- 被广泛应用于手机、平板等数码设备中的Nand Flash由于工艺原因无法避免坏块的存在，但是我们可以凭借高科技变废为宝，将“坏块”进行有效的利用，从而满足我们的应用需求，让坏块不“坏”。
要想变废为宝，有效利用坏块。我们首先要弄明白什么是“坏块”，做到知己知彼，才能为我所用。坏块的特点是当编程或者擦除这个块时，不能将某些位拉高，从而造成编程和块擦除操作时的错误，这种错误可以通过状态寄存器的值反映出来。这些无效块无法确定编程时
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Nand Flash 寄存器
- 由于智能手机、SSD市场需求强烈，闪存、内存等存储芯片最近都在涨价，这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中，存储芯片是最优先的，也是全国各地都争着上马的项目，其中国家级的存储芯片基地在武汉，投资超过240亿美元，之前是新芯科技主导，现在已经变成了紫光公司主导，预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存，而且是32层堆栈的，起点不算低。
2015年中，国家级存储芯片基地确定落户武汉市，由武汉新芯科技公司负责建设，今年3月份12寸晶圆
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3D NAND
- 大陆发展3D NAND、DRAM、NOR Flash存储器大计正如火如荼地展开，初步分工将由长江存储负责3D NAND及DRAM生产，武汉新芯则专职NOR Flash和逻辑代工。2016年底长江存储将兴建首座12吋厂，最快2017年底生产自制32层堆叠3D NAND芯片，尽管落后目前三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)技术约2个世代，然大陆终于将全面进军NAND Flash领域。
尽管大陆并未赶上NAND Flash存储器世代，但在存储器技术改朝换代之际，大
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存储器 NAND
- 首先需要了解NAND FLASH的结构。如图：以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例，这款Flash(如上图)以4个扇区(sector)组成1个页(page)，64个页(page)组成1个块(block)，4096个块(block)构成整个Flash存储器;由于每个扇区
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Flash NAND 扇区管理
- SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Ce
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SLC MLC TLC 闪存
- 全球硬盘机大厂Western Digital(WD)和日厂东芝(Toshiba)合作，打算超车三星电子，抢先生产64层3D NAND Flash。不过外资警告，要是WD和东芝真的追上三星，三星可能会扩产淹没市场，重创NAND价格。
巴伦(Barronˋs)11日报道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和东芝计划抢在三星之前，生产64层3D NAND flash，此举可能导致三星扩产还击。报告称，当前三星在业界握有主导权，将密切关注WD/闪迪(WD去年收购了
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西数 NAND
- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange)最新调查显示，在智能手机及各种固态硬盘的强劲需求下，第四季NAND Flash缺货的情况较第三季更明显，NAND Flash wafer与卡片价格将持续上涨至年底的趋势确立，eMMC/eMCP与固态硬盘的价格也呈现上涨，预期第四季NAND Flash业者营收及利润将较第三季更为出色。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，下半年NAND Flash市况逐渐转强的主要因素来自于智能手机需求的成长。虽然iPhone 7的销售
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NAND 服务器
- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示，在智能手机及各种固态硬盘的强劲需求下，第四季NAND Flash缺货的情况较第三季更明显，NAND Flash wafer与卡片价格将持续上涨至年底的趋势确立，eMMC/eMCP与固态硬盘的价格也呈现上涨，预期第四季NAND Flash业者营收及利润将较第三季更为出色。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，下半年NAND Flash市况逐渐转强的主要因素来自于智能手机需求的成长。虽然iPh
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TrendForce NAND
- 未来半导体进入五大转折，包括逻辑芯片制程技术推进到10/7纳米;存储器推进到3D NAND Flash;因应芯片愈来愈小，制图成型依赖愈来愈高;移动设备导入OLED比重会愈来愈高以及大陆积极扶植半导体产业。
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NAND AR
- 半导体存储器是一个高度垄断的市场，其三大主流产品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前两者，全球市场基本被前三大公司占据，且近年来垄断程度逐步加剧。
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存储器 NAND
- 据外媒报道，东芝今天将截至9月份的上半财年营业利润预期上调一倍以上至700亿日元(约合6.95亿美元)，此前预期为300亿日元。
受此消息推动，东芝股价在周三快速上涨，创下自去年10月以来的最高点。这是东芝第二次上调营业利润预期，该公司在今年5月份最初预计上半财年将营业亏损200亿日元。
智能机存储芯片的强劲需求推动东芝上调营业利润预期。另外，比东芝保守预期更为疲软的日元汇率也发挥了推动作用。
芯片需求的增长源于中国智能机出货量的强劲表现。尽管全球智能机市场表现乏力，但是中国智能机出
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东芝 NAND
- 先前，因为受到连续7年作假帐风波，因而导致公司商誉严重受损，并且冲击投资人信心的日本电子大厂东芝(Toshiba)，28日宣布上调2016年上半年度的获利预测，预估将上调至850亿日元的水准，较原本预估的700亿日元调高21.43%，每股EPS也将达到20.08日元，等于宣告正式摆脱公司作假帐的阴霾。
东芝于28日发出的消息表示，由于受惠于智能手机对于NAND闪存的提升，尤其在中国市场，在手机制造商不断提升产品的储存能力，所以需要性能越来越好的NAND闪存产品，导致相关价格的不断上扬，如此以进一
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东芝 NAND
- 日媒称，日本半导体制造装置协会日前宣布8月份半导体制造设备的订货金额(3个月移动平均值，速报值)为1348亿日元(约合人民币90亿元)，同比增长30.8%。这是自2014年3月(34.0%)以来时隔29个月增长率首次超过30%。中国半导体制造商兴起、半导体的微细化、立体化这三大变化为整个产业带来了活力。另一方面，半导体设备制造商之间的优胜劣汰也有可能变得更加明显。
据外媒报道，“采购设备的时间提前了”，东电电子社长河合利树无法掩饰他对半导体制造商们强烈设备投资欲的惊讶。
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半导体 NAND
- 据韩联社9月19日报道，韩国市场调研机构IHS和半导体业界19日消息，三星电子在今年第二季度整合元件制造商排名中位列第二，销售额占有率为11.3%，与英特尔的差距缩小到3.4个百分点。
今年第二季度三星电子销售额达94.52亿美元，排名第一的美国英特尔半导体销售额达122.72亿美元，市场份额为14.7%。
三星与英特尔的市场份额差距在2012年达5.3个百分点，2013年为4.2个百分点，2014年3.4个百分点，2015年为3.2个百分点。虽然，今年第一季度差距拉大到4个百分点以上，但
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半导体 NAND
- 第二季NAND Flash品牌商营收较上季成长3.4%，结束前两季连续衰退的颓势。
受惠于中国智慧型手机品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7备货需求，第二季整体NAND Flash供货逐渐吃紧;TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，2016年第二季eMMC、用户级固态硬碟与企业级固态硬碟的合约价跌幅开始收敛，通路端wafer价格更从四月起逐月走扬，第二季NAND Flash品牌商营收逆势季成长3.4%，结束前两季连续衰退的颓势。
DRAM
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NAND 三星
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