我们获取和存储数据的方式发生了巨大转变，这是近年来半导体行业出现并购潮的原因所在。
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半导体 NAND
陶氏电子材料是陶氏化学公司的一个事业部，本日推出 OPTIPLANE™ 化学机械研磨液 (CMP) 平台。OPTIPLANE 研磨液系列的开发是为了满足客户对先进半导体研磨液的需求：能以有竞争力的成本，符合减少缺陷的要求和更严格的规格，适合用来製造新一代先进半导体装置。
全球 CMP 消耗品市场持续成长，部分的成长驱动力来自新的 3D 逻辑、NAND 快闪记忆体和封装应用，这些均要求大幅提高的平坦化效果和最低程度的缺陷率，以符合无数先进电子装置的性能需求。
「生产先进半导体晶圆
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陶氏 NAND
经过8个多月的努力，英特尔大连非易失性存储制造新项目7月初实现提前投产。7月25日，记者在英特尔半导体(大连)有限公司厂区内看到，1000多名英特尔员工和来自全世界的数千名项目建设供应商员工，正井然有序地忙碌着，他们的共同目标只有一个：全力加速非易失性存储制造新项目的量产步伐。
去年10月，英特尔公司宣布投资55亿美元将大连工厂建设为世界上最先进的非易失性存储器制造工厂。该项目是迄今为止英特尔在中国的最大一笔投资，也是大连市乃至辽宁省改革开放以来最大的外资项目。此前的2010年，作为英特尔在亚洲
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英特尔 NAND
NAND快闪记忆体受惠固态硬盘(SSD)销售热络，加上智能手机搭载容量提高，带动近月价格持续上涨，创见、威刚等模组厂营运受惠，市场预期苹果将推出的iPhone 7拉货动能如何，将攸关NAND快闪记忆体价格续涨力道。
市场指出，上半年非苹阵营智能手机产品销售强劲，产品功能提升带动记忆体需求大增，加上6月三星西安厂因变电厂爆炸导致停工，带动NAND快闪记忆体价格上涨，主流产品在1个月内涨幅超过2成。
市况变化带动记忆体模组厂营运增温，创见表示，在涨价预期心理带动下，通路拉货力道明显回升，DRA
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NAND DRAM
因中国大陆、中国台湾智能手机厂商纷纷强化产品功能、带动记忆体需求大增，加上三星电子西安工厂6月因附近变电厂爆炸而一度停工，带动使用于智能手机、记忆卡的NAND型快闪记忆体(Flash Memory)交易价格转趋走扬，指标性产品6月份批发价在1个月期间内飙涨22%。
报道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)类型64Gb NAND价格扬升至每个2.75美元、为2年9个月以来首度走升，其中也有部分交易价格超过3美元，且进入7月以来价格仍持续走扬。据英国调查公司指出，2016年全球NA
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三星 NAND
三星3D V-NAND立体堆叠闪存行业闻名，而且已经堆到了惊人的48层，工艺精良，不过据《日经亚洲评论》报道，东芝正在谋划多达64层的NAND闪存，比三星多三分之一!
