东芝表示，这次的跳电事件可能影响未来2个月的产能，减少20%的产出。东芝与新帝(SanDisk)合资生产，总产出约占市场产能的3分之1，出货量仅次于排名全球第1的三星电子(SamsungElectronics)。
接下来几个月，全球的快闪存储器市场的供
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东芝 NAND
- 2010年在半导体存储器业界，各厂商纷纷恢复了在2008年秋季的雷曼事件后处于冻结状态的大型设备投资。由此，市场上的份额竞争再次变得激烈起来。 2008～2009年导致各厂商收益恶化的价格下跌在2010年上半年仅出现了小幅下跌。然而，进入2010年下半年后，以DRAM为中心、价格呈现出大幅下降的趋势。2011年很有可能再次进入残酷的实力消耗战。技术方面，微细化竞争愈演愈烈，以突破现有存储器极限为目标的新存储器的开发也越来越活跃。
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存储器 NAND
- 正当涉足NAND闪存业务整整一年之际，美光于12月2日新推出一种功能强大且封装紧密的25nm MLC处理器，这可使美光在当前的闪存市场处于更加有利的地位。
这款命名为ClearNAND的芯片分为标准型和增强型两个版本，标准版的存储容量为8GB和32GB， ClearNAND增强版的存储容量为16GB和64GB。
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美光 闪存 ClearNAND
- 针对2011年半导体资本支出的趋势，设备大厂应用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash厂资本支出将大幅成长，幅度将胜过DRAM产业，晶圆代工也仍然相当强劲，预估整体半导体设备市场将有持平至5%的成长幅度。
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应用材料 NAND
- 集邦科技发布近日报告称，明年全球闪存芯片销售额将达到215亿美元，同比上涨16%，但是其平均价格将同比下降35%。
集邦科技称，新款智能机、平板机的发布以及春节期间的采购将缓解明年一季度闪存市场受到的季节性销售因素影响。到二季度时，闪存市场的供需就会更加平衡，价格下降幅度不会太大。
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NAND 20nm
- 根据VLSIResearch发布的报告，该公司预测2010年度全球IC市场将成长32%，2011年度将成长8%;2010年度设备市场将成长103%，2011年度将成长10.6%。该公司认为目前的全球IC市场呈现出一些正面与负面的迹象;
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IC NAND
- 海力士半导体(Hynix)M8产线未来将以代工事业为重心。据南韩电子新闻报导，近期海力士以部分IC设计公司为对象，提出运用清州M8厂的合作方案。采用90奈米以上制程的电源管理半导体、发光二极管(LED)驱动芯片、显示器用驱动芯片(DDI)、传感器专门IC设计等企业皆为协商对象。
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海力士 闪存
- 应用于闪存微控制器的“新闪存”架构技术, 简介 嵌入式微控制器越来越多样化，可以满足嵌入式系统市场的应用需求，而主流已经从传统的掩模ROM微控制器转向了内置闪存(可擦写的非易失性只读存储器)的闪存微控制器。 闪存微控制器目前有两种主要应用：
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闪存 技术 架构 控制器 应用
- O 引言 Flash是一种非易失存储器，它在掉电条件下仍然能够长期保持数据。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等优点，近几年在U盘、SD卡、SSD硬盘等各种移动存储设备中得到了广泛的应用。本文给出了
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芯片 设计 控制 flash SD NAND 用于
- 据iSuppli公司，由于智能手机以及平板电脑的使用量增加，2010年全球NAND闪存营业收入将达到最高纪录。
预计2010年NAND闪存营业收入将达到187亿美元，比去年的135亿美元劲增38%，部分利益于智能手机和苹果iPad等消费电子产品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需双双增长，2011年NAND闪存市场将继续增长，尽管不及今年强劲。iSuppli公司的数据显示，预计明年NAND闪存市场上升25%至225亿美元。
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NAND 智能手机
- 2010年对于全球半导体产业而言，可说是值得纪念的一年，拓墣产业研究所研究员陈兰兰表示，2010年全球半导体产业年成长率将高达30%，创下10年以来新高纪录。然而，受到PC产业成长趋缓影响，2011年全球半导体产业仅将成长5%，移动通讯产品反成为支撑整体产业成长的重要动能。预估2011年移动通讯用产品占总体半导体比重将从2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也将随着智能手机等移动通讯产品兴起而与日俱增。
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SAMSUNG DRAM NAND
- NAND Flash的坏块管理设计,摘要：主要介绍了基于嵌入式Linux的NAND Flash坏块管理设计和实现方案，详细阐述了坏块映射表的建立、维护及其相关算法，同时分析了此坏块算法在Linux内核及Bootloader中的具体应用。测试结果表明该算法能够处理NAND
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设计 管理 Flash NAND
- 给出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的设计方法，文中集中研究了其中的软件部分，探讨了管理flash物理块的算法，提出了块级和页级两级地址映射机制以及映射信息在flash的存储定义，同时还提出了对flash的分区方法。
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设计 实现 算法 管理 Flash NAND
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