- 全球领先的嵌入式非易失性存储器解决方案提供商赛普拉斯半导体公司与中国最先进的纯晶圆代工厂之一，上海华力微电子有限公司(华力)今日共同宣布，基于华力 55纳米低功耗工艺技术和赛普拉斯SONOS (氧化硅氮氧化硅)嵌入式闪存知识产权相结合，为闪存产品树立了一个新的里程碑。华力的客户已经开始使用这项技术进行低功耗嵌入式闪存产品的试生产，针对蓝牙低功耗和物联网应用。赛普拉斯高耐用性、可扩展的SONOS嵌入式闪存工艺针对低功耗需求进行了优化，使其成为微控制器(MCU)和物联网(IoT)应用的
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赛普拉斯 闪存
- 这次大概介绍了一下NAND Flash，以及在ASF中使用它的方法。 一、 接线 这个开发板搭载了一个256 MB，8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA)。引脚接线如下：
偷个懒，直接上引脚复用的图。其中PC14表明该NAND FLASH需要作为SMC的外设0使用。通过使用NANDOE和NANDWE引脚说明需要使用芯片的NAND Flash控制逻辑。另外，PC18复用为输入
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SAM4E NAND
- 随着APP体积不断扩大，以及照片、视频等文件逐渐累积，消费者再难回到被16GB ROM支配的时代。就连吝啬的苹果也将iPhone存储容量翻番，最高达到了256GB。大容量闪存能够提高数据并行处理的效率，但是256GB就够了吗?
日前，海力士(SK Hynix)推出业界首款72层堆叠的3D NAND闪存。该方案基于TLC阵列、单晶片容量为256Gb(32GB)，闪存芯片封装后的最高容量将达到512GB。
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海力士 NAND
- 选SSD就是选闪存颗粒!所以，大家购买前可以先在网上看看评测拆解，了解颗粒是否来自于原厂或者是白片，再慎重选择。
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SSD 闪存
- 从去年年中开始，以固态硬盘为代表的，包括固态硬盘、内存条、优盘甚至闪存卡在内的几乎全部闪存产品，开始缓慢涨价。
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内存 NAND
- 东芝已经处于资不抵债的边缘，被迫出售优质大额资产来改善其财务状况，究竟东芝存储业务花落谁家，虽然在近期就可以揭晓。
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东芝 NAND
- 北京时间3月24日上午消息，由于供应趋紧和需求旺盛导致存储芯片价格上升，美光科技预计当前季度的营收和利润远超分析师预期。该公司第二财季利润也超出分析师预期，促使其股价在周四盘后交易中大涨9.4%。
由于各大企业都在争相开发体积更小、效率更高的芯片，引发了供应瓶颈，但与此同时，智能手机、人工智能、无人驾驶汽车和物联网的数据存储需求却在飙升，导致全球存储芯片制造商正在经历分析师所谓的“超级周期”。
美光科技周四表示，该公司的DRAM芯片第二季度涨价21%，此前一个季度已
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美光 NAND
- 三星电子周二宣布，位在首尔南方的新芯片厂施工进度顺利，将如期于 2017 上半年投产。
三星新芯片厂于 2015 年动土，共投入 15.6 万亿韩元(约 144 亿美元)建厂，为三星史上最大单一产线投资项目。据三星表示，新厂第一阶段施工目前已完成九成。
新芯片厂主要用于生产高容量 3D 立体 NAND 快闪存储器。快闪存储器可取代传统硬盘，并广泛应用于数码相机、智能手机与其他 USB 界面储存设备。
市调机构 DRAMeXchange 日前指出，三星稳坐去年第四季 NAND 快闪存储
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三星 3D NAND
- NAND闪存芯片被三星、东芝、SK Hynix、美光、Intel等少数公司垄断，中国公司在此领域毫无话语权，甚至连收购、合作外资公司都没可能，想获得突破还得靠国产公司自立。紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工，2019年全速量产，预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。
长江存储科技前身是武汉新芯公司，该公司去年联合湖北省政府投资基金在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，随后
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长江存储 NAND
- 3月1日，乐视宣布，对旗下乐Pro 3进行价格调整。在这之前，魅族、红米、努比亚已先后宣布了涨价措施……手机厂家纷纷执行涨价措施，往常都想用低价策略吸引用户的厂家们这次都是因为什么呢? 有没有朋友发现目前市场上的闪存类产品价格在悄悄增长，包括我们熟悉的U盘、内存、硬盘类产品，这些产品和近期纷纷宣布涨价的手机是否有什么关系呢? 关键在于它们都使用了一种核心器件：Flash Memory，也就是大家说的“闪存”，而这类器件由于目前生产减少，出现了供不应求的状况，导致其价格上涨，最终
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Nand 内存
- 什么是DRAM? DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据) 工作原理 动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。
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DRAM NAND
- 平面DRAM最重要也最艰难的挑战，是储存电容的高深宽比，为了要延长DRAM这种内存的寿命，在短时间内必须要采用3D DRAM解决方案。
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DRAM NAND
- NAND闪存芯片被三星、东芝、SK Hynix、美光、Intel等少数公司垄断，中国公司在此领域毫无话语权，甚至连收购、合作外资公司都没可能，想获得突破还得靠国产公司自立。紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工，2019年全速量产，预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。
长江存储科技前身是武汉新芯公司，该公司去年联合湖北省政府投资基金在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，
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NAND 东芝
- 市调机构集邦科技预期，今年储存型快闪存储器(NAND Flash)整年都将维持供应吃紧的情况，NAND Flash厂商业绩可望逐季攀高。
集邦科技调查，随着NAND Flash缺货达到高峰，产品平均售价走扬，加上终端出货畅旺，去年第4季NANDFlash产值达120.45亿美元，季增达17.8%，各NANDFlash厂获利也攀上去年高峰。
集邦科技指出，三星去年第4季市占率37.1%，稳居全球NAND Flash龙头地位;东芝市占率18.3%，居第2大厂;西部数据市占率17.7%，居第3大
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三星 NAND
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