解读实现中国存储器梦的三条路径

　　构建中国存储器的梦一步步在向前推进，继今年4月武汉“新芯”宣布动工，公布了宏伟的规划兰图。如今紫光入围，成立长江存储科技有限责任公司，并推选赵伟国当董事长，丁文武当副董事长，表明项目再次取得实质性的进展。

　　国内外对于项目上马的看法差异很大，就目前非常有限的资料来判断，一定取得胜算的把握可能尚不好预测。

　　中国存储器业的发展刚刚启步，目前存储器有三个方面的力量正在聚集，一是政府主导的武汉新芯，它们与Spansion及中科院微电子所等合作，据说己经有9层3DNAND样品;二是紫光，它的策略是先通过兼并，达到一定高度之后再自行研发;三是两个地方政府，福建与合肥，它们试图寻找技术伙伴，或者挖技术团队后再前进。

　　兼并

　　紫光把希望寄于通过兼并，让中国的存储器业的起点抬高，再进行自主研发。这样的思维听起来是务实的，然而由于中国处在特定环境下，许多正常的兼并贸易都被美国CFIUS否决。综合起来近时期紫光的实践，欲联手美光等，希望能得到技术支持的想法恐怕难以实现。更有传闻欲学习台湾地区的“华亚科”模式，由中方出资，美光技术主导，最终成为美光在全球布局的一部分。如果是这样的结局恐怕有违于中国开初建设存储器芯片事业的初衷。

　　因此现阶段的兼并之路恐难以为继。

　　合资与合作

　　福建“晋华”开创出一条新路。原本依制鞋，服装出口为主的侨乡，试图产业转型进入存储器芯片制造领域，近期还得到大基金等的支持。

　　晋华的模式很清晰，中方出资，技术上依赖联电，最终经营的盈利还分成给联电，是个两岸合作双赢的模式。关键是它们选择利基型DRAM作为突破口。

　　什么是利基型DRAM?

　　全球DRAM从应用可分成五类，分别是标准型(PC等应用)，服务器，行动式，绘图用及利基型(消费类consumer)。2015年的DRAM市场中五类产品的占比分别为26%，22%，38%，6%及6%，并预测2016年分别为19%，24%，42%，6%及8%。表示利基型DRAM的市场己扩大30%。

　　由于利基型DRAM是客制化为主，属于小众市场(年总销售额才约35亿美元，而整个DRAM市场在350-400亿美元)，采用相对成熟的制程。开初国内业界对于选择联电作为DRAM的技术合作伙伴有些质疑，也是可以理解的。

　　然而任何事应该看它作什么?用最后的结果来回答。刚开始就贴上“标签”，未必一定正确。据目前的判断联电在选择利基型DRAM作为中国存储器业的突破口可能是步好棋。

　　因为利基型DRAM主要用于液晶电视、数字机顶盒、播放机等消费型电子等相关产品中，多数是采用成熟制程。

　　利基型DRAM需求相当稳定，很多都是客制化晶片，不属于大众规格产品，不像标准型DRAM会因为价格下跌使得容量倍增，影响利基型DRAM涨价的主要因素是以供给端为主。

　　目前全球最大的利基型DRAM供应商为海力士，南亚科和华邦则是陆续转战此领域，此外还有IC设计公司晶豪科、钰创、力积，IC测试厂泰林等。

　　晋华存储器项目采用成熟制程的利基型DRAM。它避开先进工艺制程的激烈竞争，而依赖于终端应用产品，与中国具有全球最大的应用市场相匹配，所以未来的产品市场销售相对可能易于控制。不足之处据传是采用32纳米制程启步，以及技术上由联电控制。

　　因此从项目的达成率分析，晋华项目相对的成熟度较高，而且中方省心，省事，只要解决资金供应，以及未来产品的市场销售问题。

　　该项目未来最大的担忧是中方如何尽快的由学生地位转变成老师。