解读实现中国存储器梦的三条路径

　　自主研发

　　这是一条最为艰难之路，因为仔细思考目前除了有钱，技术与人材都不具备，再加上全球存储器垄断，西方处处堵截我们，因此中国只有狠下一条心，丢掉一切幻想，加强自主研发，为国家争一口气。

　　但是科学技术来不得半点虚假，必须遵循规律，因此需要人材，投入及时间。目前第一阶段的目标是2018年，100，000片产能，量产32层3D NAND闪存。

　　摆在首位的肯定是技术上迅速的突破，新芯至少要过32层，多少纳米制程尚不清楚。技术上能突破是新芯的立足之本。

　　中国存储器业发展可能分成三步：第一步是尽快的研发成功，早日量产：第二步是提高制程技术，并迅速的降低成本;第三步在全球存储器的下降周期时逆势的扩充产能，缩小差距。

　　看似简单的步骤，执行起来经常会受到各种干扰，因此贵在坚持。从此点上赵董事长有长处，西北汉子的性格，能勇往直前，迅速作出决断。然而中国半导体业尚处在非完全市场经济阶段，有许多非市场化的因素一定会导入，让企业左右为难，但是最终一定要作出抉择。

　　尤其是当企业出现亏损时，而且是连续数年之后，还要能说服自己，及股东能继续的投资，需要铁婉式的决断。

　　近期魏少军博士讲，存储器项目最困难的是项目启动的三年之后。那时生产线己经开通，关键要产出有竞争力的市场产品。否则尽管产品生产很多，库存也很大，会带来很大的资金压力，这是一定会发生的事。

　　存储器业的特征就是起伏大，价格下降快，不是处于全球的领先地位，面临亏损的几率是非常大。

　　所以赵董事长的角色并不好当，既要符合产业发展的需要，又要为投资的股民谋福利，有时是个互相矛盾的事。

　　中国发展存储器业是国策，是块硬骨头，目前己无退路，只有向前挺进。现阶段各种模式都可以尝试一下，从目前的态势肯定走自主研发道路的风险要更大些，因此要集中国内的最顶级人材，也可学习台积电的“夜鶯部队”方式，争取更多的时间去努力攻克它，但是相信只有通过自主研发的成果才是属于自己的。

　　另外合资发展的模式可能相对易行，两岸合作实现双赢是大势所趋，它对于中国能早日产出存储器芯片是有十分重要的意义。