- 面对全球信息化加速发展，以电子信息为代表的新一代信息技术产业呈爆发式增长态势。2016年陕西实现了新一代信息技术产业的持续高速增长，全年电子制造业总产值超过700亿元，同比增长50%以上，其中半导体产业产值达到500多亿元，位于“一带一路”核心地位的陕西是如何超前谋划，使新一代信息技术产业助力陕西在经济发展上实现“弯道超车”?半导体产业在其中又起了怎样重要的推动作用?新华社记者带你一探背后的奥秘。
西安高新区：聚焦新兴产业带动转型升级
近年来
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集成电路 闪存
- 伴随全球化带来的产业转移，中国半导体产业正向上游延伸。产业发展也进一步增强了兼收并购需求。
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东芝 闪存
- 希望大家平时一定要注意这些消费陷阱，买到真正优秀的好手机。
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闪存 SoC
- 2017年将是3D NAND Flash应用市场快速崛起的关键年，包括三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、东芝(Toshiba)等陆续推出具竞争力的64层3D NAND Flash加入竞局，SK海力士(SK Hynix)更一举跳到72层3D NAND Flash技术以求突围，由于新旧技术转换，良率仍不稳定，加上固态硬碟(SSD)需求起飞，造成NAND Flash市场大缺货，业者预期2017年下半产出可望大增，全面开启3D NAND Flash时代。
三星在2
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三星 NAND
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季将会开始呈现反转，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑，并在 2019 年重新陷入一个相对低点。
Gartner 表示，自 2016 年中期以来，随着 NAND Flash 的涨价，SSD 的每字节的成本也出现了惊人上涨。 不过，这种上涨趋势将在本季达到顶峰。 其原因在于中国厂商大量投入生产的结果，在产能陆续开出后，市场价格就一反过去的涨势，开始出现下跌的情况。
Gart
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DRAM NAND
- 全球领先的嵌入式非易失性存储器解决方案提供商赛普拉斯半导体公司与中国最先进的纯晶圆代工厂之一，上海华力微电子有限公司(华力)今日共同宣布，基于华力 55纳米低功耗工艺技术和赛普拉斯SONOS (氧化硅氮氧化硅)嵌入式闪存知识产权相结合，为闪存产品树立了一个新的里程碑。华力的客户已经开始使用这项技术进行低功耗嵌入式闪存产品的试生产，针对蓝牙低功耗和物联网应用。赛普拉斯高耐用性、可扩展的SONOS嵌入式闪存工艺针对低功耗需求进行了优化，使其成为微控制器(MCU)和物联网(IoT)应用的
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赛普拉斯 闪存
- 这次大概介绍了一下NAND Flash，以及在ASF中使用它的方法。 一、 接线 这个开发板搭载了一个256 MB，8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA)。引脚接线如下：
偷个懒，直接上引脚复用的图。其中PC14表明该NAND FLASH需要作为SMC的外设0使用。通过使用NANDOE和NANDWE引脚说明需要使用芯片的NAND Flash控制逻辑。另外，PC18复用为输入
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SAM4E NAND
- 随着APP体积不断扩大，以及照片、视频等文件逐渐累积，消费者再难回到被16GB ROM支配的时代。就连吝啬的苹果也将iPhone存储容量翻番，最高达到了256GB。大容量闪存能够提高数据并行处理的效率，但是256GB就够了吗?
日前，海力士(SK Hynix)推出业界首款72层堆叠的3D NAND闪存。该方案基于TLC阵列、单晶片容量为256Gb(32GB)，闪存芯片封装后的最高容量将达到512GB。
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海力士 NAND
- 选SSD就是选闪存颗粒!所以，大家购买前可以先在网上看看评测拆解，了解颗粒是否来自于原厂或者是白片，再慎重选择。
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SSD 闪存
- 从去年年中开始，以固态硬盘为代表的，包括固态硬盘、内存条、优盘甚至闪存卡在内的几乎全部闪存产品，开始缓慢涨价。
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内存 NAND
- 东芝已经处于资不抵债的边缘，被迫出售优质大额资产来改善其财务状况，究竟东芝存储业务花落谁家，虽然在近期就可以揭晓。
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东芝 NAND
- 北京时间3月24日上午消息，由于供应趋紧和需求旺盛导致存储芯片价格上升，美光科技预计当前季度的营收和利润远超分析师预期。该公司第二财季利润也超出分析师预期，促使其股价在周四盘后交易中大涨9.4%。
由于各大企业都在争相开发体积更小、效率更高的芯片，引发了供应瓶颈，但与此同时，智能手机、人工智能、无人驾驶汽车和物联网的数据存储需求却在飙升，导致全球存储芯片制造商正在经历分析师所谓的“超级周期”。
美光科技周四表示，该公司的DRAM芯片第二季度涨价21%，此前一个季度已
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美光 NAND
- 三星电子周二宣布，位在首尔南方的新芯片厂施工进度顺利，将如期于 2017 上半年投产。
三星新芯片厂于 2015 年动土，共投入 15.6 万亿韩元(约 144 亿美元)建厂，为三星史上最大单一产线投资项目。据三星表示，新厂第一阶段施工目前已完成九成。
新芯片厂主要用于生产高容量 3D 立体 NAND 快闪存储器。快闪存储器可取代传统硬盘，并广泛应用于数码相机、智能手机与其他 USB 界面储存设备。
市调机构 DRAMeXchange 日前指出，三星稳坐去年第四季 NAND 快闪存储
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三星 3D NAND
- NAND闪存芯片被三星、东芝、SK Hynix、美光、Intel等少数公司垄断，中国公司在此领域毫无话语权，甚至连收购、合作外资公司都没可能，想获得突破还得靠国产公司自立。紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工，2019年全速量产，预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。
长江存储科技前身是武汉新芯公司，该公司去年联合湖北省政府投资基金在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，随后
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长江存储 NAND
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