7月15日，东芝举办了日本三重县四日市(Yokkaichi)半导体二厂的启用仪式，并透露将在此生产48层堆叠闪存，并计划2016财年(截止到2017年3月底)内量产。
这种闪存的成本和价格会比较高，但是因为容量可以做的更大，平均价格反而会更便宜，可用于从智能手机、固态硬盘到数据中心等各种领域，初期主要供应持续增长的数据中心。
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东芝 闪存
目前，越来越多的智能手机厂商，开始大幅度提高手机闪存的容量，市场对于闪存的需求和技术要求越来越高。据悉，日本东芝和韩国三星电子在闪存技术上存在激烈竞争，而东芝领先了一局，该公司即将大规模生产3D闪存。
手机内存越配越高
据日本经济新闻周六报道，本财年内(明年三月底之前)，东芝公司将会投产最新一代的3D闪存，这将领先于闪存老对手三星电子。
众所周知的是，东芝因为财务丑闻，公司运营陷入了艰难境地，东芝也希望自己占据技术优势的闪存业务，能够提振全公司的表现。
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东芝 闪存
据海外媒体报道，东芝(Toshiba)计划领先三星电子(Samsung Electronics)于2016财年开始量产64层3D NAND Flash存储器芯片。日经亚洲评论(Nikkei Asian Review)报导，东芝于7月15日举办日本三重县四日市(Yokkaichi)半导体二厂启用仪式，未来将在此工厂生产64层NAND Flash。
64层NAND Flash较东芝和三星目前生产的48层NAND Flash容量高30%，虽然价格较高，但每单位容量会比48层版的便宜。若应用于智能型手机
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东芝 NAND
有关中国半导体业发展的讨论已经很久了，似乎路径已经清晰，关键在于执行，以及达成何种效果。受现阶段产业大环境的影响，仍由政府资金主导，因此非市场化的因素尚在，产业的波浪式前进似乎不可避免，中国半导体业发展需要采用研发、兼并及合资与合作的三驾马车，这三者都十分重要，需要齐头并进。
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半导体 NAND
备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪记忆体已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
三星(Samsung)早在2015年8月就发布其256Gb的3位元多级单元(MLC) 3D V-NAND快闪记忆体K9AFGY8S0M，并强调将用于各种固态硬碟(SSD)，也预计会在2016年初正式上市。这些承诺如今真的实现了，我们得以在其2TB容量的T3系列mSATA可携式SSD中发现其踪影(如图1)。
图1：三星T3 2TB S
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三星 V-NAND
东芝(Toshiba)统筹存储器事业的副社长成毛康雄于6日举行的投资人说明会上表示，将冲刺NAND Flash产量，目标在2018年度将NAND Flash产量扩增至2015年度的3倍水准(以容量换算)。
关于已在2016年度开始量产的3D结构NAND Flash，成毛康雄指出，将强化3D Flash的生产，目标在2017年度将3D产品占整体生产比重提高至5成、2018年度进一步提高至9成左右水准。
东芝为全球第2大NAND Flash厂商，市占率仅次于三星电子。
日经、韩国先驱报(
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东芝 3D NAND
Cell on Peripheral Circuit(以下简称Cell on Peri)构造由美光(Micron)与英特尔(Intel)阵营开发，采用将3D NAND Flash晶胞(Cell)阵列堆叠在周边电路CMOS逻辑IC上的方式，以缩减采3D NAND Flash解决方案的晶片面积。DIGITIMES Research观察，三星电子(Samsung Electronics)已提出类似此一构造的COP(Cell Over Peri)方案，将有利整合元件厂(Integrated Device Ma
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3D NAND 美光
DIGITIMES Research观察，2016年上半三星电子(Samsung Electronics)为全球供应3D NAND Flash的主要业者，然2016年下半随东芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存储器业者陆续量产3D NAND Flash，三星独家供应3D NAND Flash的状况将改变，不过，三星已及早规划增产3D NAND Flash及朝64层堆叠架构迈进，短期内仍将掌握产能与技术优势。
三星已自2013年下半起陆续量产24层、32层
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三星 3D NAND
三星公司已经开始量产其48层(即单NAND内48层单元，属于第三代升级技术)3D V-NAND芯片，预计其将被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企业级SSD(PM1633a)等SSD产品。在各设备当中，将包含大量48层3D V-NAND存储芯片且通过引线键合技术实现彼此堆叠。三星公司在48层3D V-NAND芯片中集成了512 GB存储单元，意味着每个NAND晶片为32 GB容量(256 Gb)。三星的32层(第二代方案)3D V-N
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三星 V-NAND
韩媒NEWSIS报导，韩国半导体业者将3D NAND视为克服不景气的对策。3D NAND是三星电子(Samsung Electronics)最早宣布进入量产的技术，在这之前业界采用的是水平结构，3D垂直堆叠技术成为克服制程瓶颈的解决方案。
3D NAND比20纳米级产品的容量密度高，读写速度快，耗电量节省一半;采用3D NAND Flash存储器的固态硬碟(SSD)其电路板面积也较小。基于上述优点，对于业界积极发展以人工智能平台的相关服务，3D NAND成为具有潜力，有利于迈入第四次工业革命的技
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3D NAND 半导体
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