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nand 闪存 文章 进入nand 闪存技术社区

无NAND之地：闪存无法占领数据中心？

  • 　　NAND会不会彻底占据数据中心？答案是不会。截至2018年的磁盘与SSD出货容量预测显示，磁盘的发展速度将一路高于闪存方案。SSD整体出货容量与磁盘间的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND几何尺寸的每一次缩减都会给制造流程带来巨大的成本压力、并要求供应商利用更多配套解决方案保持现有使用寿命——具体而言，在每天写满一次的条件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
  • 关键字： NAND  SSD  数据中心  闪存  

NAND吃紧！花旗：三星、hTC将学苹果加大智能机容量

  • 　　Investor.com 3日报导，花旗发表研究报告指出，三星电子、宏达电 (2498)等智慧型手机制造商有望跟随苹果 ( Apple Inc. )的脚步增加手机的储存容量，这会提高市场对SanDisk产品的需求。 　　费城半导体指数成分股SanDisk 3日闻讯上涨2.02%、收103.36美元;该档个股在11月总计劲扬了9.9%、年初迄今大涨46.53%。SanDisk 11月26日收盘(104.26美元)甫创7月16日以来收盘新高。 　　根据报告，花旗分析师Joe Yoo将SanDisk的投
  • 关键字： 花旗  三星  NAND Flash   

分析师：2015年NAND Flash市况“上冷下热”

  • 　　TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 调查显示， NAND Flash 成本随着制程演进而持续下滑，各种终端应用如 SSD 与eMMC等需求则持续成长，估计 2015年 NAND Flash产值将较2014年成长12%，至276亿美元。 　　DRAMeXchange研究协理杨文得表示，由于终端产品出货与新机上市多半集中在第三季和第四季，相较之下上半年缺少新产品刺激市场，受淡季效应影响情况将较为显着，因此预估2015年NAND Flash市况将呈现上冷下热的格局，也就是
  • 关键字： TrendForce  NAND Flash  SSD  

SSD价格快速下滑　普及化只剩时间问题

  • 　　固态硬碟(SSD)价格正迅速下滑，3D NAND和TLC等SSD新技术逐渐扩散，带动储存容量扩大，并加速SSD大众化时代的来临。 　　据ET News报导，SSD将形成半导体新市场，价格跌幅相当明显。外电引用市调机构IHS资料指出，256GB容量的SSD平均价格在2014年第3季时为124美元，与2013年第3季的171美元相比降低27.5%。若与2012年相比则减少45.1%。 　　南韩业界认为，目前价格69美元、容量128GB的SSD，在2015年价格将降低至50美元以下。 　　南韩Woor
  • 关键字： 3D NAND  SSD  TLC  

2015年NAND Flash产业持续向上，产值成长超过10%

  • 　　TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示， NAND Flash成本随着制程演进而持续下滑，各种终端应用如SSD与eMMC等需求则持续成长，2015年NAND Flash产值将较2014年成长12%，达276亿美元。DRAMeXchange研究协理杨文得表示，由于终端产品出货与新机上市多半集中在第三和第四季，相比之下上半年缺少新产品刺激市场，受淡季效应影响情况将较为显著，因此DRAMeXchange预估2015年NAND Flash市况将呈现上冷下热的格局，也就是上半年
  • 关键字： NAND Flash  SSD  

三星半导体份额增长 与Intel差距史上最小

  • 　　韩联社首尔11月30日电 市场调查机构HIS本月30日发布的一份调查报告显示，预计今年三星电子半导体销售额同比剧增15.6%，将达382.73亿美元，其全球市场份额同比上升0.6个百分点，将达10.9%，稳居全球第二。 　　同期，美国半导体巨头因特尔的半导体销售额同比增长6.3%，将达499.64亿美元，虽然占据世界第一的位置，但其全球市场份额逐年下降，预计今年的市场份额同比下滑0.4个百分点，为14.2%。由此，三星电子和因特尔的市场份额相差仅为3.3个百分点，缩小至历史最低值。 　　三星电子和
  • 关键字： 三星  Intel  NAND  

SSD 2年内价格砍半　每GB首度跌破0.5美元

  • 　　次世代资料储存装置固态硬碟(SSD)市场价格，2年内下滑一半。由于NAND Flash产能增加、SK海力士(SK Hynix)也可望加入3D架构NAND Flash量产行列，皆让SSD加速迈向大众化阶段。而最近随著价格下滑，SSD应用范围逐渐扩大，有加速普及的倾向。 　　据韩联社引用市调机构IHS资料报导，256GB的SSD 2014年第3季平均售价(ASP)为124美元，比2013年同期171美元下跌27.5%，与2012年同期价格226美元相比，跌幅更达45.1%，意即最近2年内SSD价格几乎砍
  • 关键字： SSD  NAND Flash  

苹果变心、东芝掉大单？爱疯6 NAND传改由三星提供

  • 　　三星电子(Samsung Electronics)是苹果 (Apple)在智慧手机市场上的死对头，双方更于之前在全球展开轰轰烈烈的专利侵权大战、苹果并祭出所谓的「去三星化」措施。惟随着苹果/三星同意中止在美国以外地区(包括澳洲、日本、南韩、德国、荷兰、英国、法国、义大利)的官司互讼，也象征双方将握手言和，苹果将重回三星怀抱、扩大采用三星制零件? 　　日本苹果情报网站iPhone Mania 27日报导，南韩媒体BusinessKorea 26日指出，目前苹果iPhone 6除了已使用三星集团公司Sa
  • 关键字： 三星电子  苹果  NAND  

我国集成电路产业上市公司大盘点（上）

  • 　　随着《国家集成电路产业发展推进纲要》和千亿国家集成电路产业投资基金的成立，集成电路产业热度逼人，而我国集成电路产业近年来发展快速，涌现出一批具备一定国际竞争力的骨干企业，下面小编就为大家一一介绍，看看我国集成电路产业都有哪些上市企业。 　　太极实业 　　无锡市太极实业股份有限公司前身为无锡市合成纤维总厂，创立于1987年。通过几年的发展，具有相当技术和经济实力。在国内有一定知名度和发展前途的技术先进型企业。公司先后开发出花色差别化长丝、丙纤烟用过滤丝束、涤沦帘子线等三大主体产品。1991年被评为中
  • 关键字： 集成电路  NAND  SanDisk  

闪迪联合创始人荣获美国科技成就和创新最高荣誉

  • 　　全球领先的闪存存储解决方案供应商闪迪公司今天公布闪迪联合创始人、退休的董事长兼首席执行官 Eli Harari 博士因其对闪存技术研发和普及的重大贡献而被美国国家科学基金会授予国家技术与创新奖章。 　　美国国家技术与创新奖章代表了推进科学与技术进步的美国国家最高荣誉，获奖者对加深人类对世界的认识和改善人类的生活作出了不可磨灭的贡献。在美国国家政要和其他获奖者的见证下，美国总统奥巴马于11月20日在白宫举办的典礼上授予EliHarari博士该项奖章。 　　25年前，Harari博士与合伙人共同创立了
  • 关键字： 闪迪  NAND  

台内存大厂挥军日本　直闯工控和车用市场

  • 　　征战海外展览的台湾内存大厂，终于在日本找到了机会。
  • 关键字： 内存  NAND Flash  

闪存存储技术迅速走向成熟

  • 　　闪存技术在中国这几年已经获得突飞猛进的发展，正在迅速走向成熟，之前阻碍闪存普及的价格门槛，正在逐步降低，未来闪存的可靠性会和价格一齐下降，但我们能够通过系统软件来更好地实现闪存的利用价值。　　Gartner 大中华区数据中心架构与管理首席分析师张瑾　　2013年的中国闪存市场　　Gartner 大中华区数据中心架构与管理首席分析师张瑾首先用数字说明2013年对于闪存来说绝对是一个不平凡的一年，首先闪存颗粒，Gartner的研究表明，每GB的价格成本下降41%，这是一个非常大的下降的
  • 关键字： 闪存  

数据经济时代 闪存能否成栋梁

  • 　　随着互联网、云计算、移动终端和物联网的迅猛发展，全球数据量每两年翻倍的速度增长，人们选用的存储介质也发生了较大的变化，到2020年全球数据总量将达到44ZB。如此高速增长的数据，采取什么样的存储更为愉快?闪存能否成为未来存储的栋梁?      俗话说：以史为鉴，可以知兴替。回顾过往，存储行业从很久以前的磁带存储方式过渡到磁盘存储方式，磁带存储没有消亡，但磁盘占了主流。当前从磁盘存储方式逐渐过渡到闪存方式，未来磁盘存储不会消亡，但闪存势必会占据
  • 关键字： 闪存  

PMC FlashTec NVRAM：抓住闪存细分市场需求

  • 当前，基于闪存的创新已经成为数据中心领域最大的热点，市场上已经涌现出五花八门的闪存产品。大家公认闪存对于数据中心应用的加速效果十分明显，无论是服务器内部的固态硬盘、PCI-E闪存卡还是混合阵列、全闪存阵列都已经在数据中心领域得到验证，尤其是随着闪存成本价格稳步下降，闪存在数据中心领域的应用趋势必然加快。同时，随着云计算、大数据、社交网络、移动化四大趋势的来临，超大型数据中心用户对于加速的需求更进一步，传统的闪存产品已经不能较好满足超大型数据中心用户某些关键性应用需求，超高性能的闪存产品成为这些超大型数据中
  • 关键字： Sandisk  闪存  

干掉闪存 下代MRAM首次展示：快7倍

  • 　　近日，日本TDK首次展示了新型存储技术MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash闪存。MRAM全称磁阻随机访问内存，已经存在一段时间了，但是TDK将其带到了一个新的高度。它以磁荷为数据存储介质，而它的名字来自自旋传输矩，也即是写入数据的时候利用电子角动量来改变磁场。　　MRAM技术的读写速度可以媲美SRAM、DRAM，当同时又是非易失性的，也就是可以断电保存数据，等于综合了RAM、Flash的优点。　　TDK多年来一直在研究STT-MRAM，但此前从未公开展示。这次拿出的原型芯片和一个NOR&n
  • 关键字： TDK  闪存  
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